专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]TFT及其制造方法、驱动电路和显示装置-CN201510680211.9有效
  • 崔贤植;田正牧 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2015-10-19 - 2018-10-23 - H01L29/786
  • 本发明公开了一种TFT及其制造方法、驱动电路和显示装置,属于显示领域。包括:栅极;在所述栅极上形成有栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成有第一极,所述第一极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极不重叠;在所述第一极上形成有半导体层,所述半导体层在所述栅极所在层的正投影与所述栅极部分重叠;在所述半导体层上形成有第二极,所述半导体层分别与所述第一极、所述第二极连接,所述第二极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极重叠;其中,所述第一极与所述第二极形成高度差。本发明能够解决显示装置的集成度较低的问题,本发明能够实现在提高开态电流的情况下,保证显示装置的集成度的有益效果,本发明用于显示装置的制造。
  • tft及其制造方法驱动电路显示装置
  • [发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510719680.7有效
  • 严允晟;林允植;崔贤植;李会;田正牧 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2015-10-29 - 2016-11-30 - G02F1/1343
  • 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板包括:衬板和形成在所述衬板上的电极图形;所述电极图形包括多个条状电极;所述衬板的上表面具有多个条状凸起,所述多个条状电极中的至少一部分条状电极对应形成在各个条状凸起上;各个条状电极的延伸方向与各个条状凸起的延伸方向具有夹角,所述夹角适于使配向膜摩擦方向沿各个条状凸起的延伸方向。本发明提供的阵列基板,在进行配向膜的摩擦时,可以顺着条状凸起的延伸方向进行,从而避免条状凸起处的段差对摩擦得到的夹角的影响,避免由此导致的漏光现象。
  • 阵列及其制作方法显示装置
  • [实用新型]移位寄存器单元和显示装置-CN201620110021.3有效
  • 郑皓亮;韩承佑;姚星;崔贤植;商广良;韩明夫;林允植;田正牧;董学 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2016-02-03 - 2016-09-07 - G09G3/20
  • 本实用新型提供了一种移位寄存器单元和显示装置。所述移位寄存器单元包括:第一上拉节点控制模块;输出模块以及第一下拉节点控制模块所述移位寄存器单元还包括:第二上拉节点控制模块,用于当所述下拉节点的电位为高电平时下拉所述上拉节点的电位;下拉模块;以及,反向偏置控制模块,用于在每一显示周期的反向偏置阶段,控制所述第二上拉节点控制模块包括的晶体管和/或所述下拉模块包括的晶体管处于反向偏置状态。本实用新型通过反向偏置控制模块在反向偏置阶段控制第二上拉节点控制模块包括的晶体管和/或下拉模块包括的晶体管处于反向偏置状态,对受到应力严重的晶体管进行反向偏置,降低上述晶体管的阈值漂移。
  • 移位寄存器单元显示装置
  • [实用新型]薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置-CN201320384439.X有效
  • 严允晟;田正牧 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-06-28 - 2013-11-13 - H01L29/786
  • 本实用新型公开一种薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置,为解决现有结构中薄膜晶体管延伸至像素电极下方与像素电极相连,导致薄膜晶体管在背光照射下产生漏电现象的问题而设计。所述薄膜晶体管像素结构,包括:栅线、薄膜晶体管及位于像素区域的像素电极;所述薄膜晶体管位于所述栅线的上方;所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分,延伸至所述栅线上方与所述薄膜晶体管相连。本实施例显示装置,包括上述的阵列基板。本实用新型中,像素电极与薄膜晶体管连接的区域位于栅极对应的区域内,从而避免了背光照射薄膜晶体管导致漏电现象导致显示不良的问题,具有性能好、生产良率高、结构简单、制作简便且制作成本低等优点。
  • 薄膜晶体管像素结构阵列以及显示装置
  • [实用新型]一种像素电极结构、阵列基板及显示装置-CN201220611097.6有效
  • 林允植;田正牧 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2012-11-16 - 2013-06-12 - G02F1/1343
  • 本实用新型涉及一种像素电极结构及包括该像素电极结构的阵列基板和显示装置,属于显示技术领域。为了消除ADS驱动模式下的显示技术中经常出现的色偏现象,本实用新型所提供的像素电极结构中,所述蓝色子像素电极单元中电极大小与电极间距的比例设置为大于所述红色子像素电极单元及绿色子像素电极单元,由此使得蓝色像素的像素电极的隙缝设计得与红色像素及绿色像素不同,即将其设计得具备有较高的透过率,从而克制红光像素的透过率过大,解决在中间色调中因折射率的各向异性增加而导致的透过区域内出现的偏黄的色偏现象,进而可以制作出画质优秀的半透半反式LCD。
  • 一种像素电极结构阵列显示装置

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