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[发明专利]一种低功耗的复合SJ-MOS管及其制备方法-CN201910487933.0在审
发明人：罗泽伟;孙林弟;邓见平;王海滨 -专利权人：浙江明德微电子股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗的复合SJ‑MOS管的制备方法，包括以下步骤：增加栅极控制回路，在原有的SJ‑MOSFET管的栅极控制电路中放置具有单向导通性的复合元件或符合单向导通的外部电路；增加源极信号回路，在原有的SJ‑MOSFET管上设置一个以上的源极引脚，实现将控制信号地与主回路地进行分开，将栅极控制回路、源极信号回路和原有的SJ‑MOSFET管进行一体封装并引出引脚。本发明还公开了一种通过本制备方法制备的低功耗的复合SJ‑MOS管。本发明提高了可靠性，并降低SJ‑MOS的功耗。
制备低功耗原有的源极信号栅极控制复合栅极控制电路单向导通性单向导通复合元件控制信号外部电路一体封装源极引脚主回路功耗引脚

[实用新型]一种表面贴装高压硅堆-CN201621078170.2有效
发明人：谢晓东;邓见平 -专利权人：浙江明德微电子股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种表面贴装高压硅堆，属于半导体器件技术领域。包括整流芯片、引线端子和塑封体，所述整流芯片由若干玻璃钝化整流芯片通过引线框架串联而成，若干玻璃钝化整流芯片在塑封体内部共面设置或采用多层叠放设置；所述引线端子包括分别伸出塑封体外部的输入端子、输出端子和测试端子，输入端子与整流芯片的阳极连接，输出端子与整流芯片的阴极连接，测试端子从玻璃钝化整流芯片串联位置引出；输入端子和输出端子从塑封体的相对面伸出。本实用新型采用贴片封装，适合自动化生产作业；设置测试端子对多个高压整流芯片进行分组测试，使得现有的二极管测试设备即可满足对高压硅堆电特性的检测，克服了高压硅堆的工艺局限性。
一种表面高压

[实用新型]自带散热片的表面贴装整流器件-CN201620407588.7有效
发明人：谢晓东;王海滨;邓见平 -专利权人：浙江明德微电子股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种自带散热片的表面贴装整流器件，包括塑封体和引线端子，塑封体相对的两个侧面分别从中部对称伸出鸥翅型引线端子，两侧对称的引线端子在塑封体内部彼此连接，且与塑封体内部的芯片其中一个电极连接；塑封体另外两个相对的侧面分别从底部平直伸出引线端子，塑封体背面外露有散热片，塑封体内部的芯片焊接于散热片上，散热片与芯片的另一个电极连接；平直伸出的引线端子与散热片连接成一体。本实用新型将散热片与芯片的一个电极连接，有效提升了表面贴装整流器件的散热能力；芯片另一个电极连接的引线端子采用鸥翅型设计，便于焊接，也拉开了芯片的两个电极之间的爬电距离，减少了电极之间发生电弧的几率。
散热片表面整流器件

[发明专利]自带散热片的表面贴装整流器件-CN201610298111.4在审
发明人：谢晓东;王海滨;邓见平 -专利权人：浙江明德微电子股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种自带散热片的表面贴装整流器件，包括塑封体和引线端子，塑封体相对的两个侧面分别从中部对称伸出鸥翅型引线端子，两侧对称的引线端子在塑封体内部彼此连接，且与塑封体内部的芯片其中一个电极连接；塑封体另外两个相对的侧面分别从底部平直伸出引线端子，塑封体背面外露有散热片，塑封体内部的芯片焊接于散热片上，散热片与芯片的另一个电极连接；平直伸出的引线端子与散热片连接成一体。本发明将散热片与芯片的一个电极连接，有效提升了表面贴装整流器件的散热能力；芯片另一个电极连接的引线端子采用鸥翅型设计，便于焊接，也拉开了芯片的两个电极之间的爬电距离，减少了电极之间发生电弧的几率。
散热片表面整流器件