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[发明专利]电池状态推定方法和电池管理系统-CN201180068439.2无效
发明人：井上健士;二见基生;河原洋平;本田光利 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：电池状态推定方法中，由电流检测部（10）和电压检测部（12）测量电池充放电时的电池（B）的电流值和端子电压值，根据测量出的电流值和端子电压值，计算作为电池状态的充电率、劣化度和满充电容量中的至少一种，在测量出的电流值的每一秒的变化为规定值以上时，不使用从发生电流变化起经过规定时间之前的期间测量出的电流值和端子电压值，根据在该期间之外的充放电期间测量出的电流值和端子电压值，计算电池（B）的充电率、劣化度和满充电容量中的至少一种。
电池状态推定方法管理系统

[发明专利]电池模块及使用其的电池系统-CN201310058232.8无效
发明人： 本田光利;青山博;河野龙治 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供即使电池单元的状态存在偏差也能够可靠地检测电池单元的异常膨胀的锂离子电池模块及使用其的电池系统。本发明的电池模块特征在于，具备：多个叠层型锂离子电池单元层叠而成的电池单元组、收纳所述电池单元组的壳体、连接构件，所述壳体由第一壳体部和第二壳体部构成，该第一壳体部和该第二壳体部将所述电池单元组夹入而相互连接，在所述第一壳体部设置有第一固定部，在所述第二壳体部设置有第二固定部，在所述第一固定部及所述第二固定部固定有所述连接构件，所述电池模块具有在所述连接构件发生断裂的情况下将所述电池单元组的电连接遮断的检测电路。
电池模块使用系统

[发明专利]电池系统-CN201210040715.0无效
发明人：岩泽宽;本田光利 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：即使在电池串中嵌入有容量彼此不同的电池要素的情况下，也适当地进行与多个电池要素间的充电状态平衡调整相关的充放电控制。SOC探测部(19)各个地分别探测多个电池要素(15)的SOC(充电度)。剩余电荷量运算部(23)基于从满充电容量信息存储部(21)取得的与多个电池要素(15)的满充电容量(Qf1)相关的满充电容量信息、以及由SOC探测部(19)各个地分别探测出的电池要素(15)的SOC，各个地分别运算多个电池要素(15)的剩余电荷量(Qrd)。充放电控制部(27)基于由剩余电荷量运算部(23)各个地分别运算出的多个电池要素(15)的剩余电荷量(Qrd)，使多个电池要素(15)进行各自分别的充电或放电。
电池系统

[发明专利]电池控制装置及搭载了该电池控制装置的车辆系统-CN201110247619.9有效
发明人： 本田光利;山内修子;佐佐木宽文;山本恒典 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：本发明提供一种电池控制装置及搭载了该电池控制装置的车辆系统。在各模块中设有对电池的通电状态和断路状态进行控制的断路部，在放电时，通过使该断路部依次工作，从而在规定的暂停期间内暂停放电，并且使来自其他模块的放电量增加，补充伴随一部分模块的放电中止的放电量的减少。从而，既满足电池的目标寿命，又不会增加电池的容量，可进行尽可能大量的放电。
电池控制装置搭载车辆系统

[发明专利]高耐压半导体集成电路装置、电介质分离型半导体装置-CN200910130270.3有效
发明人：渡边笃雄;本田光利;石塚典男;伊藤昌弘;田畑利仁;栗田信一;神冈秀和 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的半导体集成电路装置具备：在元件形成区域下具有第一绝缘膜的基板、在元件区域所形成的硅的沟槽、第二绝缘膜和第三绝缘膜，通过使第三绝缘膜的膜厚除以第一绝缘膜的膜厚得到之值处于规定范围，可对氧化绝缘膜施加均等的电压。另外，本发明的电介质分离型半导体装置具备元件分离区域。该元件分离区域具有到达SOI基板的绝缘膜的深槽，通过填充n型高杂质浓度层、第二绝缘膜和多晶半导体层来构成该深槽。从而，本发明提供一种对在SOI基板的沟槽内的两端所形成的侧面氧化膜施加均等的电压的结构的集成电路装置、和能够防止作为绝缘层的氧化膜的氧化应力所引起的移位并且实现细微且较深的元件分离区域的高可靠性的电介质分离性半导体装置及其制造方法。
耐压半导体集成电路装置电介质分离

[发明专利]高耐压半导体集成电路装置、电介质分离型半导体装置-CN200710086247.X有效
发明人：渡边笃雄;本田光利;石塚典男;伊藤昌弘;田畑利仁;栗田信一;神冈秀和 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的半导体集成电路装置具备：在元件形成区域下具有第一绝缘膜的基板、在元件区域所形成的硅的沟槽、第二绝缘膜和第三绝缘膜，通过使第三绝缘膜的膜厚除以第一绝缘膜的膜厚得到之值处于规定范围，可对氧化绝缘膜施加均等的电压。另外，本发明的电介质分离型半导体装置具备元件分离区域。该元件分离区域具有到达SOI基板的绝缘膜的深槽，通过填充n型高杂质浓度层、第二绝缘膜和多晶半导体层来构成该深槽。从而，本发明提供一种对在SOI基板的沟槽内的两端所形成的侧面氧化膜施加均等的电压的结构的集成电路装置、和能够防止作为绝缘层的氧化膜的氧化应力所引起的移位并且实现细微且较深的元件分离区域的高可靠性的电介质分离性半导体装置及其制造方法。
耐压半导体集成电路装置电介质分离

[发明专利]电极器件-CN200510137777.3无效
发明人：日高贵志夫;沼田义道;林原光男;本田光利;内藤孝;儿玉英世 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-11-05 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于：通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制，一边进行离散控制，一边在其上生成碳纳米管，通过在该纳米管上进行金属覆盖，提高了电脉冲的响应特性。
电极器件

[发明专利]波分复用光学开关-CN02131916.2无效
发明人： 本田光利;沢井裕一;石川敬郎;内藤孝 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-09-05 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：本发明提供一种消耗更少功率，高速响应性极好，并且具有适合于小型化和多通道切换的结构的光学开关。该光学开关将多个输入信号切换到多个输出位置，其中一具有层叠有与输入部分数量相同的非线性光学层和缓冲层的叠层结构，与输入部分和输出部分之间的光路相交。通过提供使用非线性光学薄膜的叠层结构，本发明可获得高速响应性极好，并且适用于对大量信息进行切换的小矩阵光学开关。
波分复用光开关

[发明专利]电极器件的制造方法-CN02150222.6无效
发明人：日高贵志夫;沼田义道;林原光男;本田光利;内藤孝;儿玉英世 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-11-05 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制，一边进行离散控制，一边在其上生成碳纳米管，通过在该纳米管上进行金属覆盖，提高了电脉冲的响应特性。
电极器件制造方法

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