专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]气体外漏实时监控系统-CN202210325470.X在审
  • 林志远;陈彦志;纪政孝;潘德烈 - 兆劲科技股份有限公司
  • 2022-03-30 - 2022-07-12 - G01M3/26
  • 本发明提供了一种气体外漏实时监控系统,包括真空装置、排气模块、质量流量控制器和气体外漏侦测器,排气模块与真空装置的排气端耦接,除了利用排气模块将真空装置内的气体排出,还利用质量流量控制器与排气端耦接,接收真空腔体排放后的气体,并控制质量流量作为气体外漏设定值的判断依据,再透过气体外漏侦测器来侦测真空腔体排放后的气体中的水与氧气,若侦测出具有水与氧气,即为气体外漏状态,可实时输出警示讯号,达到气体外漏实时监控的效果。
  • 体外实时监控系统
  • [发明专利]一种发光元件-CN202111657521.0在审
  • 欧政宜;林志远;纪政孝 - 兆劲科技股份有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-04-15 - H01L33/14
  • 本申请提供了一种发光元件,包括由下而上依序形成的:基底、穿隧接面层、下披覆层、下局限层、主动层、上局限层、上披覆层、窗口层及上电极。本发明利用穿隧接面层而使得窗口层及上电极从传统LED的p型转置为本发明的n型,由于n型窗口层的电阻比p型窗口层的电阻小得多,因此本申请发光元件的窗口层具有低电阻从而有更佳的电流分布功效,有效提高了发光效率。又由于n型上电极的电阻比p型上电极的电阻小得多,因此本发明发光元件的n型上电极相对于传统LED的p型上电极而言,更有利于欧姆接触。
  • 一种发光元件
  • [发明专利]一种发光元件-CN202111657525.9在审
  • 林志远;欧政宜;纪政孝 - 兆劲科技股份有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-04-15 - H01L33/10
  • 本公开提供了一种发光元件,包括由下而上利用磊晶技术依序形成有:基底、分布式布拉格反射镜层、下披覆层、主动层、上披覆层及窗口层;其中,分布式布拉格反射镜层具有复数个子分布式布拉格反射镜层而称为多阶分布式布拉格反射镜层,复数个子分布式布拉格反射镜层彼此之间的厚度不同。彼此之间厚度不同的复数个子分布式布拉格反射镜层的组合可以扩展分布式布拉格反射镜层停止带80%高度的波长区间,使得多阶分布式布拉格反射镜层的停止带80%高度的波长区间比使用单阶分布式布拉格反射镜层(只有一个子分布式布拉格反射镜层)的传统发光元件还宽,而使得本发明发光元件的发光总能量及光通量提高。
  • 一种发光元件
  • [发明专利]一种发光元件-CN202111662018.4在审
  • 林志远;欧政宜;纪政孝 - 兆劲科技股份有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-04-15 - H01L33/14
  • 本发明提供了一种发光元件,包括由下而上依序形成的:基底、下披覆层、下局限层、主动层、上局限层、上披覆层、窗口层、穿隧接面层。穿隧接面层包含重掺杂p型层及重掺杂n型层,重掺杂n型层毗邻设置于重掺杂p型层的上方,重掺杂p型层设置于窗口层的上方,通过重掺杂n型层做为欧姆接触层与外部电源接触而有利于欧姆接触。本发明的欧姆接触层其掺杂浓度大于传统LED中的掺杂浓度,因此比传统LED的欧姆接触层电阻还低,而有利于电流横向扩散,发光总能量也大于传统LED,同时本发明的主动层温度也低于传统LED。
  • 一种发光元件
  • [发明专利]一种边射型激光元件-CN202111662184.4在审
  • 欧政宜;林志远;纪政孝 - 兆劲科技股份有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-04-15 - H01S5/028
  • 本公开提供了一种边射型激光元件,包括:基底、n型缓冲层、第一n型披覆层、光栅层、间隔层、下光局限单元、主动层、上光局限单元、p型披覆层、穿隧接面层及第二n型披覆层,穿隧接面层具有阻绝蚀刻过程的继续以将第二n型披覆层成形出预定脊状构造态样的功效。利用穿隧接面层使得一部分的p型披覆层转置成n型披覆层后将EEL元件的串联电阻降低,并使得光场与主动层耦合更趋向在主动层的中间位置以使得主动层的下半部也能够被有效的运用,以及使得光场与该光栅层相距较近,光场/光栅的耦光效率较佳,进而降低临界电流值。
  • 一种边射型激光元件
  • [发明专利]可携式储存装置及其存取控制方法-CN201110062631.2无效
  • 纪政孝 - 纪政孝
  • 2011-03-15 - 2012-09-19 - G11C7/10
  • 本发明涉及一种可携式储存装置,包括第一传输单元、第二传输单元、控制模块及储存单元。储存单元包括通用储存区及限制储存区。第一传输单元及第二传输单元皆连接于控制模块,并分别用于与电脑系统连接以传输数据。控制模块更连接于储存单元,并且根据电脑系统之存取指令存取通用储存区或限制储存区所储存的数据。其中,控制模块接收电脑系统传输的电压,并侦测电压是通过第一传输单元或是第二传输单元传送,以判断第一传输单元或是第二传输单元与电脑系统连接,并根据判断的结果而允许电脑系统对通用储存区或限制储存区所储存的数据进行存取。
  • 可携式储存装置及其存取控制方法

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