专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]热传感器及其制造方法-CN202010794049.4在审
  • 邱楹翔;陈旷举;萧鹏展;刘汉英 - 新唐科技股份有限公司
  • 2020-08-10 - 2021-06-25 - G01J5/08
  • 本发明提供了一种热传感器及其制造方法。所述热传感器包括晶体管以及热传感装置。所述热传感装置设置于所述衬底中的凹槽中,且与所述晶体管电连接。所述热传感装置包括第一介电层、金属硅化物反射层、第二介电层以及热吸收层。所述第一介电层设置于所述凹槽的侧壁与底部上。所述金属硅化物反射层设置于位于所述凹槽的底部上的所述第一介电层上。所述第二介电层设置于所述凹槽的顶部处。所述热吸收层设置于所述第二介电层上。
  • 传感器及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构与其制造方法-CN201911291141.2在审
  • 邱楹翔;陈旷举;萧鹏展;刘汉英 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-12-16 - 2021-05-04 - H01L35/34
  • 一种半导体结构与其制造方法,该半导体结构的制造方法包含提供一基板。基板区分为一操作区与一感测区。此制造方法也包含在操作区形成一半导体元件并在感测区形成一感测元件。此制造方法更包含形成一介电层于基板上。此制造方法包含形成一接点于介电层上。接点电性连接于半导体元件。此制造方法也包含形成一支撑层于接点与介电层上。此制造方法更包含形成至少一导电层于支撑层上。导电层包括一第一部分与一第二部分,第一部分电性连接于半导体元件,第二部分具有至少一通孔并设置于感测元件上。此制造方法包含通过至少一通孔将支撑层、介电层与感测元件图案化,以形成一刻蚀沟槽。此制造方法也包含将第二部分移除。
  • 半导体结构与其制造方法

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