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[发明专利]半导体存储装置-CN202210949573.3在审
发明人：伊贺正彦;菊池贤朗;松浦伸志 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供能进行适宜的写入动作的半导体存储装置。装置执行：写入动作，包含多个第1写入循环，其中包含对第1导电层供给第1编程电压，对第2导电层供给比第1编程电压小的第1写入路径电压的第1编程动作，第1编程电压随着第1写入循环的执行次数增加而逐次增大第1偏移电压；及抹除动作，包含：编程电压控制动作，包含多个第2写入循环，其中包含对第3导电层供给第2编程电压，对第4导电层供给比第2编程电压小的第2写入路径电压的第2编程动作，第2编程电压随着第2写入循环的执行次数增加而逐次增大第2偏移电压，第1编程电压的大小根据第2编程电压的大小进行调整；及抹除电压供给动作，在执行所述控制动作之后，对第1配线供给抹除电压。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110047552.8在审
发明人：原田佳和;长井裕士;菊池贤朗 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制写入动作的性能劣化且执行插入动作的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：存储单元，连接于字线；以及控制电路，构成为执行反复进行编程循环的写入动作，所述编程循环包括将编程电压施加于字线的编程动作、及接在编程动作之后继续进行的验证动作。控制电路构成为，在写入动作中，每反复进行一次编程循环，便使编程电压上升第1量，在使写入动作中断的情况下，在重新开始写入动作后第n次(n为1以上的整数)为止的编程动作中，将第1量变更为第2量，所述第2量是小于第1量的正数。
半导体存储装置