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[发明专利]热熔断器及用于热熔断器的金属壳体-CN202110187989.1在审
发明人：赵长才;管榕;谢宏芳 -专利权人：艾默生电气（珠海）有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01H37/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种热熔断器及用于热熔断器的金属壳体，其中，该热熔断器包括：壳体，壳体沿纵向轴线从第一端延伸至第二端，壳体具有内部空间，壳体有内表面和外表面；其中，壳体包括多层金属材料，多层金属材料包括：铜基层；第一镍层，设置在铜基层的第一侧且包括外表面；第二镍层，设置在铜基层的第二侧，第二侧和第一侧相对设置；银层，设置在第二镍层且包括内表面。通过本发明，解决了热熔断器中银含量不合理的问题，达到了在保持热熔断器性能的基础上，优化银含量的效果。
熔断器用于金属壳体

[实用新型]热熔断器-CN202020894904.4有效
发明人：赵长才;管榕;谢宏芳;石炜;赵强;肖国军;林康生 -专利权人：艾默生电气（珠海）有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01H85/143 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种热熔断器，包括：壳体；浮钉，设置在壳体内，浮钉包括浮钉杆和浮钉头；第一套管；弹性部件，设置在壳体内，弹性部件套设在浮钉杆上，弹性部件包括第一端和第二端，第一端与浮钉头相抵接，第二端抵接在第一套管上；其中，弹性部件的弹力曲线满足y＝kxn,n≥1，其中y为弹性部件的弹性力，X为弹性部件的弹性形变的伸长量，K为非零整数。通过本实用新型，解决了相关技术中热熔断器在达到切断温度时不能迅速熔断的问题，使得在一定形变时能产生更大的推力，能够使触点迅速分离从而快速切断电流，避免电路的损坏。
熔断器

[发明专利]热熔断器及热熔断器的生产方法-CN202010450887.X在审
发明人：赵长才;管榕;谢宏芳;石炜;赵强;肖国军;林康生 -专利权人：艾默生电气（珠海）有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01H85/143 文献下载
摘要：本发明提供了一种热熔断器及热熔断器的生产方法，该热熔断器包括：独立线脚和星触片；其中，独立线脚、独立线脚的触点部分、星触片或星触片的触点部分中的至少一个的材质采用如下方式之一：银氧化锡、银氧化锡氧化铟、银氧化锌、银氧化铜氧化镍、银钨、银铈、银碳化钨、银石墨、银镍铈、银铜镍、银镍中的任一种；或，银氧化锡、银氧化锡氧化铟、银氧化锌、银氧化铜氧化镍中的任一种材质与银钨、银铈、银碳化钨、银石墨、银镍铈、银铜镍、银镍中的任一种材质的组合物。通过本发明，热熔断器能够用于更高的电压和电流的电路中，具有更好的抑弧性能，增强了触点的抗熔焊性，降低了触点温度。
熔断器生产方法

[发明专利]热熔断器及热熔断器的生产方法-CN202010233009.2在审
发明人：赵长才;管榕;谢宏芳;石炜;赵强;肖国军;林康生 -专利权人：艾默生电气（珠海）有限公司
申请日： 2020-03-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01H37/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种热熔断器及热熔断器的生产方法，该热熔断器包括：独立线脚和星触片；其中，独立线脚、独立线脚的触点部分、星触片或星触片的触点部分中的至少一个的材质采用如下方式之一：银氧化锡、银氧化锡氧化铟、银氧化锌、银氧化铜氧化镍、银钨、银铈、银碳化钨、银石墨、银镍铈、银铜镍、银镍中的任一种；或，银氧化锡、银氧化锡氧化铟、银氧化锌、银氧化铜氧化镍中的任一种材质与银钨、银铈、银碳化钨、银石墨、银镍铈、银铜镍、银镍中的任一种材质的组合物。通过本发明，热熔断器能够用于更高的电压和电流的电路中，具有更好的抑弧性能，增强了触点的抗熔焊性，降低了触点温度。
熔断器生产方法

[发明专利]热熔断器组件及设备-CN201810762783.5在审
发明人：赵长才;谢宏芳;管榕 -专利权人：艾默生电气(珠海)有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种热熔断器组件及设备，其中，该热熔断器组件包括：与直流电路相连的热熔断器；热熔断器并联有一个电容器或电容器回路，电容器回路由多个电容器串联而成；电容器的电容或电容器回路的总电容满足如下条件：在热熔断器断开的瞬间，直流电路对一个电容器或电容器回路充电，随后，热熔断器与直流电路的触点之间的电压上升，确保直流电路断开。通过本发明，解决了直流电路中热熔断器不能有效切断电路的问题，达到了提高电路安全性的效果。
热熔断器直流电路电容器回路电容器热熔断器组件断开电路安全性电容器串联电压上升切断电路总电容并联触点充电

[发明专利]含吡啶并[2,1,3]噻二唑单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用-CN201280076703.1有效
发明人：周明杰;管榕;李满园;黄佳乐;黎乃元 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含吡啶并[2,1,3]噻二唑单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用，该聚合物具有如下结构式：其中，R₁、R₂分别选自H或C₁至C₁₆的烷基；R₃、R₄分别选自H、C₁至C₁₆的烷基、C₁至C₁₆烷氧基或C₁至C₁₆烷基取代的噻吩基；X为N并且Y为CH，或者X为CH并且Y为N；n为7至80之间的一自然数。以及，该含吡啶并[2,1,3]噻二唑单元的苯并二噻吩类共聚物在聚合物太阳能电池、聚合物有机电致发光、聚合物有机场效应晶体管、聚合物有机光存储、聚合物有机非线性材料或聚合物有机激光中的应用。
吡啶噻二唑单元噻吩共聚物及其制备方法应用

[发明专利]含噻吩并[3,4-b]噻吩单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用-CN201280076702.7有效
发明人：周明杰;管榕;李满园;黄佳乐;黎乃元 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含噻吩并[3,4‑b]噻吩单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用，该聚合物具有如下结构式：其中，R₁、R₂分别选自H或C₁至C₁₆的烷基；R₃、R₄分别选自H、C₁至C₁₆的烷基、C₁至C₁₆烷氧基或C₁至C₁₆烷基取代的噻吩基；R₅选自C₁至C₁₆的烷基；n为7至80之间的一自然数。以及，该含噻吩并[3,4‑b]噻吩单元的苯并二噻吩类共聚物在聚合物太阳能电池、聚合物有机电致发光、聚合物有机场效应晶体管、聚合物有机光存储、聚合物有机非线性材料或聚合物有机激光中的应用。
噻吩单元共聚物及其制备方法应用

[发明专利]含噻吩并吡咯二酮单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用-CN201280076705.0有效
发明人：周明杰;管榕;李满园;黄佳乐;黎乃元 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：含噻吩并吡咯二酮单元的苯并二噻吩类共聚物、其制备方法以及该共聚物在聚合物太阳能电池、有机电致发光、有机场效应晶体管、有机光存储、有机非线性材料或有机激光中的应用。
噻吩吡咯单元共聚物及其制备方法应用

[发明专利]含异吲哚啉-1,3-二酮单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用-CN201280076704.6有效
发明人：周明杰;管榕;李满园;黄佳乐;黎乃元 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含异吲哚啉-1,3-二酮单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用，该聚合物具有结构式(I)。其中，R₁、R₂分别选自H或C₁至C₁₆的烷基；R₃、R₄分别选自H、C₁至C₁₆的烷基、C₁至C₁₆烷氧基或C₁至C₁₆烷基取代的噻吩基；R选自C₁至C₁₆的烷基；n为7至80之间的一自然数。以及，该含异吲哚啉-1,3-二酮单元的苯并二噻吩类共聚物在聚合物太阳能电池、聚合物有机电致发光、聚合物有机场效应晶体管、聚合物有机光存储、聚合物有机非线性材料或聚合物有机激光中的应用。
吲哚单元噻吩共聚物及其制备方法应用

[发明专利]共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201310206993.3无效
发明人：周明杰;管榕;李满园 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种下述通式(P)的共轭聚合物：其中，R₁为C₁～C₁₆的烷基，R₂为C₁～C₁₆的烷基，R₃、R₄分别为H或C₁～C₁₂烷基，n为5～60之间的自然数。本发明还涉及该共轭聚合物的制备方法和应用。本发明的共轭聚合物与现有技术相比，本发明的共轭聚合物将吡咯吲哚并二噻吩类衍生物作为给体单元与强的受体单元硒吩并吡咯二酮通过噻吩侨联共聚，通过给受体间这种“推-拉电子”的相互作用，降低共轭聚合物的能隙，大大提高了材料的光吸收范围。因此，本发明通过选用这两种新型的给体和受体单元，开发了含吡咯吲哚并二噻吩-噻吩-硒吩并吡咯二酮单元这样一类D–п-A型共轭聚合物。
共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201310206496.3无效
发明人：周明杰;管榕;李满园 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种下述通式(P)的共轭聚合物：其中，R₁为C₁～C₁₆的烷基，R₂为C₁～C₁₆的烷基，R₃、R₄分别为H或C₁～C₁₂烷基，n为5～60之间的自然数。本发明还涉及该共轭聚合物的制备方法和应用。本发明的共轭聚合物与现有技术相比，本发明的共轭聚合物将吡咯吲哚并二噻吩类衍生物作为给体单元与强的受体单元呋喃并吡咯二酮通过噻吩侨联共聚，通过给受体间这种“推-拉电子”的相互作用，降低共轭聚合物的能隙，大大提高了材料的光吸收范围。因此，本发明通过选用这两种新型的给体和受体单元，开发了含吡咯吲哚并二噻吩-噻吩-硒吩并吡咯二酮单元这样一类D–п-A型共轭聚合物。
共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201310207001.9无效
发明人：周明杰;管榕;李满园 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种下述通式(P)的共轭聚合物：其中，R₁为C₁～C₁₆的烷基，R₂为C₁～C₁₆的烷基，R₃、R₄分别为H或C₁～C₁₂烷基，n为5～60之间的自然数。本发明还涉及该共轭聚合物的制备方法和应用。本发明的共轭聚合物，将吡咯吲哚并二噻吩类衍生物作为给体单元与强的受体单元吡咯并吡咯二酮通过硒吩侨联共聚，通过给受体间这种“推-拉电子”的相互作用，降低共轭聚合物的能隙，大大提高了材料的光吸收范围。因此，本发明通过选用这两种新型的给体和受体单元，开发了含吡咯吲哚并二噻吩-硒吩-吡咯并吡咯二酮单元这样一类D–п-A型共轭聚合物。
共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201310206523.7无效
发明人：周明杰;管榕;李满园 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有下述通式(P)的共轭聚合物：其中R₁为C₁～C₁₆烷基，R₂、R₃分别为H或C₁～C₁₆烷基，n为5～60之间的自然数。本发明的共轭聚合物本发明的共轭聚合物噻唑是一个接受电子的杂环，其具有吸电子的亚胺氮（C=N）。而噻唑并[5,4-d]噻唑单元更是作为一种具有强吸电子能力的优良受体单元，在光电材料中的应用非常广泛。噻唑并[5,4-d]噻唑单元本身的刚性和共平面稠环结构使得它具有高度拓展的п体系和强的п电子堆积，加上其较高的载流子迁移率，使其在有机发光二极管，有机太阳能电池、场效应晶体管等光电材料中有着广泛的应用。
共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201310206541.5无效
发明人：周明杰;管榕;李满园 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种下述通式(P)的共轭聚合物：其中，R₁为C₁～C₁₇的烷基，R₂为H或C₁～C₁₂烷基，n为5～60之间的自然数。本发明还涉及该共轭聚合物的制备方法和应用。本发明的共轭聚合物与现有技术相比，本发明的共轭聚合物中的2H-二噻吩并苯并三唑与苯并[1,2,3]三唑一样是一种优良的电子受体单元。将噻吩并[3,2-b]噻吩作为给体单元，分别与两受体单元二噻吩并苯并三唑衍生物和苯并[2,1,3]硒二唑共聚，形成D-A-D-A的重复单元。通过给受体间这种“推-拉电子”的相互作用，降低共轭聚合物的能隙，大大提高了材料的光吸收范围。
共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201310206500.6无效
发明人：周明杰;管榕;李满园 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种下述通式(P)的共轭聚合物：其中，R₁为C₁～C₁₆的烷基，R₂为C₁～C₁₆的烷基，R₃、R₄分别为H或C₁～C₁₂烷基，n为5～60之间的自然数。本发明还涉及该共轭聚合物的制备方法和应用。本发明的共轭聚合物，将吡咯吲哚并二噻吩类衍生物作为给体单元与强的受体单元硒吩并吡咯二酮通过噻吩侨联共聚，通过给受体间这种“推-拉电子”的相互作用，降低共轭聚合物的能隙，大大提高了材料的光吸收范围。因此，本发明通过选用这两种新型的给体和受体单元，开发了含吡咯吲哚并二噻吩-噻吩-硒吩并吡咯二酮单元这样一类D–п-A型共轭聚合物。
共轭聚合物及其制备方法应用

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