专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]传感器模块-CN201980018074.9有效
  • R·施泰纳万哈;S·富雷尔;M·普卢斯;U·巴尔奇 - 盛思锐股份公司
  • 2019-02-28 - 2023-10-20 - G01N33/00
  • 一种传感器模块,包括:主传感器单元(1),用于感测第一环境参数;从传感器单元(2),用于感测第二环境参数;共同基板(3),所述主传感器单元(1)和所述从传感器单元(2)安装在所述共同基板上;以及数字总线接口(4),用于所述主传感器单元(1)与所述从传感器单元(2)之间的通信。所述主传感器单元(1)包括用于存储所述主传感器单元(1)和所述从传感器单元(2)的校准数据和配置数据的非易失性存储器(12)。所述主传感器单元(1)被实施为第一芯片,并且所述从传感器单元(2)被实施为第二芯片。这种传感器模块是紧凑的、鲁棒的和通用的。
  • 传感器模块
  • [发明专利]半导体芯片-CN201880032215.8有效
  • M·斯图德;R·沃斯特;M·默茨;G·范斯滕韦克;D·库贝尔;C·库明 - 盛思锐股份公司
  • 2018-05-17 - 2023-07-25 - B81C1/00
  • 本发明的各方面涉及半导体芯片,包括衬底(1)和布置在衬底(1)上的叠层(4)。叠层(4)包括一个或更多个绝缘层(2)和一个或更多个金属层(3)。芯片包括布置在半导体芯片的传感器区域(SA)中的传感器装置(5)和布置在半导体芯片的处理区域(PA)中的处理电路(6)。芯片还包括连接电路(7),其配置为在传感器装置(5)和处理电路(6)之间提供电连接。第一密封环结构(10)布置在芯片的外边缘(ED)和芯片的内部区域(IA)之间。芯片的内部区域(IA)包含传感器区域(SA)和处理区域(PA)。第二密封环结构(11)布置在传感器区域(SA)和处理区域(PA)之间,且配置为限制污染物从传感器区域(SA)到处理区域(PA)的渗透。
  • 半导体芯片
  • [发明专利]颗粒物传感器装置-CN202211128644.X在审
  • 弗兰克·古特莱;乌尔里希·莱登贝里耶;泽利科·姆尔查里察;斯特凡·科斯特纳;斯特凡·蒂勒 - 盛思锐股份公司
  • 2018-03-13 - 2023-01-06 - G01N15/06
  • 本申请涉及颗粒物传感器装置,其包括:封围件(21),其包括流入口(11)、流出口(12)和在流入口(11)与流出口(12)之间延伸的流通道(2);辐射源,其用于将辐射发射到流通道(2)中以在气溶胶样品的流(20)被导引通过流通道(2)时使辐射与该流(20)中的颗粒物相互作用;辐射检测器(4),其用于检测所述辐射中的在与颗粒物相互作用之后的至少一部分辐射。传感器装置包括流修正装置(511),其设置在辐射检测器(4)的上游和/或辐射源(3)的上游用于修正流(20)以降低颗粒物到辐射检测器(4)上的、和/或到辐射源(3)上的、和/或者到位于检测器(4)和/或源(3)附近的通道壁部段上的沉淀。本发明还涉及使用该颗粒物传感器装置来确定气溶胶样品中的颗粒物的参数的方法。
  • 颗粒传感器装置
  • [发明专利]颗粒物传感器装置-CN201880000211.1有效
  • 弗兰克·古特莱;乌尔里希·莱登贝里耶;泽利科·姆尔查里察;斯特凡·科斯特纳;斯特凡·蒂勒 - 盛思锐股份公司
  • 2018-03-13 - 2022-10-14 - G01N15/14
  • 本申请涉及颗粒物传感器装置,其包括:封围件(21),其包括流入口(11)、流出口(12)和在流入口(11)与流出口(12)之间延伸的流通道(2);辐射源,其用于将辐射发射到流通道(2)中以在气溶胶样品的流(20)被导引通过流通道(2)时使辐射与该流(20)中的颗粒物相互作用;辐射检测器(4),其用于检测所述辐射中的在与颗粒物相互作用之后的至少一部分辐射。传感器装置包括流修正装置(511),其设置在辐射检测器(4)的上游和/或辐射源(3)的上游用于修正流(20)以降低颗粒物到辐射检测器(4)上的、和/或到辐射源(3)上的、和/或者到位于检测器(4)和/或源(3)附近的通道壁部段上的沉淀。本发明还涉及使用该颗粒物传感器装置来确定气溶胶样品中的颗粒物的参数的方法。
  • 颗粒传感器装置
  • [发明专利]用于测量气体浓度的传感器-CN201880022975.0有效
  • S·巴尔奇;D·埃格利;P·杜蒙德 - 盛思锐股份公司
  • 2018-03-29 - 2022-06-24 - G01N27/12
  • 本公开涉及一种用于测量环境空气样本中的目标气体的气体浓度的传感器。传感器包括第一气敏组件、第二气敏组件和加热元件,第一气敏组件包括设置在第一对测量电极之间的第一气敏层,第二气敏组件(120)包括设置在第二对测量电极(之间的第二气敏层,加热元件(135)用于加热第一气敏层和第二气敏层。第一气敏组件被配置为测量第一浓度带中的、目标气体的气体浓度,第二气敏组件被配置为测量第二浓度带中的、目标气体的气体浓度。传感器被配置为在相应的过渡状态中运行以测量第一浓度带和第二浓度带。过渡状态位于扰动状态和饱和状态之间。过渡状态的特征在于对目标气体的灵敏度高于扰动状态和饱和状态对目标气体的灵敏度。
  • 用于测量气体浓度传感器
  • [实用新型]电化学气体传感器-CN202122965929.6有效
  • 迈克尔·菲舍尔 - 盛思锐股份公司
  • 2021-11-29 - 2022-05-10 - G01N27/447
  • 一种用于检测目标气体的电化学气体传感器包括基板(2)和壳体(1),该壳体至少与基板(2)一同形成空腔(10)。空腔(10)中预设有电解液以及用于固定电解液的元件(8)。基板(2)上的电极(6)与电解液接触。空腔(10)至少包括第一子容积(V1)、第二子容积(V2)和第三子容积(V3)。在此元件(8)被布置在第一子容积(V1)中。相对于第一子容积(V1)布置第二子容积(V2),使得超出固定在元件(8)中的电解液的量的电解液的部分至少部分地注入第二子容积(V2)。第二子容积(V2)至少由壳体(1)中的毛细管(K)定义,以将电解液的超量部分留在第二子容积(V2)并阻挡其涌入第三子容积(V3)中。
  • 电化学气体传感器
  • [实用新型]用于探测目标气体的电化学气体传感器-CN202122100431.3有效
  • M·费舍尔;S·布朗 - 盛思锐股份公司
  • 2021-09-02 - 2022-04-19 - G01N27/407
  • 本实用新型涉及一种用于探测目标气体的电化学气体传感器,所述电化学气体传感器具有基板以及壳体,所述壳体至少与基板一起形成空腔。至少一个电极和与所述电极相连接的导体电路设置在基板的面向空腔的侧面上。所述导体电路在基板与壳体之间被引导穿过。在空腔中设有电解质并且所述电解质与所述至少一个电极接触。所述基板具有对于目标气体能穿透的进入区域,所述进入区域至少部分地被所述至少一个电极覆盖。此外,所述基板具有用于从空腔中排出气体的排气区域。按照本实用新型的电化学气体传感器能利用简单的方案来排气。
  • 用于探测目标气体电化学传感器
  • [发明专利]光声气体传感器设备-CN202080056381.9在审
  • L·伯基;T·优林格;W·恒泽克尔 - 盛思锐股份公司
  • 2020-07-30 - 2022-03-18 - G01N21/1702
  • 一种用于确定指示气体中组分的存在或浓度的值的光声气体传感器设备,包括封住测量体积(3)的测量单元格(2)和测量单元格(2)中用于让气体进入测量体积(3)的透气区域(4)。电磁辐射源(7)被布置为将电磁辐射(8)发射到测量体积(3)中,并且压力感测器(6)被布置为测量响应于测量体积(3)中的组分对电磁辐射(8)的吸收而由组分生成的声波(9)。一方面,透气区域(4)由多孔透气膜(5)表示,多孔透气膜(5)的平均孔尺寸在10nm和1pm之间。在另一方面,透气区域(4)由测量单元格(2)的包含洞(211)的区域表示,该洞穿过测量单元格(2)的其它气密材料,洞(211)的直径在100nm和10μm之间。
  • 声气传感器设备
  • [发明专利]超表面光检测器-CN202080048370.6在审
  • A·多洛德尼;A·洛赫鲍姆;J·莱乌托尔德;L·伯基;S·格拉芙 - 盛思锐股份公司
  • 2020-06-19 - 2022-02-15 - H01L31/0224
  • 一种光检测器包括基板(5),以及由基板(5)支持的被配置为充当光学谐振器并吸收频带的入射辐射,特别是红外辐射的构造(6)。构造(6)包括:面向入射辐射的谐振前侧结构(4);背侧结构(1),并且布置在前侧结构(4)和基板(5)之间;以及活性材料(3)的层,由半导体材料制成的并且被配置为将频带的入射辐射的至少一部分转换为电荷载流子。前侧结构(4)和背侧结构(1)中的至少一个由导电材料制成。前侧结构(4)和背侧结构(1)中的一个或多个与活性材料(3)接触。构造(6)被配置为选择性地吸收频带的入射辐射。与活性材料(3)接触的前侧结构(4)和背侧结构(1)中的一个或多个通过电触点(7)接触以感测活性材料(3)中的电荷载流子。活性材料(3)包括非晶或多晶材料。
  • 表面光检测器

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