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- [发明专利]一种具有全温度范围补偿特性的基准源-CN201410426268.1有效
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周泽坤;王霞;石跃;吴刚;王卓;张波
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电子科技大学
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2014-08-27
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2014-11-26
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G05F1/567
- 本发明属于模拟集成电路技术领域,具体涉及一种具有全温度范围补偿特性的基准源。本发明的基准源,包括电流源产生电路、低温补偿电路、高温补偿电路和一阶基准源电路;其中,电流源产生电路产生的偏置电压分别连接到低温补偿电路的第一输入端和一阶基准源电路的第一输入端;低温补偿电路的第二输入端接负温电压,其输出端接一阶基准源电路的第二输入端;高温补偿电路的输入端接正温电压,其输出端接一阶基准源电路的第三输入端;一阶基准源电路的输出端输出基准电压。本发明的有益效果为,具有较小温度系数的基准电压;由于整体电路未使用BJT管和电阻,使得芯片面积大大减小,同时基准源的整体功耗降低。本发明尤其适用于基准源。
- 一种具有温度范围补偿特性基准
- [发明专利]一种无电阻全温补偿非带隙基准源-CN201410424577.5有效
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周泽坤;吴刚;石跃;王霞;艾鑫;王卓;张波
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电子科技大学
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2014-08-26
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2014-11-19
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G05F1/567
- 本发明涉及模拟集成电路技术领域。本发明的非带隙基准源,包括正温度系数电流源模块、负温度系数电流源模块、基准电压产生模块、高温补偿电流产生模块和低温补偿电流产生模块;其中,正温度系数电流源模块产生第一偏置电压接基准电压产生模块的一个输入端;正温度系数电流源模块产生第二偏置电压分别接高温补偿电流产生模块的第一输入端和低温补偿电流产生模块的第一输入端;负温度系数电流源模块产生第三偏置电压分别接高温补偿电流产生模块的第二输入端和低温补偿电流产生模块的第二输入端;高温补偿电流产生模块的输出端和低温补偿电流产生模块的输出端接基准电压产生模块的输出端。本发明能够分别对基准源电路在低温段及高温段进行补偿。
- 一种电阻补偿非带隙基准
- [发明专利]一种高阶温度补偿基准源-CN201410424227.9有效
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周泽坤;吴刚;石跃;王霞;芮松鹏;王卓;张波
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电子科技大学
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2014-08-26
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2014-11-19
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G05F1/567
- 本发明涉及模拟集成电路技术领域,具体涉及一种高阶温度补偿基准源。本发明的基准源包括正温系数电流模块、负温系数电流模块和基准电压产生模块;正温系数电流模块和负温系数电流模块的输入端接电源VIN;正温系数电流模块的输出端接基准电压产生模块的第一输入端,负温系数电流模块的输出端接基准电压产生模块的第二输入端,基准电压产生模块的输出端输出基准电压。本发明的有益效果为,输出基准源相比传统的带隙基准源具有更高的精度;且相比传统的高阶补偿带隙基准源,本发明实现的高精度基准源的电路结构更加简单,受工艺的影响更小。本发明尤其适用于带隙基准电路。
- 一种温度补偿基准
- [发明专利]一种高精度多输出电压缓冲器-CN201410315712.2有效
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王卓;赵倬毅;石跃;张瑜;孙亚东;周泽坤;张波
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电子科技大学
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2014-07-03
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2014-10-08
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G05F3/26
- 本发明涉及集成电路技术领域,具体的说是涉及一种高精度多输出电压缓冲器。本发明通过常规的方法将运算放大器的反相输入端与输出端相连,输出了一个高精度电压,然后在该输出电压的基础上加上一个工作在线性区的NMOS管的漏源电压VDS和一个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压VGS,然后再减去另外一个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压VGS和另外一个工作在线性区的NMOS管的漏源电压VDS,同时使得这两个工作在线性区和饱和区的NMOS管的漏源电压分别相等,这样加上和减去的VGS与VDS可以抵消,实现了另外一个高精度的输出电压。本发明的有益效果为,使用一个运算放大器,实现了输出多个高精度的电压。本发明尤其适用于电压缓冲器。
- 一种高精度输出电压缓冲器
- [发明专利]一种用于低电源电压的电流镜-CN201410315510.8有效
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王卓;赵倬毅;石跃;董渊;柯普仁;周泽坤;张波
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电子科技大学
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2014-07-03
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2014-10-08
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G05F3/26
- 本发明涉及集成电路技术领域,具体的说是涉及一种电流镜。本发明电流镜,其特征在于,该电流镜由PMOS管MP1、MP2,NMOS管MN1,电容C1、C2,电阻R1,输入电流源,输出端电流源和偏置电流源构成;其中,MP1的源极接电源VCC,其栅极接MP2的栅极,其漏极接输入电流源的正极;输入电流源的负极接地VSS;MN1的漏极接电源VCC,其栅极接输入电流源的正极,其源极接偏置电流源的正极,其衬底通过R1接MP1栅极与MP2栅极的连接点;MP1的源极与MN1的漏极的连接点依次通过C1、C2接MN1栅极与输入电流源正极的连接点;MP2的源极接电源VCC,其漏极接输出电流源的正极。本发明的有益效果为,适合在低电源电压下使用;同时还提高了电流镜的PSR。本发明尤其适用于电流镜电路。
- 一种用于电源电压电流
- [发明专利]一种高压线性稳压器-CN201410187286.9有效
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周泽坤;柯普仁;石跃;董渊;赵倬毅;王卓;明鑫;张波
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电子科技大学
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2014-05-06
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2014-07-30
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G05F1/56
- 本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种高压线性稳压器。本发明的高压线性稳压器,通过引入相对地的电路结构,由电阻R4和齐纳二极管D1串联形成的支路并联PMOS管MP5和NMOS管MN12串联的电路支路,本发明采用的齐纳管的击穿电压为6V,所以NMOS管MN10及MN9的源极即与二极管D1连接的点电位在高压情况下被嵌位到“高电压-6V”,较高的电压有效地保护了调整管的栅极。与现有的LDO相比,对启动过程以及瞬态响应过程中调整管的栅极进行保护且抑制高压条件下误差放大器中MOS器件的沟道长度调制效应,减少了高压器件的使用,缩小了LDO面积,提升了高压LDO的性能。本发明尤其适用于高压线性稳压器。
- 一种高压线性稳压器
- [发明专利]一种用于GaN功率器件的驱动电路-CN201410157766.0有效
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周泽坤;王霞;吴刚;石跃;孙亚东;明鑫;王卓;张波
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电子科技大学
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2014-04-18
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2014-07-09
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H02M1/08
- 本发明涉及集成电路技术领域,具体的说是涉及一种用于GaN功率器件的驱动电路。本发明的一种用于GaN功率器件的驱动电路,其特征在于,包括高通道驱动模块、低通道驱动模块、GaN FET管Q1、Q2;高通道驱动模块采用高通道电源电压HB和高通道地电位HS,输出端与Q1的栅极连接,低通道驱动模块采用电源电压VDD和地电位VSS,输出端与Q2的栅极连接;GaN FET管Q1的漏极连接外部电压VIN、源极与Q2的漏极连接。本发明的有益效果为,有效防止自举电容两端电压超过GaN FETs的栅源最大限制电压,克服了由GaN FETs无体二极管而导致在死区时间内自举电路过度充电,造成高端FET易受损的问题。本发明尤其适用于GaN功率器件的驱动电路。
- 一种用于gan功率器件驱动电路
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