专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件的接合构件-CN202180063458.X在审
  • 福井彰;福井俊惠 - 株式会社半导体热研究所
  • 2021-06-28 - 2023-06-13 - B23K35/14
  • 一种接合构件10,其为用于接合半导体器件20与基板30的接合构件10,所述接合构件10具备:热应力缓和层11,其由Ag、Cu、Au和Al中的任意者形成;第1Ag钎焊材料层12,其设置于热应力缓和层的接合有半导体器件一侧、且将Ag和Sn作为主成分;第2Ag钎焊材料层13,其设置于热应力缓和层的接合有基板一侧、且将Ag和Sn作为主成分;第1阻隔层14,其设置于热应力缓和层与第1Ag钎焊材料层之间、且由Ni和/或Ni合金形成;和,第2阻隔层15,其设置于应力缓和层与第2Ag钎焊材料层之间、且由Ni和/或Ni合金形成,所述接合构件10的功率循环试验后的接合构件导热率为200W/m·K以上。
  • 半导体器件接合构件

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