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[发明专利]数据传输接口、方法、装置、电子设备及计算机存储介质-CN202310565807.9在审
发明人： 熊立双;王傅磊;刘顺;刘东;姚炜 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F3/16 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种数据传输接口、方法、装置、电子设备及计算机存储介质，其中数据传输接口包括：第一时钟线，用于传输帧时钟信号，帧时钟信号用于指示每一帧传输信号的起始位，传输信号包括数据信号和控制信号；第二时钟线，用于传输位时钟信号，其中，位时钟信号的上升沿和下降沿中的一个用于指示传输信号为数据信号，另一个用于指示传输信号为控制信号；数据线，用于传输传输信号，传输信号中包括交替存在的数据信号和控制信号。本申请实施例提供的数据传输接口既可以传输数据信号又可以传输控制信号，从而在需要进行数据信号和控制信号传输时，仅占用一个数据传输接口即可，能够显著减少数据传输所占用的接口资源。
数据传输接口方法装置电子设备计算机存储介质

[发明专利]设备控制方法、系统、电子设备和计算机存储介质-CN202310566999.5在审
发明人： 熊立双;王傅磊;刘顺;刘东;姚炜 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H04L69/24 文献下载
摘要：本申请公开一种设备控制方法、系统、电子设备和计算机存储介质；应用于控制设备的设备控制方法包括：确定信号帧的起始信号沿与时钟信号对应的比特位置；根据比特位置，向至少一个受控设备发送信号帧和时钟信号，时钟信号指示至少一个受控设备根据起始信号沿解析信号帧。本申请通过设置控制信号中的部分信号组成控制指令，由其余部分控制信号将控制信息传输至受控设备，能够代替受控设备中的寄存器，在对不同受控设备进行相同控制操作的过程中，无需发送不同的指令，提高了设备的控制效率。
设备控制方法系统电子设备计算机存储介质

[发明专利]音频功放电路、方法、芯片和电子设备-CN202310071778.0在审
发明人：刘东;姚炜;熊立双;娄声波 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请公开一种音频功放电路、方法、芯片和电子设备，音频功放中，系统管理模块用于将电源电压转换为数字电压和阈值信号，得到数字电压和阈值信号；限幅模块用于根据阈值信号调整音频信号的幅值；动态调整模块用于根据数字电压和调整信号动态调整直流变换器的变换电压和变换电流，并确定数模转换器对应的第一增益和功率放大器对应的第二增益；直流变换器用于在变换电压和变换电流对应的工作状态下根据电源电压为功率放大器供电；数模转换器用于采用第一增益对所述调整信号进行数模转换；功率放大器用于采用第二增益放大模拟信号。本申请能够提高对应的音频播放效果。
音频功放电路方法芯片电子设备

[发明专利]一种半导体表面制备自交联有机聚合物的方法-CN201910087448.4有效
发明人：刘阳;熊立双;董梦雅;杭弢;吴蕴雯;高立明;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面制备自交联有机聚合物的方法，该方法包括：半导体基底表面接枝；水解反应；退火处理。该方法采用重氮盐表面接枝技术，将含有氰基的单体接枝到半导体表面，然后通过水解反应，氰基水解为酰胺基与羧基，最后退火过程中羧基与酰胺基脱水缩合，基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。
一种半导体表面制备交联有机聚合物方法

[发明专利]一种芯片温度传感器电路和音频功率放大器-CN202210288027.X在审
发明人：刘康奇;周佳宁;刘东;熊立双 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片温度传感器电路和音频功率放大器，该电路中的数字逻辑控制单元用于输出第一控制信号；第一控制信号用于控制温度采样单元中相应电流源调整电路的通断；温度采样单元用于输出第一采样电压和第二采样电压；缓冲比较放大单元用于根据第一采样电压和第二采样电压，得到温度采样电压；数字逻辑控制单元用于根据温度采样单元分别处于不同状态下温度采样电压对应的数字电压信号进行作差处理以消除芯片温度传感器电路的斜率偏差，得到芯片的温度；也即，本申请提供的芯片温度传感器电流，抵消了由于工艺偏差导致的温度检测不准确问题，也能够避免单点校准方式仅能校准直流偏差，无法温度传感器本身的斜率偏差，校准精度差的问题。
一种芯片温度传感器电路音频功率放大器

[发明专利]一种半导体表面制备共聚交联有机聚合物的方法-CN201910088159.6有效
发明人：刘阳;熊立双;董梦雅;杭弢;吴蕴雯;高立明;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C08F292/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面制备共聚有机聚合物薄膜的方法，该方法包括：A1：半导体基底表面共聚接枝：将所述半导体基片放置于含氰基乙烯基类单体和羧基乙烯基类单体的接枝溶液进行接枝反应，接枝后，大多数氰基自发水解为酰胺基；A2：退火处理，对所述步骤A1所得样品进行退火处理，保温温度为150～300℃，保温时间为30～180min，得到含有酰亚胺结构的聚合物薄膜。本发明在半导体基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。
一种半导体表面制备共聚交联有机聚合物方法

[发明专利]一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法-CN201910087483.6有效
发明人： 熊立双;刘阳;杭弢;吴蕴雯;高立明;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法，该方法包括：A1：聚合物表面预处理，将聚合物薄膜放置于预处理溶液中，在20～25℃下静置10～90min；A2：聚合物表面生长纳米钯颗粒，将所述步骤A1所得产物放置于纳米金属钯颗粒生长溶液中，在50～80℃下静置30～60min。本发明只需要两步简单的操作即可在聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒，而且也不要复杂、精密设备，在大气环境下即可操作，因此本发明有效地节约了成本。
一种聚合物薄膜表面生长纳米金属颗粒方法

[发明专利]一种聚合物薄膜表面化学镀的方法-CN201910088158.1有效
发明人： 熊立双;刘阳;杭弢;吴蕴雯;高立明;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23C18/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法，包括：A1：将聚合物薄膜放置于功能化溶液中，在20～25℃温度下静置接枝10～120min，使得所述聚合物薄膜表面接枝吡啶基团；A2：将所述步骤A1所得样品放置于活化溶液中，在20～25℃温度条件下持续搅拌5～30min；A3：将所述步骤A2所得样品放置于化学镀液中，调节至预设温度，持续搅拌15～45min。本发明将聚合物表面接枝了吡啶基团，吡啶基团能为活性离子提供化学吸附位点，吡啶基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用，从而使聚合物薄膜在活化后具有催化活性的表面，进而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。
一种聚合物薄膜表面化学方法

[发明专利]一种聚合物薄膜表面化学镀的方法-CN201910087446.5有效
发明人： 熊立双;刘阳;杭弢;吴蕴雯;高立明;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23C18/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法，该方法包括:首先将聚合物薄膜表面功能化，使得所述聚合物薄膜表面接枝硝基苯基团；然后将硝基苯基团还原为苯胺基团；再将还原为苯胺基团的聚合物薄膜放置于含有氢氟酸的活化溶液中进行活化，得到具有催化活性的表面；最后进行化学镀操作。本发明将聚合物表面接枝了硝基苯基团，并将其还原成苯胺，苯胺基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用，从而使聚合物薄膜在活化后得到具有催化活性的表面，从而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。本发明通过设计表面功能化步骤解决了聚合物表面能低、不能成为催化表面的问题，并且避免表面粗化、表面等离子体处理带来的负面影响。
一种聚合物薄膜表面化学方法

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