专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210412049.2在审
  • 陈志濠;沈依如 - 嘉和半导体股份有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中半导体元件包含半导体叠层、绝缘结构、电极结构及保护层。绝缘结构设置于半导体叠层之上,且包含第一部分。第一部分包含第一开口,且第一开口暴露出绝缘结构的内侧壁。保护层设置于内侧壁与电极结构之间,且包含第二开口。其中,电极结构包含属材料。电极结构设置于第一开口中且接触保护层,并经由第二开口电性连接半导体叠层。绝缘结构包含第一材料,保护层包含第二材料,第二材料与金属材料之间的反应温度高于第一材料与金属材料之间的反应温度。
  • 半导体元件及其制作方法
  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210377055.9在审
  • 陈志濠;沈依如 - 嘉和半导体股份有限公司
  • 2022-04-11 - 2023-10-24 - H01L29/778
  • 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中半导体元件包含基板、半导体叠层、绝缘结构以及电极。半导体叠层设置于基板之上,且包含二维电子气区域。绝缘结构设置于半导体叠层之上,且包含第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层包含第一开口,第一开口暴露出第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层设置于第一绝缘层之上,且覆盖住第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层包含第二开口,位于第一开口内且暴露出第二绝缘层的第二内侧壁。第二绝缘层包含阶梯轮廓,且阶梯轮廓的梯缘重合第二内侧壁。电极设置于绝缘结构之上,且位于第二开口内。
  • 半导体元件及其制作方法

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