专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法和电子装置-CN201110127816.7无效
  • 川岛纪之;村瀬英寿;胜原真央 - 索尼公司
  • 2011-05-17 - 2011-11-30 - H01L51/40
  • 本发明公开了薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管和电子装置。所述制造方法包括如下步骤:在基板上形成栅极电极;在所述栅极电极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层;利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分,形成有机半导体图形;以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。所述薄膜晶体管包括:基板;形成在所述基板上的栅极电极;形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层;利用激光烧蚀方法在所述栅极绝缘层上形成的有机半导体图形;以及形成在所述有机半导体图形上的源极电极和漏极电极。本发明能够容易且稳定地制造出低电阻的顶接触型薄膜晶体管,能够实现薄膜晶体管的高性能化和易制造化。
  • 薄膜晶体管制造方法电子装置
  • [发明专利]光加工方法及掩模-CN201010125021.8无效
  • 城崎友秀;松井俊辅;七瀬信五;村瀬英寿 - 索尼公司
  • 2010-03-01 - 2010-09-08 - B23K26/00
  • 本发明提供一种光加工方法及掩模。该光加工方法包括以下步骤:当将光经由掩模照射到加工物体上时,在与掩模的宽度方向正交的方向上移动光的照射区域,该掩模具有沿宽度方向排列的多个开口;以及当在前段中遍及掩模的一个宽度的光照射并照射区域的移动结束之后在后段中遍及所述掩模的一个宽度的光照射和照射区域的移动时,叠加前段中遍及掩模的一个宽度的光照射和照射区域的移动得到的光照射部分的一部分与后段中遍及掩模的一个宽度的光照射和照射区域的移动得到的光照射部分的一部分,以使得与各个开口相对应的每个照射行中的光照射量相等。
  • 加工方法
  • [发明专利]激光加工装置、激光加工头及激光加工方法-CN200710167181.7有效
  • 佐佐木良成;阿苏幸成;村瀬英寿;山田尚树 - 索尼株式会社
  • 2007-11-02 - 2008-05-07 - B23K26/14
  • 公开了一种激光加工装置。所述激光加工装置包括辐射激光束的激光束源,以及激光加工头。所述激光加工头包括:透射窗口,激光束通过所述透射窗口照射材料;在所述激光头的底部中形成的窗孔部,使得所述激光束可经由所述透射窗口而通过;将气体导入到所述激光加工头中的导入孔;将所述激光加工头内的环境气体排出到外部的排气孔。所述激光加工头进一步包括:将气体导入到材料的激光照射区域周围的空气孔;允许排出所述材料的激光照射区域的环境气体的空气孔;以及遮蔽部,具有位于所述透射窗口与所述窗孔部之间的开口以及与所述导入孔和排气孔连通的通风部。
  • 激光加工装置工头方法

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