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[发明专利]用于等离子处理腔室的低倾斜度边缘环-CN200980135297.X有效
发明人：畅训·李;迈克尔·D·威尔沃思;焕·阮 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中，用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体，所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面，所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁，所述内径壁具有主要壁与次要壁，所述主要壁与次要壁由实质水平岸部分隔。主体还包括顶表面，所述顶表面具有外倾斜顶表面，所述外倾斜顶表面与内倾斜表面会合于尖端。内倾斜表面与垂直于主体的中线的线之间所界定的角度小于约70度。
用于等离子处理倾斜度边缘

[发明专利]用于等离子处理腔室的低倾斜度边缘环-CN201210418026.9有效
发明人：畅训·李;迈克尔·D·威尔沃思;焕·阮 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中，用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体，所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面，所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁，所述内径壁具有主要壁与次要壁，所述主要壁与次要壁由实质水平岸部分隔。主体还包括顶表面，所述顶表面具有外倾斜顶表面，所述外倾斜顶表面与内倾斜表面会合于尖端。内倾斜表面与垂直于主体的中线的线之间所界定的角度小于约70度。
用于等离子处理倾斜度边缘