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[发明专利]一种等静压加载实现负应力三轴度的力学实验方法及装置-CN202211177920.1在审
发明人：王涛;赵辰辰;和东平;任忠凯;孙其美;覃志伟;史汉卿;黄庆学 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种等静压加载实现负应力三轴度的力学实验方法及装置，包括以下步骤：实验准备，准备实验所需的压缩/拉伸/扭转试样，并将压缩/拉伸/扭转试样放入实验设备中；调整实验设备参数，设定实验所需静水应力值并检查设备密封性；进行静压加载力学实验，通过实验设备以一定速率进行力学压缩/拉伸/扭转实验；记录数据，将实验完成的压缩/拉伸/扭转试样取出并记录实验数据。本发明通过改变试样所受静水应力的大小进而实现不同应力三轴度下的力学实验，实验方法具有较高的可调节性，可以高效、准确的实现不同应力三轴度下的压缩/拉伸/扭转力学实验，为探索、验证金属的韧性断裂机制等相关研究提供了一种可靠、稳定的方法。
一种静压加载实现应力三轴度力学实验方法装置

[外观设计]话筒-CN202230146448.X有效
发明人： 覃志伟 -专利权人：抖起来(广州)传媒有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：话筒。2.本外观设计产品的用途：用于传递声音、扩音的话筒。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
话筒

[外观设计]广告牌-CN202230146537.4有效
发明人： 覃志伟 -专利权人：抖起来(广州)传媒有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： 20-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：广告牌。2.本外观设计产品的用途：用于放置在桌面上进行广告展示。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
广告牌

[外观设计]舞台灯-CN202230146543.X有效
发明人： 覃志伟 -专利权人：抖起来(广州)传媒有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： 26-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：舞台灯。2.本外观设计产品的用途：用于照明和增加氛围。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
舞台

[外观设计]广告机-CN202230146545.9有效
发明人： 覃志伟 -专利权人：抖起来(广州)传媒有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： 20-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：广告机。2.本外观设计产品的用途：用于播放视频的多媒体广告机。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
广告

[发明专利]一种发光器件的封装结构-CN202110088527.4有效
发明人： 覃志伟;邓群雄;郭文平 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本申请是关于一种发光器件的封装结构。该封装结构包括：导热基板、第一电路、发光芯片以及光反射模组；其中，第一电路固定设置在导热基板上，发光芯片固定设置在第一电路上，且发光芯片与第一电路电连接；光反射模组全部固定设置在第一电路上，光反射模组用于将发光芯片发出的光信号沿第一方向反射出去，尤其是使发光芯片侧面发出的光信号沿第一方向聚集，其中，第一方向为该发光器件的出光方向。本申请提供的方案，能够同时实现良好的光反射性和散热性。
一种发光器件封装结构

[发明专利]一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片-CN202110304549.X有效
发明人：邓群雄;覃志伟;郭文平 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及深紫外发光二极管封装技术领域，提供了一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片，制备方法包括蓝宝石衬底的外延制备、芯片制备、基板衬底的制备以及芯片与基板的共晶粘接，深紫外芯片包括芯片结构区及芯片密封区；芯片结构区包括蓝宝石、n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、设置有P型欧姆接触及N型欧姆接触的绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、第一面电路、基板及第二面电路；芯片密封区包括n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、沉积层及基板。本发明解决了目前的深紫外芯片封装过程中，使用有机材料进行封装，易出现有机材料老化或降解，对芯片造成破坏，影响芯片稳定及使用寿命的问题。
一种深紫芯片无机封装制备方法

[发明专利]一种Micro-LED芯片的制备方法-CN202010978658.5有效
发明人： 覃志伟;邓群雄;席庆男;王晓慧 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及Micro‑LED芯片技术领域，提供了一种Micro‑LED芯片的制备方法，制备方法包括：将蓝光外延片制作成Micro‑LED晶粒；将Micro‑LED晶粒的表面镀上一层第一DLC薄膜层；将Micro‑LED晶粒的表面沉积一层金属层；将Micro‑LED晶粒顶部出光区的表面沉积上一层滤光层；将Micro‑LED晶粒顶部出光区制作量子点层；将Micro‑LED晶粒的表面沉积上一层第二DLC薄膜层；将Micro‑LED晶圆贴合到基板上，并将Micro‑LED晶圆底部进行工艺处理至N型GaN层；将Micro‑LED晶圆上相邻的两Micro‑LED晶粒的N型GaN层进行Micro‑LED晶粒隔离；将Micro‑LED晶粒的N型GaN层的表面进行N电极沉积；将Micro‑LED晶圆与驱动电路晶圆键合；将Micro‑LED晶圆上贴合的基板去除。本发明解决了目前Micro‑LED芯片应用过程中的的散热和巨量转移问题，使其转移效率提高，成本降低，芯片可靠性提高。
一种 micro led 芯片制备方法

[发明专利]一种LD芯片无机封装结构及其制备方法-CN202011093259.7有效
发明人：席庆男;邓群雄;覃志伟;李志 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01S5/0225 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了一种LD芯片无机封装结构及其制备方法，LD芯片无机封装结构包括陶瓷衬底，陶瓷衬底的两面均镀有第一金属层，陶瓷衬底两面电极区域的第一金属层相连，其中一面散热区域的第一金属层上安装有LD芯片，LD芯片的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层相连；LD芯片的出光侧依次设有光纤和反射镜，且LD芯片的光源穿过光纤中心，反射镜靠近光纤的一侧为倾斜反射面；陶瓷衬底的其中一面还设有外框，外框的顶部适配盖合有荧光盖板，荧光盖板为光阑片结构。本发明实现了真正意义上的无机封装，LD芯片不会接触到水汽和有机成分，使用寿命大大延长，且该封装结构体积更小，散热效果大大提高，安装使用更加简单方便。
一种 ld 芯片无机封装结构及其制备方法

[实用新型]一种VCSEL芯片氧化孔制备用湿法氧化装置-CN202022034203.6有效
发明人： 覃志伟;王晓慧;席庆男;李志 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，提供了一种VCSEL芯片氧化孔制备用湿法氧化装置，包括具有氧化腔的氧化炉，氧化腔顶部设有与供汽系统连通的汽体均分器，汽体均分器下表面开设有若干气孔，若干气孔呈非均匀性设置，且自汽体均分器的下表面中间向四周，相邻气孔间的间距呈渐小设置；氧化腔的底部设有加热器，加热器的顶部具有一用以放置晶圆的晶圆载盘，晶圆载盘的下方设有若干加热灯珠，若干加热灯珠呈非均匀性排列设置，且自加热器顶部的中间至四周，相邻加热灯珠间的间距呈渐小设置。本实用新型能够保证氧化工艺时晶圆上各区域VCSEL芯片水汽浓度和温度高度的均匀性，各区域芯片的氧化速度及芯粒的氧化深度一致，从而大大提高了晶圆氧化制备的良率。
一种 vcsel 芯片氧化制备湿法装置

[发明专利]一种微透镜的制备方法-CN202011012181.1在审
发明人：邓群雄;覃志伟;席庆男 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微透镜的制备方法，包括以下步骤：准备基板和具有透光孔的光刻版、且两者具有一定间距；在基板的蚀刻侧匀上光刻胶；光刻版向基板移动并输出变化的曝光量，位于光刻版遮光区的光刻胶处于光衍射的辐射中，随着光刻版与光刻胶间距的缩小，光衍射的辐射区域逐步缩小，使光刻胶本被遮光的区域形成边沿具有曲度的曝光区域，由此曝光显影后在基板上成型了进行刻蚀的光刻胶形貌；对基板进行等离子体刻蚀，将光刻胶形貌复制到基板上以成型微透镜。利用光衍射原理对光刻胶进行形貌修饰、并得到光刻胶形貌，加工工序简单可控，微透镜的成型一致性高，有效提高了工作效率，且成本低，适用于微小尺寸微透镜的成型。
一种透镜制备方法

[发明专利]一种激光芯片的陶瓷封装方法及陶瓷封装芯片结构-CN202010937718.9在审
发明人：席庆男;邓群雄;覃志伟;李志 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了一种激光芯片的陶瓷封装方法，包括如下步骤：提供一陶瓷衬底，并开设通孔，得到结构I；在结构I的一面做图形化光刻胶层，之后进行蒸镀或电镀，镀上一层金属层，得到结构II；在结构II的另一面同样做出图形化光刻胶层后镀上金属层，得到结构III；对结构III进行光刻胶剥离，去除光刻胶层，得到结构IV；对结构IV进行切割，将其分切为若干热沉单元；将激光芯片利用焊片焊接到热沉单元其中一面导热区域的金属层上，之后进行打线，将激光芯片的正负极分别连接到热沉单元电极区域的金属层上。本发明制备方法简单，制备的陶瓷封装芯片结构，封装体积更小，散热效果大大提高，进而能够有效提高激光芯片的性能及使用寿命。
一种激光芯片陶瓷封装方法结构

[发明专利]一种具有光束整形的激光器表贴封装装置-CN202011012183.0在审
发明人：邓群雄;覃志伟;席庆男 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有光束整形的激光器表贴封装装置，包括绝缘基座，所述绝缘基座上设有激光器，位于所述激光器下游的所述绝缘基座上设有光斑整形器，位于所述光斑整形器下游的所述绝缘基座上设有反射镜；所述绝缘基座与所述激光器之间设有N极通电结构和P极通电结构。在使用中，分别通过N极通电结构和P极通电结构来实现激光器的通电，激光器产生的光线经光斑整形器整形后再通过反射镜将光线反射出去。采用该装置，实现了各个部件的SMD封装，与传统TO等封装方式相比，体积小，占用空间小，应用场景广泛；同时，能对光斑、光束进行各种所需形貌的整形。
一种具有光束整形激光器封装装置

[发明专利]一种VCSEL芯片的低温氧化方法-CN202010977208.4在审
发明人： 覃志伟;邓群雄;席庆男;李志 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及VCSEL芯片氧化制备技术领域，提供了一种VCSEL芯片的低温氧化方法，氧化方法包括以下步骤：将VCSEL芯片的外延片刻蚀成台阶，使VCSEL芯片的富铝AlGaAs层裸露出来；将VCSEL芯片放置于等离子体腔的载片台上，并对等离子体腔抽真空；将氩气通过第一气体管道连通容器，容器通过第二气体管道连通等离子体腔；将等离子体腔通电，使内部产生电场，并将去离子水汽离化成活性氧化粒子，活性氧化粒子与富铝AlGaAs层反应，生成Al2O3层和挥发性副产物；等离子体腔通过第三气体管道连通真空泵，真空泵将挥发性副产物排出至腔体外侧。本发明解决了传统的高温湿法氧化工艺，温度的均匀性难以控制，容易导致VCSEL芯片氧化不均匀，生产良率低，成本高，能耗大的问题。
一种 vcsel 芯片低温氧化方法

[发明专利]一种采用双层辉光法制备抗菌不锈钢的方法-CN200510120596.X无效
发明人：倪红卫;许伯藩;覃志伟 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用双层辉光渗金属法制备抗菌不锈钢的方法。将待处理的不锈钢基材放入双层辉光渗金属炉中进行抗菌元素渗入，抗菌元素渗入的工作条件是，双层辉光渗金属炉中的工作气体压力为1.33～133Pa，源极电压为0.7～1.4KV，工件电压为0.6～1.2KV，温度为800～1050℃，极间距为10～20mm，渗入时间为2～4小时；抗菌元素或为Cu元素或为Ag元素，Cu元素渗入后须进行真空时效处理，真空时效处理时间为1～10小时，处理温度为450～900℃。本发明的生产工艺简单，保持了基体原有的耐蚀性，不锈钢表面有含富铜相或含银相扩散层，表面具有良好的抗菌性。
一种采用双层辉光法制抗菌不锈钢方法

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