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[发明专利]针对锥齿轮的自控性多频感应加热装置及方法-CN202310608153.3在审
发明人：杜金龙;董博维;付长睿;刘家轩;刘玥君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C21D1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种针对锥齿轮的自控性多频感应加热装置及方法，涉及锥齿轮感应加热技术领域，将加热过程分为两个控制环节，将锥齿轮的加热部分分为齿顶、齿侧、齿根三部分同时进行旋转式加热，利用三个频率不同且可进行功率调节的单频电源连接感应线圈加热，其中高频对齿顶进行加热，中频对齿侧进行加热，低频对齿根进行加热；同时每个控制环节设定不同浓度的冷却液和不同的主轴旋转速度以适应不同精度的温度要求，实时判断三个区域所测温度是否满足设定要求并根据反馈调节各自线圈距离和电源功率达到对温度的精密控制，并及时调整喷淋液压力进行定量降温直至待测温度稳定进行循环控制调节，以实现针对锥齿轮的自控性多频感应加热处理。
针对齿轮自控性多频感应加热装置方法

[发明专利]一种复合轧辊铸造缩松缩孔加热装置及方法-CN202310606122.4在审
发明人：韩毅;李明月;李嘉欣;董博维 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B22D27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合轧辊铸造缩松缩孔加热装置及方法，按照复合轧辊铸造凝固逐步达到固相线的顺序从下至上的方向依次排列多组测温加热装置，且平行分布。每组测温加热装置包括一台红外摄像测温装置、一台加热装置、一台动力装置。利用红外摄像测温装置采集复合轧辊铸造工装外表面温度值；建立复合轧辊铸造工装外表面温度值与浇铸中心温度值之间的温度关系，中心控制台实时计算复合轧辊铸造工装外表面各测温点之间的温度差、铸液浇铸凝固达到固相线的瞬时时刻的工装外表面温度值与红外摄像测温装置实际采集的工装外表面温度值之间的温度差，并控制加热装置进行加热。本发明能有效解决铸造过程中由于无法顺序凝固导致的缩松缩孔隐形缺陷。
一种复合轧辊铸造缩孔加热装置方法

[发明专利]光谱仪滤光片、制作及光谱重建方法-CN202210621430.X在审
发明人：常宇骅;董博维;李正国 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本申请提供的一种光谱仪滤光片、制作及光谱重建方法，其滤光片包括：基板；底部硅光子晶体板和顶部硅光子晶体板，位于所述基板一侧；间隔物，位于底部硅光子晶体板和顶部硅光子晶体板之间；其中所述基板靠近底部硅光子晶体板的一侧，以及间隔物靠近所述顶部硅光子晶体板的一侧形成一图案，所述间隔物、所述底部硅光子晶体板和顶部硅光子晶体板形成一腔体，本申请从而避免微加工方法导致重复薄膜沉积引起的应力问题，同时通过转移印刷得到的滤光片可以通过改变驱动电压值对光谱的腔长位移进行调控，从而可以调控滤光片的光学性能参数，进行光谱重构时，无需大量像素提供光谱数据，仅需通过调压即可获得大量光谱信息。
光谱仪滤光制作光谱重建方法

[发明专利]使用二维材料的中红外波导集成的光电检测器-CN202110475395.0在审
发明人：马逸明;董博维;李正国 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造中红外波导集成的光电检测器的方法，以及中红外波导集成的光电检测器。所述方法包括以下步骤：在基板上形成波导并配置为引导中红外波长范围中的光信号；和形成与所述波导光耦合的光子晶体结构，所述光子晶体结构表现出具有所述中红外波长范围中的带边缘的带隙；在所述光子晶体结构上布置二维材料，所述二维材料在所述中红外波长范围中表现出光的吸收；提供连接到所述二维材料的电极，用于在所述二维材料上施加偏置电压并检测所述光信号的吸收。
使用二维材料红外波导集成光电检测器

[发明专利]多层波导装置及其制造方法-CN202010878764.6在审
发明人：马逸明;董博维;李正国 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：提供了一种多层波导装置及其制造方法。多层波导装置包括第一波导层和第二波导层，第一波导层包括多个总线波导；第二波导层包括多个耦合器波导，所述第二波导层与所述第一波导层隔开；所述第二波导层由压电材料制备；在施加开关电压时，所述至少一个耦合器波导是可移动的，以选择性地绝热光学耦合所述第二波导层与所述第一波导层。
多层波导装置及其制造方法

[发明专利]半导体标准具装置及制造方法-CN202010831216.8在审
发明人：常宇骅;董博维;李正国 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：一种半导体标准具装置，包含设置在晶片上或晶片内的光电探测器；第一反射器；以及与第一反射器平行并与之隔开的第二反射器；所述第一反射器和所述第二反射器分别包含光子晶体，并且相对于所述晶片排列并与所述晶片间隔，并且与所述光电探测器的感光部分成至少部分重叠关系。
半导体标准装置制造方法