专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造磁阻随机存取存储器件的方法-CN201811092070.9有效
  • 赵汉娜;尹惠智;权五益 - 三星电子株式会社
  • 2018-09-19 - 2023-10-24 - H10N50/01
  • 一种制造MRAM器件的方法包括:形成第一绝缘夹层和下电极接触,下电极接触延伸穿过第一绝缘夹层;在第一绝缘夹层和下电极接触上形成下电极层、磁隧道结层、上电极层和第一硬掩模层;在第一硬掩模层上形成第二硬掩模;蚀刻第一硬掩模层和上电极层以形成第一硬掩模和上电极;在上电极的侧壁以及第一硬掩模和第二硬掩模的侧壁上形成间隔物;以及蚀刻磁隧道结层和下电极层,以在下电极接触上形成包括下电极和磁隧道结图案的结构,其中,在蚀刻磁隧道结层和下电极层之后,一层留在上电极上。
  • 制造磁阻随机存取存储器方法

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