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[发明专利]一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片-CN202211608043.9在审
发明人：朱海;郑湖颖;王亚琪;王润晨;王竞卓;王庭云 -专利权人：中山大学;新启航半导体有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片，包括两个第一n型电极、第一n‑GaN二维拓扑光子晶体、n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层、第二n型电极、两个绝缘有机物；两个所述的绝缘有机物呈水平设置，所述的n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层由下到上依次叠加设置，均位于两个所述的绝缘有机物之间，且与绝缘有机物连接；两个绝缘有机物均设置在所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部还与n‑InGaN层的底部连接；所述的第一n型电极设置在第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且位于绝缘有机物的正下方；所述的第二n型电极的底部同时与绝缘有机物的顶部、n+‑GaN层的顶部连接。
一种耦合注入 gan 半导体拓扑 polariton 激光芯片

[实用新型]一种采用K空间角分辨瞬态光谱和寿命测试系统-CN202221574377.4有效
发明人：朱海;郑湖颖;王亚琪;汤梓荧;王润晨 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用K空间角分辨瞬态光谱和寿命测试系统，包括用于接收激发光的分束器、微区显微装置、用于对样品激发出的信号光波进行聚焦处理的透镜系统、用于接收透镜系统处理后的信号光波的光谱仪；分束器将接收到的激发光反射到微区显微装置上的样品；样品激发出的信号光波透过所述的分束器进入透镜系统进行聚焦处理；信号光波经过聚焦形成光斑传输至所述的光谱仪，以获取K空间的角度分辨光信号。本实用新型实现对光谱K空间的测量成像的实时测量，获得K空间的角度分辨光信号，同步完成对K空间不同能量、波矢的光子寿命的测量。该光学信号反映了器件内部耦合体系的多粒子占据状态。
一种采用空间分辨瞬态光谱寿命测试系统

[发明专利]一种采用深紫外激光的液晶面板修复系统-CN202010971568.3在审
发明人：朱海;郑湖颖;汤梓荧;王亚琪;韦海园 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用深紫外激光的液晶面板修复系统，包括固体激光装置、光路装置、聚焦装置、移动平台及成像装置，所述固体激光装置包括在光路上依次排布的1064nm激光器、二次倍频器和四次倍频器，所述1064nm激光器产生的激光经所述二次倍频器和所述四次倍频器后生成266nm的深紫外激光。本发明提供的采用深紫外激光的液晶面板修复系统，以减小加工过程中的热效应，避免碳化及大量碎屑的产生，提高液晶面板的精细修复能力。
一种采用深紫激光液晶面板修复系统