专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]<100>N/N+/P+网状埋层扩散抛光片-CN200720065240.5无效
  • 邓建伟;许伍权;刘谋忠;曹宏伟 - 衡阳晶体管有限公司
  • 2007-11-24 - 2008-12-24 - H01L23/00
  • 一种以NTD硅单晶制作的<100>N/N+/P+网状埋层扩散抛光片,包括单晶硅衬底,其特征是单晶硅衬底上面有呈网状分布的降耗埋层。其均匀性可控制在8%以内,高阻区厚度控制可在±7.5μm范围内,单晶层的缺陷密度远远低于外延层,可完全取代外延基片,用它制造电力电子器件,不仅能大大降低制造成本,还能提高器件的各项性能指标,击穿电压高,体表面缺陷少,合格率高,具有相当高的技术附加值,尤其在高压VDMOS、IGBT等新型元器件的材料应用中有着广阔的市场前景。
  • 100sup网状扩散抛光

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