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[发明专利]氧同位素的浓缩方法-CN201380049562.9有效
发明人：神边贵史;林田茂;五十岚健大 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2013-10-01 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B01D59/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种氧同位素的浓缩方法，该氧同位素的浓缩方法在大量蒸馏作为原料的一氧化氮的情况下，无需定期地大量补充作为原料的一氧化氮，能够以少量的液体NO塔藏量来浓缩氧同位素，而不会使氧同位素的分离效率下降。通过使将氢加入到由第一蒸馏装置(11)生成的氧同位素被粗浓缩的氧中而获得的水和从第二蒸馏装置(12)排出的一氧化氮进行化学交换，获得氧同位素的浓度提高的一氧化氮和氧同位素的浓度下降的水，向第二蒸馏装置(12)供给氧同位素的浓度提高的一氧化氮，并且使通过电解氧同位素的浓度下降的水而得到的氧回流到第一蒸馏装置(11)中。
同位素浓缩方法

[发明专利]一种Cu₂ZnSnS₄的水热制备法及其Cu₂ZnSnS₄材料和用途-CN201210103197.2有效
发明人：宰建陶;陈福昆;钱雪峰;黄守双;徐淼;林田茂;浅野直纪 -专利权人：上海交通大学;日立化成工业株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cu2ZnSnS4的水热制备法及其Cu2ZnSnS4材料和用途。所述方法包括(1)以毫摩尔表示物质的量，以2∶1∶1∶x的毫摩尔比例分别将铜盐、锌盐、锡盐、和还原剂与硫源一起加入到聚四氟乙烯反应釜中，然后加入水溶解，以配成浓度为0.01-0.5M的溶液，其中，x是还原剂的量，x＝1-5；所述硫源的量是所述铜盐、锌盐、锡盐之和的1-20倍；(2)在反应温度100-200℃下，反应1-24小时之后，将产物分离制得Cu2ZnSnS4材料。本发明操作步骤简单，反应迅速，成本低廉，制得的Cu2ZnSnS4纳米材料纯相且粒径小，可用于太阳能吸收层材料和太阳能电池。
一种 cu sub znsns 制备及其材料用途

[发明专利]光化学反应装置和使用光化学反应装置的同位素浓缩方法-CN201280007933.2无效
发明人： 林田茂;神边贵史;佐藤哲也;五十岚健大;久世宏明 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2012-01-23 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明的光化学反应装置具有：透光性反应用容器（21），通过激光使供给至内部的工艺气体进行光化学反应；金属镜（19），以包围透光性反应用容器（21）的方式配置在透光性反应用容器（21）的外侧，并反射激光；和低温恒温器（11），其为容纳透光性反应用容器（21）、金属镜（19）以及极低温液体（12）的结构，通过极低温液体（12），将金属镜（19）的温度维持在极低温。
光化学反应装置使用同位素浓缩方法

[发明专利]密封材料-CN200780022693.2无效
发明人：阿部智信;土屋茂;林田茂 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C09K3/10 文献下载
摘要：本发明的密封材料用于密封高压气体供给设备中所使用的阀或配管，由含有磁性粒子的高分子材料形成。另外，判定本发明的密封材料的劣化、损伤的方法中，使用上述密封材料作为用于密封高压气体供给设备中的阀或配管的密封材料，测定该密封材料的磁力，由此判定密封材料的劣化、损伤。
密封材料

[发明专利]具有连接器的盒体及其制造方法-CN200780007106.2有效
发明人：铃木祥和;石丸明;铃木智清;林宏直;林田茂;厨川修;小林伊织;中西健辅;高桥亨;山河雄辉;住田雅纪 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社松尾制作所
申请日： 2007-03-01 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01R13/648 文献下载
摘要：提供一种具有连接器的盒体，其与树脂连接器一体地形成，且能以少量的工序制造。所述连接器盒体(10)包括外壳(20)、树脂连接器(30)和沿连接器(30)的外周边延伸的接地端子(40)。从接地端子(40)向后延伸的端子侧固定部压接到或压制在外壳侧固定部(22)上。在将外壳(20)和接地端子(40)放置到用于树脂连接器(30)的注塑成型的铸模中后封闭铸模时，形成在铸模上的压制部将端子侧固定部压向外壳侧固定部(22)，以将端子侧固定部压接到或压制在外壳侧固定部(22)上。结果，在连接器(30)的注塑成型的工序中，接地端子(40)被同时固定到外壳(20)上。可以少量的工序制造具有固定到外壳(20)上的接地端子(40)的连接器盒体(10)。
具有连接器及其制造方法

[发明专利]氧同位素的浓缩方法-CN200680029706.4有效
发明人：木原均;林田茂;神边贵史;川上浩;荒井重义 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： B01D59/50 文献下载
摘要：本发明的氧同位素的浓缩方法将¹⁷O浓缩工序和/或¹⁸O减少工序与浓缩氧同位素的氧蒸馏工序相组合而进行，其中，¹⁷O浓缩工序和/或¹⁸O减少工序利用了通过激光所实现的臭氧光解反应。此时，优选进一步进行同位素转换工序。此外，进行¹⁷O浓缩工序和¹⁸O减少工序两者时，先进行任意一个都可以，这些工序也可以任意在氧蒸馏工序的前后进行。进一步地，优选对上述氧蒸馏工序、¹⁷O浓缩工序、¹⁸O减少工序以及同位素转换工序中的至少一种工序进行两次以上。根据本发明，可以在工业规模下将丰度比非常小的氧稳定同位素¹⁷O和¹⁸O有效地浓缩成高浓度。
同位素浓缩方法

[发明专利]氧同位素的浓缩方法及浓缩装置-CN200680009919.0有效
发明人：巽泰郎;林田茂 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： B01D59/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种即使用气体稀释臭氧后稀释气体会固化的条件下也能够保持小的臭氧浓度，稳定含有氧稳定同位素¹⁷O及¹⁸O的臭氧并选择性地进行光分解而形成氧，从而有效且连续地浓缩该氧中的¹⁷O及¹⁸O的方法及装置。在臭氧光分解工序(13)中，对CF₄和臭氧的混合气体照射光，将包含在该臭氧中的、含有特定氧同位素的臭氧的同位素异构体选择性地分解为氧。在收集工序(31)中收集获得的混合气体后，在氧同位素浓缩工序(14)中通过低温蒸馏将该混合气体中的氧从未分解的臭氧及CF₄中分离，在分离的氧中浓缩所述氧同位素。
同位素浓缩方法装置

[发明专利]氧同位素浓缩方法-CN200480005725.4无效
发明人： 林田茂 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2004-03-02 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： B01D59/34 文献下载
摘要：一种浓缩氧同位素方法，该方法包括用特定的光照射臭氧，从而选择性地分解包含氧同位素的臭氧，并且将通过臭氧分解形成的氧和未分解的臭氧分离，以浓缩所分离出的氧中的氧同位素。一种浓缩氧同位素的系统，该系统包括设备(11)，用于从原料氧形成臭氧；臭氧分离设备(12)，用于分离臭氧形成设备中形成的臭氧和原料氧；臭氧光解离设备(13)，用于用特定波长的光照射臭氧分离设备(12)分离出的臭氧，以选择性地分解分子中包含氧同位素的臭氧；以及氧分离设备，用于通过臭氧分解将臭氧光解离设备(13)中形成的氧和未分解的臭氧分离，从而浓缩氧中的氧同位素。这种方法可以用简单和便利的设备系统来实行稳定的氧同位素
同位素浓缩方法

[发明专利]汽液接触器和低温气体分离装置以及气体分离方法-CN99126942.X无效
发明人： 林田茂;水原均;川上浩 -专利权人：日本酸素株式会社
申请日： 1999-12-28 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： F25J3/02 文献下载
摘要：在用于沿着填充物的表面下落液体并使得该液体与上升的蒸气接触的汽液接触器(4a)中，所述填充物为非增强流体分配型结构填充物(A₁和A₂)，其中确定上述液体或蒸气流动方向的各种薄片或管在垂直方向被层压和布置，所述接触器包括至少一个由大致分配液体的粗分配部分(C₁、C₂)和精确并等量地分配液体的精分配部分(B₁、B₂)形成的液体分配单元(E₁、E₂)。
接触器低温气体分离装置以及方法

[发明专利]用聚酰亚胺制造的光学元件-CN96110858.4无效
发明人：山岸智明;佐佐木范;奈良茂男;佐藤任廷;林田茂;田谷昌人 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 1996-07-26 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：满足下述要求当中的要求(a)、(b)和(c)的聚酰亚胺、满足要求(b)、(c)、(d)的聚酰亚胺和满足要求(a)、(b)、(c)、(d)的聚酰亚胺具有卓越的透明性、各向同性和抗断裂性能(在多层膜的形成过程中没有断裂生成，这样，多层膜的形成就比较容易，即，聚酰亚胺具有优良的加工性能)，并且能够赋予光学元件以卓越的光学特性：(a)TE模和TM模的折射率差值为0.02或更小，(b)玻璃化温度(Tg)为250℃或更高，(c)在波长0.7至1.6μm处的光透射损失为1dB/cm或更少，和(d)氟含量为0-22.6％重量或更少。
聚酰亚胺制造光学元件

[发明专利]气体的分离纯化方法及其装置-CN01805349.1无效
发明人：川井雅人;中村章宽;长坂彻;林田茂 -专利权人：日本酸素株式会社
申请日： 2001-10-19 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：是利用PSA过程能够效率良好地回收作为半导体制造装置等的保护气体使用的氪或氙等高价的气体的气体分离纯化方法。在以含有高价的气体的混合气体为原料气体，利用压力变动吸附分离法将上述高价的气体分离纯化的方法中，作为上述压力变动吸附分离法，通过组合基于平衡吸附量差分离气体成分的平衡压力型变动吸附分离法和基于吸附速度差分离气体成分的速度型压力变动吸附分离法，将上述高价的气体分离纯化。
气体分离纯化方法及其装置

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