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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于调整半导体晶体管的驱动电流的方法和装置-CN201280052476.9有效
发明人：杨志坚;王平川;冯凯棣;爱德华·J·小浩斯泰特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H03K17/30 文献下载
摘要：本发明公开了用于修复晶体管的方法和装置，包括：给PFET的源极施加第一电压，给PFET的栅极施加第二电压，以及给PFET的漏极施加第三电压达预定时间。其中第一电压大于第二电压，并且第二电压大于第三电压。本发明人已经确定，通过施加这些电压，被捕获于栅极电介质内的空穴将会减少。以此方式，可以修复半导体结构或者使其恢复至或接近最初的操作特性。另一种实施例是通过给NFET的漏极施加第一电压、给NFET的栅极施加第二电压以及给NFET的源极施加第三电压达预定时间来修复NFET晶体管的方法和装置。第一电压大于第二电压，而第二电压大于第三电压。如同在第一实施例中所示出的，本发明的目的是修复晶体管。在NFET的情形中，电子在正常的操作期间聚积于栅极电介质上。通过按照所描述的方式来施加电压，可以修复晶体管以使其在处于或接近于最初的规范下操作。
用于调整半导体晶体管驱动电流方法装置

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