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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]温度不敏感性永磁体设计-CN202310093665.0在审
发明人：吴学奎;黄梓铭;赵宇姣;梁志伦 -专利权人：香港大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：一种减少温度敏感性MRI永磁体阵列组合件包含：由具有特定温度系数和磁化方向的稀土磁体材料构成的第一海尔贝克阵列(Halbacharray)；以及由不同的稀土磁体材料构成的第二海尔贝克阵列，所述第二海尔贝克阵列与所述第一海尔贝克阵列交错以形成所述组合件。所述第二海尔贝克阵列的温度系数不同于所述第一海尔贝克阵列的温度系数，并且磁化方向彼此相反，使得所述组合件的温度诱导的变化减少，使得使用所述组合件的MRI系统(B0)中的主静磁场的温度诱导的变化减少。在第二实施例中，使用复合离散磁性材料元件来形成阵列。每种复合材料的元件具有温度系数和彼此相反的磁化方向，使得所述组合件的温度诱导的变化减少。
温度不敏感性永磁体设计

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