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- [发明专利]磁制冷装置及制冷循环装置-CN202080099771.4有效
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殿冈俊;小笠原敦;松田哲也
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三菱电机株式会社
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2020-04-20
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2023-10-20
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F25B21/00
- 本发明提供一种能够抑制装置的大型化、复杂化、高成本化的磁制冷装置及制冷循环装置。磁制冷装置(100)具备磁热材料(20)、第一配管(61)、第二配管(62)、磁场产生部(30)及切换部(40)。第一配管(61)从箭头(51)所示的第一制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。第二配管(62)从与第一制冷剂方向不同的第二制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。磁场产生部(30)能够对磁热材料(20)施加磁场。切换部(40)通过由磁场产生部(30)产生的磁场来切换第一状态和第二状态。在第一状态下,制冷剂从第一配管(61)向磁热材料(20)供给。在第二状态下,制冷剂从第二配管(62)向磁热材料(20)供给。
- 制冷装置循环
- [发明专利]磁制冷装置-CN202080102906.8有效
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小笠原敦;殿冈俊;松田哲也
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三菱电机株式会社
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2020-07-17
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2023-10-13
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F28D7/04
- 磁制冷装置(100)具备磁热容器(1)、磁场产生装置(8)、高温侧热交换器(11)、低温侧热交换器(12)和泵(13)。在磁热容器(1)中填充有磁热材料(2)。泵(13)构成为能够以在高温侧热交换器(11)与低温侧热交换器(12)之间经由磁热容器(1)往返的方式输送热输送介质(4)。磁热容器(1)具有构成为在同一平面上卷起涡旋的涡旋形状,且构成为使由泵(13)输送的热输送介质(4)沿着涡旋形状流动。
- 制冷装置
- [发明专利]压装功率半导体模块用弹簧电极-CN201780094212.2有效
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藤田重人;松田哲也
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三菱电机株式会社
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2017-08-31
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2023-08-25
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H01L23/48
- 本发明的目的在于针对压装功率半导体模块,提供在半导体芯片短路时防止导电通路的断线的弹簧电极。本发明的压装功率半导体模块用弹簧电极(101)具有:第1电极(11),其与功率半导体芯片接触;第2电极(12),其与第1电极(11)相对配置;以及压垫(13),其连接第1电极(11)以及第2电极(12),在第1电极(11)以及第2电极(12)的相对面的法线方向上具有挠性,第1电极(11)以及第2电极(12)的相对面是大于或等于五边形的多边形,第1电极(11)的相对面的各边和与这些边对应的第2电极(12)的相对面的各边通过压垫(13)并联连接。
- 功率半导体模块弹簧电极
- [发明专利]磁热泵及磁制冷循环装置-CN202080100993.3在审
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小笠原敦;殿冈俊;松田哲也
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三菱电机株式会社
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2020-05-28
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2023-01-31
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F25B21/00
- 磁热泵(100)具备磁热构件(1)、叶轮(2)、变形构件(3)、框体(4)、电动机(5)及磁场产生部(6)。叶轮(2)具有在相对于中心轴(CA)的周向上排列形成并收容磁热构件(1)的收容室(2C)。变形构件(3)面向收容室,并且形状独立地变化。在框体(4)形成有收容磁热构件、叶轮及变形构件并供热输送介质流通的内部空间、第一流入口(P1)以及在周向上与第一流入口隔开间隔地配置的第一流出口(P2)。电动机(5)使磁热构件、叶轮及变形构件沿在周向上从第一流入口朝向第一流出口的第一方向(A)一体地旋转。磁场产生部(6)在内部空间中的在第一方向上从第一流入口到达第一流出口的第一区域产生沿着第一方向增强的磁场。变形构件的形状伴随着旋转而独立地变化。收容室的容积伴随着变形构件的形状的变化而独立地增减。收容室位于第一区域时的容积比收容室位于第二区域时的容积及收容室位于在第一方向上位于比第一流出口靠前的位置的第三区域时的容积大。
- 磁热泵制冷循环装置
- [发明专利]半导体模块-CN201680089135.7有效
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藤田重人;松田哲也
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三菱电机株式会社
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2016-09-13
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2022-08-16
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H01L25/07
- 本发明的目的在于提供对半导体芯片短路时的电流路径的断开以及电弧放电的产生进行抑制的半导体模块。本发明涉及的半导体模块(100)具备:至少1个半导体芯片(2);框体(5),其对半导体芯片(2)进行收容;以及至少1个压力部件(10),其配置在半导体芯片(2)的上部电极(2a)与设置于框体(5)的上侧电极(3)之间,将上部电极(2a)与上侧电极(3)电连接,压力部件(10)具有弹性,压力部件(10)具备:导电块(12);以及板簧部件(11),其具备电流路径(11a、11b),所述电流路径(11a、11b)以使得导电块(12)的至少一部分进入所述电流路径(11a、11b)之间的方式彼此相对。
- 半导体模块
- [发明专利]半导体装置-CN201980102108.2在审
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藤田重人;松田哲也
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三菱电机株式会社
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2019-11-15
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2022-07-08
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H01L25/07
- 半导体装置(100)具有绝缘部(4)、第1电极(11)、第2电极(12)、第1母线(21)、第2母线(22)和多个半导体芯片(3)。绝缘部(4)将多个半导体芯片(3)包围。第1电极(11)被压接于多个半导体芯片(3)。第2电极(12)与第1电极(11)在第1方向上夹着多个半导体芯片(3)。第2电极(12)被压接于多个半导体芯片(3)。第1母线(21)与第1电极(11)连接。第2母线(22)与第2电极(12)连接。第1母线(21)与第2母线(22)在与第1方向交叉的第2方向上夹着绝缘部(4)。
- 半导体装置
- [发明专利]磁场测定方法及磁场测定装置-CN201680081122.5有效
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松田哲也;山本和男
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三菱电机株式会社
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2016-08-22
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2020-12-18
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G01R33/02
- 目的在于提供一种高精度地确定具备多个线圈的组合线圈的线圈间中心位置的磁场测定方法。本发明的磁场测定方法的特征在于,包括:第一径向磁场测定步骤,通过配置在从线圈轴(3)分离的偏置位置的磁场测定元件(2),在偏置位置处测定沿着与线圈轴(3)平行的偏置轴(旋转轴(4))的第一径向磁场;第二径向磁场测定步骤,在偏置位置处,通过旋转了设定角度的磁场测定元件(2),测定沿着偏置轴的第二径向磁场;以及中心位置确定步骤,基于第一径向磁场的偏置轴方向的特性即第一径向磁场特性(磁场分布(64))和第二径向磁场的偏置轴方向的特性即第二径向磁场特性(磁场分布(65))来确定线圈间中心位置。
- 磁场测定方法装置
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