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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201310399689.5有效
发明人：坂口武史;杉山裕和;藤井详久;五月女真一;渡部忠兆;松野光一;甲斐直树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实施方式的半导体装置包括将半导体基板分离为多个第1元件区域的第1元件分离区域以及隧道绝缘膜、电荷积聚层、电极间绝缘膜和控制栅极电极被顺序层叠在上述第1元件区域之上的多个存储单元。在周边电路区域中包括将上述半导体基板分离为多个第2元件区域的第2元件分离区域以及栅极绝缘膜、栅极电极被顺序层叠在上述第2元件区域之上的周边晶体管。上述第1元件分离区域具有埋入第1元件分离沟的底部的第1元件分离绝缘膜和在上述第1元件分离绝缘膜与上述电极间绝缘膜之间形成的空隙，上述第2元件分离区域具有埋入第2元件分离沟中的第2元件分离绝缘膜。上述第1元件分离绝缘膜的膜质和上述第2元件分离绝缘膜的膜质不同。
半导体装置以及制造方法

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