专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]二乙基次膦酸铝材料及其制备方法-CN202010577627.9有效
  • 应思斌;蒋铭豪;谢自强;周健;章震;王超远 - 浙江新化化工股份有限公司;江苏理工学院
  • 2020-06-23 - 2023-05-02 - C07F9/30
  • 本发明涉及一种二乙基次膦酸铝材料及其制备方法,所述制备方法包括:提供混合酸溶液和含铝源的悬浊液,所述混合酸溶液包括二乙基次膦酸以及助结晶剂;将所述混合酸溶液与所述悬浊液混合,反应得到二乙基次膦酸铝颗粒,且多个所述二乙基次膦酸铝颗粒堆叠形成具有多孔结构的粉体,所述粉体具有5μm‑30μm的D95粒径分布;将所述粉体置于混合机中进行混合,采用喷雾的方式将偶联剂加入所述混合机中并与所述粉体混合,使所述偶联剂与所述粉体结合得到二乙基次膦酸铝材料,所述二乙基次膦酸铝材料的堆密度为0.45g/cm3‑0.70g/cm3。本发明的二乙基次膦酸铝材料在使用过程中能够在聚合物中均匀分散,使聚合物材料具有优异的阻燃性能和力学性能,而且粉尘污染小。
  • 乙基次膦酸铝材料及其制备方法
  • [发明专利]一种补偿负电容晶体管内部栅电势损失的方法-CN202110417676.0有效
  • 吕伟锋;刘波;陈贤龙;于天宇;谢自强;林弥 - 杭州电子科技大学
  • 2021-04-19 - 2023-02-24 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种补偿负电容晶体管在高漏极电压下靠近漏极侧内栅电势损失的方法,本发明在现有的N型负电容晶体管制作过程中,增加一道P型离子的沟道注入步骤。具体实施方法为:在完成N型负电容晶体管的金属栅极TiN材料积淀工艺之后,在靠近漏端(drain)的沟道区域局部额外注入一定浓度的P型离子,目的是提高漏极与沟道交界处局部区域的P型离子的掺杂浓度,并且保持之后的现有工艺技术和步骤都不变。其特点是这种方法与现有nNCFET工艺具有很好的兼容性,制造过程没有明显的增加工艺难度与复杂度。本发明通过可以缓解负电容晶体管输出电流随着漏极电压升高而下降导致的负微分电阻现象,保持了nNCFET优良的性能。
  • 一种补偿电容晶体管内部电势损失方法
  • [外观设计]打火机(砂轮机)-CN202230540461.3有效
  • 谢自强 - 谢自强
  • 2022-08-18 - 2022-12-16 - 27-05
  • 1.本外观设计产品的名称:打火机(砂轮机)。2.本外观设计产品的用途:用于点火。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
  • 打火机砂轮机

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