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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种薄膜超声换能器及其制备方法-CN200910238031.X无效
发明人： 郝震宏;乔东海 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜超声换能器及其制备方法，该薄膜超声换能器包含电容换能器单元，所述的电容换能器单元由下至上包含电容第二电极(126)、绝缘层(125)、微气隙(130)、支撑部件(128)及压电第一电极(123)，其特征在于，该薄膜超声换能器由下至上还依次包含：位于压电第一电极(123)之上的压电层(122)、以及位于压电层(122)之上的压电第二电极(121)；所述支撑部件(128)为可弯曲的压电振动膜，其下方中心的内凹部位与所述绝缘层(125)一起形成一个封闭的微气隙空腔。本发明还提供了3种制备薄膜超声换能器的方法，由下至上依次制备各个部件，尤其提供了几种制备微气息的方式。
一种薄膜超声换能器及其制备方法

[发明专利]薄膜压电超声换能器-CN200710119517.2无效
发明人： 郝震宏;乔东海 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜压电超声换能器，包括具有硅杯结构的硅基片，位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电换能单元；其特征在于，所述硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层，该选择性掺杂层上具有N个与所述压电换能单元相对应的通孔。与现有技术相比，本发明能否达到以下技术效果：本发明可以用常规的体硅刻蚀工艺实现密排阵元的薄膜压电换能器阵列，该阵列的阵元间距不受阵元间侧墙厚度及倾角的限制，可根据阵列设计需要任意调整。
薄膜压电超声换能器

[实用新型]硅微压电超声换能器-CN200720169897.6无效
发明人： 郝震宏;乔东海 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅微压电超声换能器，包括具有硅杯结构的硅基片，位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电换能单元；其特征在于，所述硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层，该选择性掺杂层上具有N个与所述压电换能单元相对应的通孔。与现有技术相比，本实用新型能否达到以下技术效果：本实用新型可以用常规的体硅刻蚀工艺实现密排阵元的薄膜压电换能器阵列，该阵列的阵元间距不受阵元间侧墙厚度及倾角的限制，可根据阵列设计需要任意调整。
压电超声换能器

[发明专利]一种包含两种极化方向压电薄膜的传感振动膜-CN200610144250.8无效
发明人：乔东海;郝震宏;汤亮;田静 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含两种极化方向压电薄膜的传感振动膜，由由下至上的支撑层、下电极、压电薄膜和上电极组成；其特征在于，所述上电极包括相互分离的第一上电极和第二上电极，所述下电极为公共下电极，所述压电薄膜包括位于第一上电极正下方的第一压电薄膜区域，和位于第二上电极正下方的第二压电薄膜区域，所述第一压电薄膜区域与第二压电薄膜区域的极化方向相反，所述第一上电极和第二上电极分别作为整个振动膜的输入输出电极。本发明无需引出下电极，避免了刻蚀压电薄膜工艺，避免不同层跨接引线造成的断裂，提高器件的成品率；另外，本发明还能够提高传感振动膜的灵敏度。
一种包含极化方向压电薄膜传感振动

[实用新型]一种双极化分割电极传感振动膜-CN200720103548.4无效
发明人： 郝震宏;乔东海;汤亮;田静 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双极化分割电极式传感振动膜，由由下至上的支撑层、下电极、压电薄膜和上电极组成；其特征在于，所述上电极包括相互分离的第一上电极和第二上电极，所述下电极为公共下电极，所述压电薄膜包括位于第一上电极正下方的第一压电薄膜区域，和位于第二上电极正下方的第二压电薄膜区域，所述第一压电薄膜区域与第二压电薄膜区域的极化方向相反，所述第一上电极和第二上电极分别作为整个振动膜的输入输出电极。本实用新型无需引出下电极，避免了刻蚀压电薄膜工艺，避免不同层跨接引线造成的断裂，提高器件的成品率；另外，本实用新型还能够提高传感振动膜的灵敏度。
一种极化分割电极传感振动

[发明专利]一种适合单芯片集成的调频硅微电容传声器系统-CN200610089005.1无效
发明人：乔东海;郝震宏;汤亮;田静 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种适合单芯片集成的调频硅微电容传声器系统，包括电容传声芯片，其特征在于，还包括集成高Q射频谐振器和射频振荡电路，所述集成高Q射频谐振器与电容传声芯片串联或并联，并与所述射频振荡电路一起构成一个射频振荡回路；该射频振荡回路的输出是一个频率调制的射频信号。本发明的优点是省去了传统的硅微电传声器中不容易和CMOS工艺兼容或制作困难的DC－DC直流升压电路、500M欧姆以上的大电阻以及低噪声JFET阻抗变换器。另外，本发明将电容变化转换成频率变化的方法，可以避免传声器在低频端由于偏置电阻太小而引起的衰落。利用本发明可以大大简化无线麦克风系统的设计。
一种适合芯片集成调频电容传声器系统

[实用新型]一种采用调频机制的传声器-CN200620133825.1无效
发明人：乔东海;郝震宏;汤亮;田静 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2006-09-19 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采用调频机制的传声器，包括电容传声芯片，其特征在于，还包括集成高Q射频谐振器和射频振荡电路，所述集成高Q射频谐振器与电容传声芯片串联或并联，并与所述射频振荡电路一起构成一个射频振荡回路；该射频振荡回路的输出是一个频率调制的射频信号。本实用新型的优点是省去了传统的硅微电传声器中不容易和CMOS工艺兼容或制作困难的DC－DC直流升压电路、500M欧姆以上的大电阻以及低噪声JFET阻抗变换器。另外，本实用新型将电容变化转换成频率变化的方法，可以避免传声器在低频端由于偏置电阻太小而引起的衰落。利用本实用新型可以大大简化无线麦克风系统的设计。
一种采用调频机制传声器

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