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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蓄电设备-CN202310011228.X在审
发明人： 渡部大树 -专利权人：泰星能源解决方案有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01M50/533 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在施加了冲击、振动的情况下也抑制在电极极耳的连接部侧屈曲部产生损伤而极耳组中的电阻增加等不良情况的蓄电设备。蓄电设备(1)的电极极耳(32A)具有在极耳厚度方向(TH)上屈曲的屈曲部(34A、35A)，构成极耳组(38A)的多个电极极耳(32A)中的至少任意一个具有屈曲部(34A、35A)中的位于最靠近极耳连接部(33A)侧的位置的连接部侧屈曲部(34A)的极耳宽度(L2)小于在极耳宽度方向内侧(WH1)包括直接或者经由其他的电极极耳(32A)与电极端子(50)接合的接合部(33Ay)在内的极耳连接部(33A)的极耳宽度(L1)(L2＜L1)的形态。
设备

[发明专利]太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法-CN202210586160.3在审
发明人： 渡部大树;片山博贵 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池(10)，包括：设置在结晶硅衬底(11)的第一主面上的n型第一非晶硅层(13)；设置在第一非晶硅层(13)的第一主面上的非晶氧化硅层(14)；和设置在非晶氧化硅层(14)的第一主面上的n型微晶硅层(15)。第一非晶硅层(13)、非晶氧化硅层(14)和微晶硅层(15)中的氧原子浓度在厚度方向在非晶氧化硅层(14)中具有最大值。
太阳能电池以及制造方法

[发明专利]二次电池-CN202080087094.4在审
发明人：川村渥史;渡部大树;松井雄;户出晋吾 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：二次电池具备：多个正极，该正极具有正极芯体和配置在该正极芯体上的正极活性物质；多个负极，该负极具有负极芯体和配置在该负极芯体上的负极活性物质；1片以上的隔膜；以及粘接剂，其以面积密度成为大致恒定的方式涂布在隔膜的至少厚度方向的一侧面。二次电池包含正极和负极隔着隔膜交替地层叠而成的层叠部，层叠部的层叠方向的外侧的粘接剂中的已粘接的粘接部分的面积大于层叠部的层叠方向的内侧的粘接剂中的已粘接的粘接部分的面积。
二次电池

[发明专利]二次电池及其制造方法-CN202110804176.2在审
发明人： 渡部大树;松井雄;西田晶 -专利权人：泰星能源解决方案有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明提供二次电池及其制造方法。二次电池包括：包含主体部和从主体部沿着第一方向突出的电极端子部的极板、和与极板粘接的间隔件，极板的主体部包含：位于第一方向的中央附近的中央区域、在第一方向上相对于中央区域位于接近电极端子部的一侧的第一区域、在第一方向上相对于中央区域位于第一区域的相反侧的第二区域，第一区域中的极板与间隔件的每单位面积的粘接强度比第二区域中的极板与间隔件的每单位面积的粘接强度要高。
二次电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法-CN201780079486.4在审
发明人： 渡部大树;山田裕之;瀬能未奈都;鹤田晋教 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：i型层(72)被形成在晶体半导体基板的一个表面侧。n型层(78)或p型层(74)被形成在i型层(72)上，且包含导电型的杂质。TCO(76)被形成在n型层(78)或p型层(74)上。比n型层(78)或p型层(74)中的远端部分(90)更靠近TCO(76)的近端部分(92)的密度小于远端部分(90)的密度。
太阳能电池单元远端晶体半导体导电型基板近端制造

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