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[发明专利]极低成本的表面发射激光二极管阵列-CN200680009396.X无效
发明人： M·奥索夫斯基;J·E·安格 -专利权人： 昆特森斯光电技术公司
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：单个半导体管芯上的半导体激光器阵列。所述管芯包括多个光学耦合到反射表面的激光器条。所述激光器条产生多个激光束，所述激光束在基本平行于所述管芯的上表面的方向上传播。所述反射表面使所述激光束改道以在基本垂直于上表面的方向上发射。备选地，所述反射表面可以使所述激光束改道以从管芯的底表面发射。所述反射表面可以通过蚀刻邻近取向的III－V族半导体管芯使得所述反射表面沿着所述管芯的(111)A晶面延伸而形成。
低成本表面发射激光二极管阵列

[发明专利]具有变折射率的放大部分的激光二极管-CN03805248.2无效
发明人： J·E·昂加尔 -专利权人： 昆特森斯光电技术公司
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种大功率激光二极管包括具有变折射率的泵激带部分。所述变折射率可以减少现有技术中大功率激光二极管的自聚焦现象，从而提供高质量的输出光束。折射率可以从泵激带部分的一侧到另一侧变化。可以通过改变泵激带部分的结构特征，例如激光二极管各层的掺杂或者厚度来改变折射率。可以在整个泵激带部分上建立热梯度，以便改变所述折射率。可以通过沿着泵激带部分一侧集成发热元件或者产生流过泵激带部分的不均匀电流来建立所述热梯度。
有变折射率放大部分激光二极管

[发明专利]具有低吸收二极管结的激光二极管-CN03805247.4无效
发明人： J·E·昂加尔 -专利权人： 昆特森斯光电技术公司
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种激光二极管，具有在衬底上生长的多个半导体外延层。该二极管包括两个n型材料层之间的发光层。在有源层与n型材料层之间设置p型材料薄层。该二极管包括与衬底邻接的n型掺杂材料层，并包括n型掺杂材料层与p型掺杂材料层之间的有源层。另有一个n型掺杂材料层位于p型掺杂材料层与接触层之间。接触层加有偏压，以诱导有源区中空穴和电子的复合，并因此产生光。光沿着有源层、p型掺杂材料层在两个n型掺杂材料层中传播。接触层与p型掺杂材料层之间的n型掺杂材料层的存在减少了激光二极管内部被吸收的光子数量。这改善了激光二极管的能量转换效率、电流需求和最终寿命。相邻的p型掺杂材料层与n型掺杂材料层均包括重掺杂的隧道层，使得即使这两层之间的结加有反向偏压，隧道电流也能够流动。
具有吸收二极管激光二极管

[发明专利]超小型低成本高功率激光器系统-CN03808807.X无效
发明人： J·E·昂加尔 -专利权人： 昆特森斯光电技术公司
申请日： 2003-04-21 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：一种激光系统，它具有线性调频光栅(16)和耦合到激光二极管(14)的光组合器(12)。激光二极管(14)响应来自驱动电路的电脉冲而产生激光脉冲。由于各种内在影响，激光脉冲后部所含有的光其波长比该脉冲前部的光要长。激光脉冲经过组合器(12)传输并且进入线性调频光栅(16)。线性调频光栅具有从光栅的近端到远端逐渐减小的间距。激光脉冲的较长波长从光栅的近端反射。较短波长从光栅的远端反射并在组合器中与较长波长组合。处在脉冲前部的较短波长必须比较长波长传播更大的距离。
超小型低成本功率激光器系统

[发明专利]去调谐的分布式反馈激光二极管-CN03805228.8无效
发明人： J·E·昂加 -专利权人： 昆特森斯光电技术公司
申请日： 2003-03-03 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：包括反馈激光器部分和放大器部分的半导体激光器。反馈激光器部分生成在第一波长处具有最大强度的激光束。放大器部分把激光束放大成高功率光束。放大器部分被构建成在偏离第一波长的第二波长处具有峰值光增益。把在反馈激光器部分生成的波长偏离开放大器部分的峰值增益波长，将导致输出的光束比起只由反馈部分生成的光束具有宽得多的线宽。更宽的线宽导致总的器件即使在一部分光反射回半导体激光器时也相当稳定。
调谐分布式反馈激光二极管

[发明专利]具有同相输出的激光二极管阵列-CN03803803.X无效
发明人： J·E·昂加尔 -专利权人： 昆特森斯光电技术公司
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种激光二极管阵列(10)，包括多个激光条，每个激光条被未泵浦的区域隔开。该阵列(10)包括至少一个第一激光条(12)和至少一个第二激光条(14)。该第一激光条(12)发射第一激光束。该第二激光条(14)发射第二激光束。一个移相器被连接到激光条以便第二激光束的相位被移至与第一激光束同相。阵列(10)产生的输出光束是高功率、高质量、衍射限制的光束。
具有输出激光二极管阵列

[发明专利]带有内部镜面的激光二极管-CN02811320.9无效
发明人： J·E·昂加尔 -专利权人： 昆特森斯光电技术公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：一种半导体激光器(10)，具有分布式反馈激光器部分(12)和放大器部分(14)。放大器部分(14)可以是锥形，以减小光功率密度，特别是在激光器的输出端面(18)上的光功率密度。半导体激光器(10)也包括反射元件(24)，将来自分布式反馈激光器部分(12)的光(17)反射到放大器部分(14)。反射元件(24)将光束(17)的光路径(Op)折叠。折叠光路径(Op)使得放大器部分(14)的面积增加，而不增大半导体的管芯尺寸。更大的放大器部分(14)会增加激光器的输出功率。反射元件(24)同样会使得半导体管芯尺寸得到减小，而不降低激光器的光功率。
带有内部激光二极管