“郭泰裕”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]压电结构-CN202210616587.3在审
发明人：李政达;廖俊鑫;郭泰裕 -专利权人：咏业科技股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：本发明提供一种压电结构，包含一刚性材料层，该刚性材料层包含有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，一第一胶层与一第二胶层，分别连接于于该刚性材料层的该第一表面以及该第二表面，一第一压电陶瓷片与一第二压电陶瓷片，分别连接该第一胶层与该第二胶层，以及一第三胶层，连接于该第一压电陶瓷片相对于该第一胶层的一另一表面。
压电结构

[发明专利]薄膜电晶体阵列基板及其微影制造方法与光罩设计结构-CN03155971.9有效
发明人： 郭泰裕;林东村;曾旭平 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-08-28 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种薄膜电晶体阵列基板及其微影制造方法与光罩设计结构。该微影制造方法是首先将光罩设置在一基板上方，且基板上已形成有一光阻层。然后，将光罩的显示元件区遮蔽住，以对光阻层进行非显示元件区的曝光制程。继之，将光罩的非显示元件区遮蔽住，对光阻层重复进行至少一次显示元件区的曝光制程。最后，进行一显影制程，以图案化光阻层。其中对应于显示元件区处的光阻层中可形成多个画素图案，而对应于非显示元件区处的光阻层中可形成多个周边线路图案以及多个拟画素图案，且每一个拟画素图案与每一个画素图案对应接合。本发明可降低曝光制程时所需曝光次数，减少因曝光接合所产生的痕迹，有效减少因多次曝光制程间若接合不佳而导致辉度不均匀问题。
薄膜电晶体阵列及其制造方法设计结构

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法-CN03125024.6有效
发明人： 郭泰裕 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-04-29 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法，包括下列步骤：首先于一基板上定义出一扫描线、一与扫描线不相接触的数据线段以及一栅极，接着沉积一介电层、一半导体层以及一高掺杂半导体层以形成有源区域，然后蚀刻出一接触洞，再沉积一透明导电层以连接扫描线两侧的数据线段，并蚀刻出像素电极、源极与漏极，最后再形成一保护层并曝露该像素电极。
薄膜晶体管液晶显示器面板制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法-CN03120465.1有效
发明人： 郭泰裕 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法，可简化工艺，可避免短路并提高合格率，其包含提供基板，其上沉积有金属层，基板上包括晶体管区、交错区，及接触孔区，其中晶体管区形成薄膜晶体管；进行第一光刻工艺，定义金属层，以在基板上同时定义出扫描线、两分别位于扫描线两侧且与扫描线不相接触的数据线，及薄膜晶体管的栅极；依序沉积介电层、半导体层与蚀刻停止层；进行第二光刻工艺，去除晶体管区及交错区以外的蚀刻停止层；沉积重掺杂半导体层；进行第三光刻工艺，去除晶体管区外的重掺杂半导体层；进行第四光刻工艺，在介电层中形成接触孔，曝露出部分扫描线两侧的数据线；及沉积透明导电层，并填入接触孔。
一种薄膜晶体管液晶显示器面板制作方法