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[发明专利]一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法-CN201110308209.0有效
发明人：张雪囡;康冬辉;李建弘;王彦君;高树良;沈浩平;刘嘉 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法。系统包括与偏移电机连接的区熔炉运动控制器、至少三个测距仪和一个PLC控制器，三个测距仪分别与PLC控制器连接，PLC控制器与区熔炉运动控制器连接。PLC控制器实时将区熔炉上轴的偏移向量数据传输给区熔炉运动控制器，区熔炉运动控制器控制偏移电机驱动区熔炉上轴的X轴和Y轴进行偏移，使整个异形多晶料的任意截面在到达固液交界面时得圆心都是居中的。采用改造后的本控制系统及控制方法，解决了在区熔硅单晶的生产中，使用异形多晶料棒容易导致熔区的偏心，进而导致由于熔区与线圈的接触容易引起打火，以及还易导致区熔硅单晶的断苞的问题，从而确保产品质量的稳定。
一种使用异形多晶生产硅单晶熔炉控制系统控制方法

[发明专利]一种控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置及其方法-CN201110306526.9有效
发明人：秦晔;张雪囡;李建弘;徐强;王林;王刚;李翔;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置及其方法，装置由固定在区熔硅单晶炉体炉腔中部炉壁上的上隔离罩和下隔离罩组成，形成一个区熔炉腔内的炉中封闭腔体，通过炉腔辅助装置的上隔离罩和下隔离罩构成的封闭腔体缩小了原有炉腔内的掺杂腔体积，改变原有的掺杂气流模型；掺杂过程中，混合气体由上、下部罩体流出封闭腔体，同时带走挥发物，再由出气口排出，从而使得挥发物不会沉积在加热线圈上，本发明装置安装，拆卸及清理简单，容易操作，成本较低，对于气掺CFZ单晶的成晶率由60%提高到70%以上，同时，降低了生产成本，提高了生产效益。
一种控制 cfz 硅单晶挥发物沉积辅助装置及其方法

[实用新型]用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置-CN201120150611.6有效
发明人：张雪囡;康冬辉;李建弘;高树良 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置。该装置包括内、外两个石英坩埚，还包括固定器，石英坩埚上方设有导流筒，固定器置于导流筒的内壁上，内石英坩埚通过固定器居中固定在外石英坩埚中。在装料时，分别在两个坩埚的物料中放入定量掺杂剂，使两个坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度为C0，物料熔化后，再对内石英坩埚内的硅熔体进行补充掺杂剂，使内石英坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度提高到C0/k，然后进行拉晶、引晶、等径过程。采用本实用新型可以有效提高单晶径向电阻率均匀性，使径向电阻率变化降低至5%~8%；可以大大提高单晶纵向电阻率的均匀性，使之基本维持一个恒定值，从而提高了合格品入档率。
用于生产直拉硅单晶石英坩埚装置

[实用新型]用于重掺硅单晶制造的热系统-CN201120097024.5有效
发明人： 李建弘;康冬辉;李烨;董兆清;徐强;张焕新;王林;许海波 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于重掺硅单晶制造的热系统，包括上保温筒、下保温筒、底盘保温层、支撑盖、大盖和导流筒构成，上保温筒、下保温筒和底盘保温层采用新型复合隔热材料；复合隔热材料为碳毡和石墨硬毡层叠而成的多层材料，且在其内表面涂覆有一层光亮的钼金属反射层；支撑盖的材料为石墨硬毡；大盖由石墨和石墨硬毡的复合材料制成，其复合材料下层为石墨硬毡，本实用新型解决了重掺硅单晶拉制过程中由于温度波动而引起的组分过冷和断苞难题，提高了重掺砷单晶轴向电阻率均匀性。
用于重掺硅单晶制造系统

[发明专利]一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法-CN201110092541.8有效
发明人： 李建弘;张雪囡;李翔;沈浩平;董兆清 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法，本发明技术方案的要点在于采用如下步骤：(1)制备测试单晶；(2)将测试单晶加工成测试样品，并对其进行电阻率测试；(3)如果样品电阻率测试不满足要求，则计算掺杂合金质量，进行二次掺杂；(4)掺杂完毕后，再次制备测试单晶，并对测试样品进行电阻率测试，如不满足要求，可进行三次或四次重复掺杂，直至电阻率满足要求。通过实施该方法，可精确控制成品单晶电阻率，成品硅单晶电阻率与目标电阻率偏差控制在1-3Ω.cm范围内，成品硅单晶合格率提高8%，成本降低约20%。
一种控制直拉硅单晶头部电阻率方法

[发明专利]一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法-CN201110092539.0有效
发明人：张雪囡;康冬辉;李建弘;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法。该装置包括内、外两个石英坩埚，还包括固定器，石英坩埚上方设有导流筒，固定器置于导流筒的内壁上，内石英坩埚通过固定器居中固定在外石英坩埚中。其方法是：在装料时，分别在两个坩埚的物料中放入定量掺杂剂，使两个坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度为C0，物料熔化后，再对内石英坩埚内的硅熔体进行补充掺杂剂，使内石英坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度提高到C0/k，然后进行拉晶、引晶、等径过程。本发明可以有效提高单晶径向电阻率均匀性，使径向电阻率变化降低至5%～8%；可以大大提高单晶纵向电阻率的均匀性，使之基本维持一个恒定值，从而提高了合格品入档率。
一种用于生产直拉硅单晶石英坩埚装置方法

[发明专利]一种用于重掺硅单晶制造的热系统-CN201110084580.3无效
发明人：康冬辉;张雪囡;李建弘;徐强;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于重掺硅单晶制造的热系统，包括上保温筒、下保温筒、底盘保温层、支撑盖、大盖和导流筒构成，其特征在于，上保温筒、下保温筒和底盘保温层采用新型复合隔热材料；所述复合隔热材料为碳毡和石墨硬毡层叠而成的多层材料，且在其内表面涂覆有一层光亮的钼金属反射层；支撑盖的材料为石墨硬毡；大盖由石墨和石墨硬毡的复合材料制成，其复合材料下层为石墨硬毡，本发明解决了重掺硅单晶拉制过程中由于温度波动而引起的组分过冷和断苞难题，提高了重掺砷单晶轴向电阻率均匀性。
一种用于重掺硅单晶制造系统

[发明专利]一种提高重掺砷单晶轴向电阻率均匀性的方法-CN201110084578.6有效
发明人：张雪囡;康冬辉;李建弘;徐强;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明一种提高重掺砷单晶轴向电阻率均匀性的方法，所述方法包括如下次序的步骤：（1）随着硅单晶的生长进度调整炉压，随着单晶的生长，炉压由高到低逐步降低，且炉压最高为70torr，最低为10torr；（2）执行步骤（1）同时调整Ar气流量，Ar气流量逐步提高，且流量最高为80slpm，最低为20slpm。本方法的优点是：提高了重掺砷硅单晶的轴向电阻率均匀度：（ρmax-ρmin）/ρmin＜28%；降低了扩散层掺杂剂砷的浓度，降低了组分过程发生的可能性，提高了成晶率。
一种提高重掺砷单晶轴电阻率均匀方法

[实用新型]用于硅单晶生长的导流筒-CN201020655906.4有效
发明人： 李建弘;张雪囡;康冬辉;李烨;董兆清;李翔;徐强;张换新;王林 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于硅单晶生长的导流筒，导流筒为锥形管状体，在其下端口设有一圈与管状体为一体的带有一定角度的圆锥形整流尾翼。带有一定角度的圆锥形整流尾翼的角度为15°—75°，整流尾翼的长度为10mm—80mm。本实用新型的优点是：通过在导流筒底部增加带有一定角度的圆锥形整流尾翼，气流路径变得更加倾斜和集中，如图2。气体经过硅单晶和液面的两次反射之后顺利离开炉室而不存在垂直于熔体表面的反射气流，这样该区域的小颗粒更容易被排除。硅单晶生产的断苞率降低了5-24%。
用于硅单晶生长导流

[发明专利]一种直拉硅单晶炉的复投料装置-CN201010607220.2无效
发明人：康冬辉;姚勇;徐强;张雪囡;李建弘;王林;张焕新;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉硅单晶炉的复投料装置，所述装置由钢制的投料筒、法兰、封底圆锥台、拉杆、拉杆管套和钼螺母等部分构成；采用钢材为结构材料，封底采用钢制的一个圆锥台进行封底，而控制结构则仅采用拉杆以及拉杆套管用于控制投料，这样比采用压杆、操纵连杆、以及压杆滑轮、插板阀等组成的复杂控制结构要简单很多。而且投料筒底部直径较小，这样可以使物料投放更加集中，从而避免投料时多晶料块掉到坩埚外部的情况，本复投料装置不但结构简单、耐用、操作简便而且使用时较为稳定。
一种直拉硅单晶炉投料装置

[发明专利]一种Ф8英寸<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统-CN201010585215.6有效
发明人：张雪囡;高树良;徐强;李建弘;许海波;李翔;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ф8"<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统，通过增加热系统的下保温筒和地盘保温层的厚度，同时减少了上保温筒的厚度，控制硅熔体液面下和液面上的温度，从而提高纵向温度梯度，所述方法包括控制Ar气流量、扩肩速度、保持速度的步骤，适合直径8英寸及以上单晶的制备，获得的Ф8"<110>单晶结构良好、位错密度低于100个/cm2，断苞率≤5%；本方法简便，可靠，提高了生产效率和产品质量，具有推广价值。
一种英寸 110 直拉硅单晶制造方法及其系统

[发明专利]用于使用金属箔片制造具有疏水性表面的3D结构的方法-CN200980108590.7有效
发明人：金东燮;李建弘;黄云峰;林根培;朴贤哲;李炳柱;李尚珉;金俊源 -专利权人：浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：公开了一种用于通过使用诸如铝箔的金属箔片来制造3D(三维)结构，使得该3D结构具有疏水性表面的方法。该方法包括：通过将金属箔片附着到预定形状的3D结构的外表面上来制备金属箔片基底；对该金属箔片基底进行阳极氧化处理；在金属箔片基底材料的外表面上涂覆一种聚合物材料以形成复制阴模结构；通过将该复制阴模结构的外表面覆以外部成形材料从而形成一外部结构；以及去除所述金属箔片基底。
用于使用金属制造具有疏水表面结构方法

[发明专利]用于通过浸渍法制造具有疏水性表面的3D结构的方法-CN200980108668.5无效
发明人：金东燮;李建弘;黄云峰;林根培;朴贤哲;李炳柱;李尚珉;金俊源 -专利权人：浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C23C2/12 文献下载
摘要：公开了一种用于制造3D(三维)结构的方法，其通过使用浸渍法向3D结构的表面提供疏水性，在该浸渍法中，预定形状的结构被浸入在熔融金属溶液中。该方法包括：将预定形状结构浸入在熔融金属溶液中，以将熔融金属材料涂覆在该预定形状结构的表面上；对涂覆有所述熔融金属材料的金属基底进行阳极氧化处理；在该涂覆有金属的基底的外表面上涂覆聚合物材料，以形成复制阴模结构；将所述复制阴模结构的外表面覆盖以外部成形材料；以及从所述复制阴模结构和外部成形材料去除所述涂覆有金属的基底。
用于通过浸渍法制具有疏水表面结构方法

[发明专利]具有疏水性内表面的3D形状结构物的制造方法-CN200880101334.0有效
发明人：金东燮;金东显;黄云峰;朴贤哲;李建弘;林根培;李尚珉;金俊源 -专利权人：浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有疏水性内表面的三维结构物的制造方法。所述制造方法包括阳极极化三维金属元件并在该金属元件的外表面上形成微孔，通过在所述金属元件的外表面上涂布一种不润湿聚合物材料而形成一种复制物并使该不润湿聚合物材料形成一种与所述金属元件的微孔相应的复制结构物，通过用一种外部形成材料包围所述复制结构物而形成一个外部，以及浸蚀所述金属元件并将该金属元件从所述复制结构物和外部形成材料中除去。
具有疏水表面形状结构制造方法

[发明专利]制造具有超疏水表面结构的固态主体的方法和使用该同种方法制造的超疏水管-CN200780042283.4有效
发明人：金东显;李尚珉;裵一臣;金东燮;崔德铉;李昌雨;全志勳;孙晟儫;文泰喆;黄云峰;金俊源;朴贤哲;李建弘 -专利权人：浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： F16L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有超疏水表面结构的固态主体的制造方法和使用此方法制造的超疏水流体输送管，该种超疏水表面结构通过使用金属体表面处理、复型处理和聚合物粘连现象形成，以提高流体输送效率和防止杂质在管中堆积。这种超疏水流体输送管包括一个导流器和一个固态主体，该固态主体设置在导流器的流体接触表面并且具有微米级不均匀度和纳米级突起。在该方法中，金属体表面通过阳极氧化过程形成许多纳米级孔，通过将该设有纳米级孔的金属体浸在一种非润湿聚合物材料中并固化该非润湿聚合物材料形成复型，通过从复型移除金属体和阳极氧化物形成具有超疏水表面结构的固态主体，该固态主体被设置到用于引导流体的导流器的流体接触表面。
制造具有疏水表面结构固态主体方法使用同种