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[发明专利]一种用于硅衬底抛光的抛光组合物及其制备方法和应用-CN202211504745.2在审
发明人：裴亚利;赵雪振;李瞳;程彦芬 -专利权人：北京航天赛德科技发展有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅衬底抛光的抛光组合物及其制备方法和应用，属于集成电路抛光技术领域。制备方法包括：取胶体二氧化硅分散液，由有机硅化合物与催化剂得到活性硅溶液，将活性硅溶液加入到胶体二氧化硅分散液中，得到在二氧化硅颗粒表面形成包覆膜的混合液；浓缩置换，依次加入氧化剂、表面活性剂、抑泡剂、pH调节剂和水，使最终混合液中含有5‑10wt％的胶体二氧化硅，pH值为10.5‑11.5。本发明通过在二氧化硅颗粒表面包覆纳米膜，能有效减少硅片精抛光过程中的表面划伤。并且通过以氨水为稳定剂，有效减少颗粒结晶，同时不引入新的金属离子，确保了抛光组合物在硅衬底精抛光工序中的应用，并带来更好的抛光和清洗效果。
一种用于衬底抛光组合及其制备方法应用

[发明专利]一种防沉淀的改性二氧化硅及其制备方法和应用-CN201711091631.9有效
发明人：张忆;张周赫;朱晓辉;程彦芬;操应军;李宝德;刘阳 -专利权人：北京航天赛德科技发展有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C09D7/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种防沉淀的改性二氧化硅及其制备方法和应用，属于涂料添加剂领域。所述改性二氧化硅通过改性助剂对二氧化硅基材进行改性制得，所述改性二氧化硅的平均粒径为1‑10μm；其中，包括所述改性助剂包括防沉淀改性助剂，所述防沉淀改性助剂选自丙烯酸类聚合物、聚丙烯酸酯共聚物、多元羧酸类聚合物、聚醚改性的有机硅氧烷、芳烷基改性的有机硅氧烷、有机硅改性聚丙烯酸酯、含高效锚锭基团的高分子聚丙烯酸酯、含颜料亲和基团的嵌段共聚物和改性脲中的一种或几种。本发明的改性二氧化硅，可满足水性涂料和油性涂料中对于二氧化硅的储存性能的应用，避免在长期存储过程中发生沉淀现象影响最终应用效果。
一种沉淀改性二氧化硅及其制备方法应用

[发明专利]一种用于氧化锆陶瓷3D抛光的抛光液及其制备方法-CN201711376011.X有效
发明人：裴亚利;张忆;程彦芬;操应军 -专利权人：北京航天赛德科技发展有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氧化锆陶瓷3D抛光的抛光液及其制备方法,所述抛光液包括如下重量百分含量的组分：二氧化硅胶体10‑50％、分散剂0.01‑0.5％、抗结晶剂0.1‑2％、缓蚀剂0.01‑0.2％、表面活性剂0.01‑0.5％、消泡剂0.01‑0.5％、适量pH调节剂调节pH值在8.5‑11.5，余量为去离子水；其中，二氧化硅胶体粒径为40‑150nm。本发明的抛光液适合利用具有软质刷头的3D扫光机对氧化锆陶瓷3D的曲面或薄片进行抛光，抛光液的粘度值较高，在10‑15cp(厘泊)，可以很好地附着在3D扫光机上盘的软质刷头上，增加与被抛光氧化锆陶瓷的摩擦几率，抛光效率高，氧化锆陶瓷表面通透没有出现发雾状况，表面质量缺陷率极低，从而带来理想的抛光结果。
一种用于氧化锆陶瓷抛光及其制备方法

[发明专利]改性二氧化硅的制备装置和制备方法及其应用-CN201711105697.9在审
发明人：张忆;张周赫;朱晓辉;操应军;李宝德;程彦芬;刘阳 -专利权人：北京航天赛德科技发展有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C09D7/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性二氧化硅的制备方法，在二氧化硅粉末基材中加入硅烷偶联剂溶液，再经过加热去除溶剂后降温制得改性二氧化硅，其中，硅烷偶联剂为氨丙基三乙氧基硅烷或甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷，其加入量为二氧化硅粉末基材质量的0.5～1％。该硅烷偶联剂采用由丙酮、乙醇、水质量比为11～30.2～0.8混合的混合溶剂溶解，该硅烷偶联剂与混合溶剂的质量比为4～61。且硅烷偶联剂溶液是以匀速分散的方式加入到二氧化硅粉末基材输送气流中的，制备得到的改性二氧化硅粒度均匀、孔结构稳定、纯度高，用作皮革制品的消光剂使用时，其消光效率提高5％～20％，消光效果优异。本发明还公开了改性二氧化硅的制备装置，结构简单，操作方便。
改性二氧化硅制备装置方法及其应用

[发明专利]硅溶胶及其制备方法-CN201510303370.7有效
发明人：裴亚利;操应军;李宝德;程彦芬 -专利权人：北京航天赛德科技发展有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C01B33/141 文献下载
摘要：本发明涉及硅溶胶及其制备方法，所述硅溶胶的二氧化硅含量为10‑50重量％(基于硅溶胶的重量计)；硅溶胶在酸性体系下的pH值为1.0‑5.0，在碱性体系下的pH值为8.5‑11.5；粒径为40‑150nm，其中硅溶胶颗粒比表面积与粒径存在如下关系S/DS2＝0.0040‑0.0675，其中S以m2/g计，Ds以纳米计。本发明的硅溶胶纯度高且稳定性高。
硅溶胶及其制备方法

[发明专利]一种超疏水改性二氧化硅的制备方法-CN201510956261.5有效
发明人：张忆;李春山;张周赫;刘阳;操应军;李宝德;程彦芬 -专利权人：北京航天赛德科技发展有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水改性二氧化硅的制备方法，包括如下步骤①在混合器中加入原料A(二氧化硅基材，干粉)，保持混合状态，将原料C(超疏水改性用助剂，由质量比为1.5％乙酸水溶液异丙醇＝1～34～10的比例混合而成)雾化后均匀喷入混合器中，保持搅拌；②将原料B(疏水改性剂，采用有机硅烷偶联剂)雾化后，均匀喷入混合器中，保持搅拌；③老化；④超细粉碎，获得成品。上述制备方法处理工序少、能耗低、可满足工业化大生产要求，且制得的超疏水改性二氧化硅粒度均匀、孔结构稳定、疏水效果稳定。经上述制备方法制备的超疏水二氧化硅作为消光剂，可赋予涂料超强疏水性能，且成膜涂层颗粒排列均一，光泽柔和。
一种疏水改性二氧化硅制备方法

[发明专利]一种UV固化涂料用消光剂的制备方法-CN201310627382.6有效
发明人：操应军;李宝德;张忆;裴亚利;靳桂姻;刘阳;程彦芬 -专利权人：北京航天赛德科技发展有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C09D7/12 文献下载
摘要：发明公开了一种UV固化涂料用消光剂的制备方法，包括：先在反应器中加入质量比为5～40%的无机酸溶液，保持搅拌;将质量比为5～50%的碱金属无机硅酸盐溶液加热后再与60-90%份的终产物要求的蜡乳液同时加入到反应器中，pH值控制在0.5～5.5;保持搅拌升温至95～100℃，保温0.5～4小时，进行老化；老化完的物料进行洗涤、喷雾干燥获得粗产物;将剩余的10-40%份蜡乳液雾化，在92～100℃下使其与粗产物充分混合，保温1～6小时；混合均匀的物料经超细粉碎至平均粒径为3～5μm，且终产物的灼烧减量为22～24%。该方法制备的消光剂粒度均匀、孔结构稳定、质量稳定，且该消光剂用在UV固化涂料中消光性能优良，对UV涂料体系粘度改变较小，利于涂料成膜。
一种 uv 固化涂料用消光剂制备方法

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