专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光记录方法、光记录装置及光记录介质-CN200610153121.5有效
  • 田畑浩;松本郁夫;德井健二;米原和男;下舞贤一 - 日本胜利株式会社
  • 2005-01-26 - 2007-05-23 - G11B7/0045
  • 一种光记录介质,具有:基板;记录层,通过按照记录脉冲图案照射记录光来记录表示记录信息的记录标记,该记录脉冲图案包括:从擦除功率上升、且在比擦除功率大的记录功率和比擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲,以及从最低功率向擦除功率上升的擦除脉冲;在向一次也未记录的未记录部照射再现光时未记录部的反射率设为R0、向未记录部照射了1次具有上述擦除功率的光后照射再现光时未记录部的反射率设为R1、向未记录部照射了10次擦除功率的光后照射再现光时未记录部的反射率设为R10时,光记录介质被初始化成使擦除功率满足下式的结晶状态:1.000<R1/R0<1.030,0.030<R10/R0-R1/R0<0.150。
  • 记录方法装置介质
  • [发明专利]光记录介质-CN200510006742.6有效
  • 松本郁夫;田畑浩;德井健二;米原和男;下舞贤一 - 日本胜利株式会社
  • 2005-01-31 - 2005-08-03 - G11B7/24
  • 提供一种相变型光记录介质,即使加快记录速度也能得到良好的记录特性,还能够维持1次或多次的重写记录特性良好。相变型光记录介质(A)由基板(1、11)和记录层(3、13)组成。在设一次也未记录信息的未记录部的反射率为R0、向那里记录了1次随机图案后的反射率为R1、进而记录了9次随机图案后的反射率为R9的情况下,下述(1)、(2)式成立,1.00<(R1/R0)<1.15…(1);1.05<(R9/R0)<1.20…(2)。
  • 记录介质
  • [发明专利]光记录介质-CN200410100690.4无效
  • 松本郁夫;德井健二;下舞贤一;田畑浩;米原和男 - 日本胜利株式会社
  • 2004-12-08 - 2005-06-15 - G11B7/24
  • 本发明提供即使对L1层进行沟槽内记录也能确保足够的记录特性的光记录介质。用中间贴合层(4)将L0层与L1层进行贴合制成光记录介质D。L1层通过在具有岸台(7L)和沟槽(7G)的基板(7)上依次形成反射膜(6)、记录层(5)而得到。对基板(7)的制作使得:当设通过岸台上表面(7La)的面(7La1)与沟槽的侧壁(7Gb)所成的角度为侧壁角度α1,设在沟槽底面(7Ga)形成的反射膜(6)的厚度为Tb时,满足α1≥cos-1 (20/Tb)的关系。
  • 记录介质
  • [发明专利]光存储介质-CN200410006780.7有效
  • 田畑浩;米原和男 - 日本胜利株式会社
  • 2004-02-26 - 2004-12-01 - G11B7/24
  • 一种光盘,具有衬底、形成于衬底上的第一保护层、形成于第一保护层上的记录层、形成于记录层上的第二保护层以及形成于第二保护层上的反射层。记录层包含表示为(SbxTe1-x)aGebInc的组分,其中原子比为:0.77≤x≤0.84,0.85≤a≤0.95,0.01≤b≤0.10和0.01≤c≤0.10,a+b+c=1。
  • 存储介质

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