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[发明专利]AB类输出级和包括AB类输出级的放大器-CN201110170827.3有效
发明人： G·F·卢弗 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H03G1/04 文献下载
摘要：一种缓冲器级包括翻转电压跟随器和发射极跟随器。翻转电压跟随器连接在高压干线和低压干线之间且包括输入和输出。发射极跟随器连接在高压干线和低压干线之间且包括输入和输出。电阻器将翻转电压跟随器的输出连接到发射极跟随器的输出。翻转电压跟随器的输入和发射极跟随器的输入连接在一起并提供缓冲器级的输入。发射极跟随器的输出提供缓冲器级的输出。差分缓冲器级利用一对这样的缓冲器级来实现。这种差分缓冲器级可为全差分运算放大器提供输出级。
ab 输出包括放大器

[发明专利]具有高PSRR的耦合容忍的精确电流基准-CN201110096074.6有效
发明人： B·威廉姆斯 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G05F3/10 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及产生具有高PSRR的耦合容忍的精确电流基准的电路和方法。在一个实施例中，电压-电流转换器电路用来生成依赖于基准电压(Vref)和精确电阻器(R0)的基准电流(Idc)，其中Idc＝Vref/R0。一电容器(C0)被用来旁路耦合入电压-电流转换器的噪声。频率依存反馈网络用来补偿由电容器(C0)引入的不稳定性。通过将电容器(C0)并联于精确电阻器(R0)，电容器(C0)可被用来旁路耦合入电压-电流转换器的噪声。通过将频率依存反馈网络连接在电压-电流转换器电路的放大器的反馈端子和电容器(C0)的端子之间，频率依存反馈网络可用来补偿由电容器(C0)引入的不稳定性。
具有 psrr 耦合容忍精确电流基准

[发明专利]采用基于消除的前馈的功率放大器线性化方法和系统-CN201110129737.X有效
发明人： W·S·哈恩;陈玮 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：通过消除或减小由功率放大器产生的非线性分量(如IM3，IM5，IM7，IM9等)的振幅，线性化电路可以提高功率放大器的线性度。线性化电路能够获取功率放大器输出的采样信号并处理该采样信号以产生适用于功率放大器输出之上或之中的消除信号。生成消除信号使得当其应用于功率放大器的输出端时，该消除信号取消或减少由该功率放大器产生的非线性分量的至少一部分。通过执行一个或多个调谐算法以及基于这些算法的结果调整线性化电路的设定，控制器能够改进非线性分量的校正。
采用基于消除功率放大器线性化方法系统

[发明专利]具有合并的场板和保护环的肖特基二极管-CN201110138222.6无效
发明人： F·希伯特 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供了一种肖特基二极管，包括限定了肖特基接触区域的合并的保护环和场板。肖特基金属至少部分地形成在肖特基接触区域之上以及至少部分地形成在合并的保护环和场板之上。
具有合并保护环肖特基二极管

[发明专利]具有改进电流感应的DC-DC变换器及相关方法-CN201110128753.7有效
发明人： R·H·艾沙姆 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：一种功率变换器包括具有电阻值RSET的设定电阻。该功率变换器的多个信道的每一个包括配置成将基准电压与经调节输出电压作比较的误差放大器；配置成更改经调节的输出电压的脉冲宽度调制器；配置成感应第一电流的电流感应元件；具有电阻值为Rsense的感应电阻，该感应电阻耦合到电流感应元件以使第一感应电流流过感应电阻；具有是Rsense的固定倍数的电阻值Rreference的基准电阻；以及耦合到设定电阻、基准电阻和感应电阻的电路，该电路被配置成产生输出电流，该输出电流的值与Rset和Rsense与Rreference的固定比值成比例，其中该电路向误差放大器提供该输出电流。
具有改进电流感应 dc 变换器相关方法

[发明专利]减少共用天线带内干扰的系统和方法-CN201110098621.4无效
发明人： W·S·哈恩;陈玮 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H04B1/10 文献下载
摘要：提供一种减少共用天线带内干扰的系统和方法。提供一种用于在共用天线通信系统中抑制带内或邻近带外干扰的干扰补偿电路。该通信系统包括第一通信装置，其具有用于在第一频带内发送信号的发送机，第二通信装置，其具有在第二频带内接收电磁信号的接收机。该第二频带与该第一频带邻近或交叠。该通信系统还包括干扰补偿电路，其接收由该发送机发送的信号的样本并响应于对该样本的振幅、相位和/或延迟的调整产生干扰补偿信号。当将该干扰补偿信号应用于该接收机的信号接收路径时，其能够抑制由该发送机发送的信号对该接收机施加的干扰。
减少共用天线干扰系统方法

[发明专利]集成DMOS和肖特基-CN201010624508.0无效
发明人： D·A·格德哈;M·D·丘奇 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：实施方案一般涉及包括扩散金属氧化物半导体(DMOS)场效应晶体管(FET)的电压转换器结构。实施方案包括在单个半导体芯片上的DMOS器件(例如，具有与基底隔离的主体的FETs)与肖特基二极管的组合。肖特基二极管可通过在DMOS器件的P型体区形成N型区域而被集成到DMOS器件的单元中。
集成 dmos 肖特基

[发明专利]具有有源自驱动同步整流的DC/DC功率变换器-CN201110150306.1无效
发明人：詹晓东;裘卫红;F·格林费德;梁志翔 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种DC/DC电压变换器包括具有初级侧和次级侧的变压器。初级侧电路连接于初级侧并包括第一对开关晶体管并接收输入电压，所述第一对开关晶体管响应于来自变压器的初级侧的第一控制信号受到控制。次级侧电路连接于次级侧并包括第二对开关晶体管并提供输出电压，所述第二对开关晶体管响应来自变压器的次级侧的第二控制信号受到控制。驱动电路响应第二对开关晶体管的每个晶体管处的漏极和源极电压以及第一和第二PWM控制信号产生第二控制信号。信号成形电路响应第二对开关晶体管中的每个晶体管的漏极电压提供第一和第二PWM控制信号。
具有源自驱动同步整流 dc 功率变换器

[发明专利]具有位于其它元件上方的桥式电感器的组件化电源模块-CN201110105798.2有效
发明人：印健;M·哈里斯 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：电源模块的一实施例包括组件化封装件、配置在封装件内的电源元件和配置在该封装件内且位于电源元件上方的电感器。例如，对于一给定的额定输出功率，与电感器安装在封装件外或电感器与其它元件并排设置的电源模块相比，这样的电源模块可能更小、更有效率、更可靠、运行温度更低。同时对于一给定的尺寸，与电感器安装在封装件外或电感器与其它元件并排设置的电源模块相比，这样的电源模块可能具有更高的额定输出功率。
具有位于其它元件上方电感器组件电源模块

[发明专利]耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)-CN201010505778.X无效
发明人： A·吉比 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供一种耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)。结型场效应晶体管半导体器件和方法可包括设置在源极区域和漏极区域之间的顶栅，其可从源极区域向漏极区域延伸横跨沟道区域的整个表面。顶栅掺杂可被配置成使顶栅可在器件的整个工作期间保持耗尽。这样配置的器件的一个实施例可用于精密高电压应用。
耗尽型顶栅结型场效应晶体管 dtgjfet

[发明专利]用于检测和补偿开关模式电源的主动输出滤波器的系统和方法-CN201110113727.7有效
发明人： S·P·劳尔;R·S·A·菲尔布里克 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了用于检测和补偿开关模式电源的主动输出滤波器的系统和方法。根据一个实施例的用于开关模式电源的控制器包括控制网络和检测网络该开关模式电源将输入电压转换成经调节的输出电压。控制网络形成用于调节输出电压电平的脉冲宽度控制信号。检测网络检测输出电压的相位延迟并且基于相位延迟调整控制网络的操作。可从诸如输出电压或补偿电压之类的包括相移的任何参数确定相位延迟。公开了用于调整控制环路的各种可选方案，包括但不限于增加斜率补偿、调整窗口电阻或窗口电流、增加将调整电流以调整波动电压、调整波动跨导以及调整波动电容。公开了数字和模拟补偿调整方案。
用于检测补偿开关模式电源主动输出滤波器系统方法

[发明专利]带有集成保护器的GaN基功率器件：结构和方法-CN201110108035.3无效
发明人： F·希伯特 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件，例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中，有源器件可以形成在基板之上，而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外，例如在有源区的下方和/或基板内。将箝位结构集成在功率器件的有源区之外可以使给定芯片尺寸的有源面积最大化并提高箝位器件的稳定性，因为电流会通过这种集成而分布于基板中。
带有集成保护 gan 功率器件结构方法

[发明专利]使用信号对消改善天线隔离的系统和方法-CN201110111522.5无效
发明人：陈玮;W·S·哈恩 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H04B7/04 文献下载
摘要：干扰补偿电路可将被害天线与侵害天线隔离开，这使天线看上去就像进一步隔开那样。干扰补偿电路可获得因侵害天线发射而由发射机产生的信号的采样并处理采样以产生干扰补偿信号。所产生的干扰补偿信号可施加于被害天线和接收机之间的信号路径以抑制、消除或以其它方式补偿由从侵害天线传来的信号强加在被害天线上的干扰。干扰补偿信号是通过调节采样的振幅、相位和时延中的至少一个以仿真施加在被害天线上的干扰来产生的。
使用信号对消改善天线隔离系统方法

[发明专利]用于在半导体结构中形成绝缘层的方法及其由此产生的结构-CN201110127022.0无效
发明人： M·D·丘奇 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：公开了一种用于制造半导体结构的电子系统和方法以及一个或多个半导体结构。例如，公开了一种用于制造半导体结构的方法，其包括在半导体基底上形成第一半导体底层结构，在第一半导体底层结构和半导体基底上形成第一分隔层，并且在第一分隔层的至少一部分上形成第二半导体底层结构。
用于半导体结构形成绝缘方法及其由此产生

[发明专利]具有降低功耗的电压电平移动-CN201110120365.4无效
发明人： C·Y·洽;H·J·金 -专利权人： 英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：在一个实施例中，电压电平移动器电路包括配置成连接于高电压供给干线(Vs+)的第一端子、配置成连接于低电压供给干线(Vs-)的第二端子以及输出电压(VOUT)端子。该电压电平移动器还包括补偿电压(VCOMP)节点。附加地，电压电平移动器包括：可构造成多种配置的多个开关；以及控制电路，该控制电路配置成控制开关以在配置的至少一种中使连接于输出电压(VOUT)端子的负载不从低电压供给干线(Vs-)和高电压供给干线(Vs+)汲取任何功率。负载可以是例如显示面板的栅驱动电路，该显示面板例如薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)面板，但不局限于此。
具有降低功耗电压电平移动