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[发明专利]结合X射线计量数据集合以改进参数评估的方法及系统-CN202080028145.6有效
发明人： C·利曼;A·A·吉里纽;A·V·舒杰葛洛夫;柳孙澈 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明呈现用于基于在关键过程步骤之前及之后的测量数据测量复杂半导体结构的方法及系统。在一些实施例中，所述测量是基于x射线散射测量数据。在一个方面中，测量是基于将经结合测量数据拟合到所述经测量结构的简化几何模型。在一些实施例中，所述经结合测量数据由所述关键过程步骤之前的经测量衍射图案从所述关键过程步骤之后的经测量衍射图案的减法确定。在一些实施例中，所述简化几何模型仅包含受所述关键过程步骤影响的特征。在另一方面中，测量是基于经结合数据集合及经训练信号响应计量(SRM)模型。在另一方面中，测量是基于在所述关键过程步骤之后的实际测量数据及在所述关键过程步骤之前的经模拟测量数据。
结合射线计量数据集合改进参数评估方法系统

[发明专利]多模型计量-CN201811510247.2有效
发明人：金仁教;李新;利奥尼德·波斯拉夫斯基;列-关·里奇·利;曹孟;柳孙澈;山邦·帕克;安德烈·V·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示是关于多模型测量。本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。产生具有浮动与固定临界参数的变化的组合及对应所模拟光谱的多个模型。每一模型经产生以基于从未知结构收集的光谱而确定此些未知结构的一个或多个临界参数。基于参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关，所述参考数据包含多个临界参数中的每一者的多个已知值及对应已知光谱。针对使用计量工具从未知结构获得的光谱，选择并使用所述模型中的不同模型来基于如下操作而确定所述未知结构的所述临界参数中的不同临界参数：基于所述参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关。
模型计量

[发明专利]多模型计量-CN201480052525.8有效
发明人：金仁教;李新;利奥尼德·波斯拉夫斯基;列-关·里奇·利;曹孟;柳孙澈;山邦·帕克;安德烈·V·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。产生具有浮动与固定临界参数的变化的组合及对应所模拟光谱的多个模型。每一模型经产生以基于从未知结构收集的光谱而确定此些未知结构的一个或多个临界参数。基于参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关，所述参考数据包含多个临界参数中的每一者的多个已知值及对应已知光谱。针对使用计量工具从未知结构获得的光谱，选择并使用所述模型中的不同模型来基于如下操作而确定所述未知结构的所述临界参数中的不同临界参数：基于所述参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关。
模型计量