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[实用新型]静态随机存储单元及半导体元件-CN200420093325.0无效
发明人：李文钦;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本实用新型提供一种静态随机存储单元及半导体元件。该半导体元件包括一个主动区和一个绝缘区。主动区位于基板内，包括一个半导体材料。绝缘区也位于基板内，在主动区旁边，包括一个绝缘材料。主动区与绝缘区形成一个具有阶梯落差的表面。该半导体包括在该阶梯落差上形成的介电材料，该介电材料的介电常数大于8。本实用新型提供的静态随机存储单元及半导体元件，具有较低的待命电流和功耗，并可降低隧穿电流和栅极的注入离子向外扩散。
静态随机存储单元半导体元件

[实用新型]半导体装置及静电放电保护电路-CN200420077282.7无效
发明人： 杨育佳;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种半导体装置，包括一电阻器，形成于一半导体层中，例如一位于绝缘层上有硅层(SOI)基底上方的硅层；一本体区，形成于一部分的半导体层中并掺杂有一第一导电性(例如n型或p型)；一第一接触区，形成于半导体层并邻近本体区，其亦掺杂有一第一导电性；一第二接触区，形成于半导体层中并藉由本体区隔开第一接触区；一介电层，位于本体区上方，其由介电常数大于8的材料所形成；一电极，位于介电层上方。
半导体装置静电放电保护电路

[实用新型]具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构-CN200420049908.3无效
发明人： 杨育佳;陈豪育;曹训志;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-21 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；多个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及多个抗凹蚀区(recess－resistantregion)，个别地设置于未为此些半导体岛所遮蔽的该绝缘层内。
具有抗凹蚀绝缘半导体结构

[实用新型]具多厚度绝缘层上半导体的结构-CN200420084955.1无效
发明人：杨富量;陈豪育;杨育佳;卡罗司;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具多厚度的绝缘层上半导体的结构，提供一晶圆，此晶圆具有重叠位于基材上的埋入绝缘层上的一半导体膜(具有至少两区域)。覆盖半导体膜至少两区域中的一者，以提供具有一第一厚度的至少一半导体膜覆盖部分，保留暴露半导体膜至少两区域中的至少一者，以提供具有第一厚度的至少一半导体膜暴露部分。在一实施例中，至少一暴露半导体膜部分的至少一部分进行氧化，以提供至少一部分氧化、暴露半导体膜部分。接着，此暴露半导体膜的氧化部分被去除，而保留具有小于第一厚度的第二厚度的半导体膜的一部分。
厚度绝缘上半导体结构

[实用新型]半导体鳍式元件的接触窗-CN200420084373.3无效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体鳍式元件的接触窗(Fin DeviceContact)，此半导体鳍式元件的接触窗是位于半导体鳍的上表面、两侧壁表面、及/或至少一端表面上，而与半导体鳍式元件的源极/漏极之间具有相当大的接触面积。
半导体元件接触

[实用新型]半导体组件-CN200420049603.2无效
发明人：柯志欣;杨育佳;李文钦;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种半导体组件，此半导体组件的结构包括：一栅极介电层，覆盖于一通道区上；一源极区及一汲极区，位于该通道区的对称侧，其中通道区包含有第一半导体材料而源极区及汲极区包含有第二半导体材料；一闸电极，覆盖于栅极介电层上；以及一第一间隔物及一第二间隔物，形成于闸电极两侧上，其中此些间隔物各包含有邻近于该通道区的一空隙(void)。
半导体组件

[实用新型]鳍状的半导体二极管结构-CN200420084915.7无效
发明人： 杨育佳;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种鳍状的半导体二极管结构，此结构包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件与一第二导电件。半导体鳍状体位于半导体基材上方，半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域与掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域与第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体两侧，第一导电件接触于第一重掺杂区域，第二导电件接触于第二重掺杂区域。上述的第一重掺杂区域与第二重掺杂区域之间可更包括有一轻掺杂区域。
半导体二极管结构

[实用新型]绝缘层上有半导体的晶片-CN200420048384.6无效
发明人： 杨育佳;王屏薇;陈豪育;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型是一种绝缘层上有半导体的晶片，其包含复数个多重栅极晶体管在一绝缘层之上。至少一个该些多重栅极晶体管包括：一具有朝第一方位排列的半导体鳍片、一闸电极形成于邻近该半导体鳍片的一沟道区部分上、以及一源极区与一漏极区位于该半导体鳍片中，使该沟道区处于该源极区与漏极区之间，其中该沟道区经掺杂以形成一第一导电型。该源极区与漏极区经掺杂以形成一异于该第一导电型的第二导电型。每一半导体鳍片更包含有一蚀刻罩幕在该些半导体鳍片上。
绝缘层上有半导体晶片

[实用新型]半导体芯片-CN200420084399.8无效
发明人：柯志欣;李文钦;杨育佳;林俊杰;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-16 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一半导体芯片，包含一半导体基底，其设置有第一及第二有源区。一电阻是形成于第一有源区，且该电阻是包含一掺杂区形成于两端点之间。一应变型沟道晶体管是形成于第二有源区，该晶体管包含一第一及第二应力源，其形成于与一应变型沟道区相对毗邻的基底。
半导体芯片

[实用新型]使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器-CN200420059368.7无效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种使用多栅极晶体管的互补式金属氧化物半导体晶体管反向器，该互补式金属氧化物半导体晶体管反向器包含：至少一第一多栅极晶体管，该第一多栅极晶体管包含一第一源极连接至一电源供应器，一第一漏极连接至一输出端，以及一第一栅极电极；至少一第二多栅极晶体管，该第二多栅极晶体管包含一第二源极连接至一接地端，一第二漏极连接至该输出端，以及一第二栅极电极；以及一输入端，连接至该第一栅极电极与该第二栅极电极。
使用栅极晶体管互补金属氧化物半导体反向

[实用新型]应变半导体覆绝缘层型基底-CN200420049975.5无效
发明人： 杨育佳;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构。首先提供一标的晶片和一施体晶片，施体晶片包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶片黏着标的晶片的表面后，将应变半导体层自施体晶片分离，使应变硅层黏结至标的晶片。
应变半导体绝缘基底

[实用新型]具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构-CN200420049930.8无效
发明人： 杨育佳;林俊杰;李文钦;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构。此晶体管结构包括一具有应变沟道区的基底，该基底包含第一自然晶格常数的第一半导体材料，于一表面，一栅极介电层覆盖此应变沟道区，一栅极电极覆盖此栅极介电层，且一源极区与漏极区位于此应变沟道区的相对邻近处，此源极区与/或漏极区包含一晶格不相称区，该晶格不相称区包含第二自然晶格常数的第二半导体材料，此第二自然晶格常数与第一自然晶格常数相异。
具有晶格不相称应变沟道晶体管结构

[发明专利]浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法-CN200410056848.2有效
发明人： 杨育佳;林本坚;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法。该光刻系统由一个光学表面、一个与光学表面的一部分接触且pH值小于7的浸润流体、以及一个上表面形成有光阻层的半导体结构所构成，其中该光阻层的部分表面与浸润流体接触。此外，本发明还提供一种对上表面形成有光阻层的半导体结构的照光方法，包括以下步骤：首先，在光学元件和光阻层之间注入pH值小于7的浸润流体；接着，使光线穿过浸润流体照射到光阻层上，其中该光线的波长以小于450纳米为佳。本发明提供的光刻系统和照光方法，不仅提高了分辨率，还能避免浸润流体污染光阻层或光学透镜。
浸润光刻系统有光半导体结构方法

[实用新型]具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元-CN200420049981.0无效
发明人： 杨育佳;胡正明;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元，包括：一下拉晶体管，具有第一栅极电极和位于其两侧的第一岛状半导体层，第一岛状半导体层包括第一源极、第一漏极和与第一栅极电极垂直的x个条形第一开口；分别位于第一岛状半导体层的两侧与第一源极和第一漏极连接的第一、第二接触窗插塞；一存取晶体管，具有第二栅极电极和位于其两侧的第二岛状半导体层，第二岛状半导体层包括第二源极和第二漏极，和与第二栅极电极垂直的y个条形第二开口；分别位于第二岛状半导体层的两侧并与第二源极和第二漏极连接的第三、第四接触窗插塞；x和y为大于1的整数。借由多重栅极晶体管改变晶体管的沟道宽度，提高下拉晶体管和存取晶体管的β比值。
具有多重栅极晶体管静态随机存取存储单元

[实用新型]半导体组件-CN200420050741.2无效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-05-08 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种半导体组件，其结构包括：一累积模式(accumulation mode)多重闸晶体管，其中上述累积模式多重闸晶体管包括：至少一半导体鳍部，位于一绝缘层上，其中该半导体鳍部分别含有具有第一掺杂类型之一源极、一汲极以及一沟道区；一闸介电层，位于上述沟道区上；以及一多重闸电极，于上述闸介电层上。
半导体组件