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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备-CN91110637.5无效
发明人： M·D·罗森布拉姆;J·I·汉诺卡 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1991-10-03 - 公布日： 1995-06-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：硅太阳能电池是通过让基片经受扩散以形成P-N结的过程制造的，其中含有选定掺杂剂的液态掺杂剂源物质是喷涂在该基片的一侧，而后将基片在含氧环境中焙烧，所用的条件是计算出来的，以让该掺杂剂能扩散进入基片，从而在每一基片上形成浅薄的P-N结。
太阳能电池基片上形成扩散方法设备

[发明专利]控制晶体生长装置的系统及其熔体再补给系统-CN91101558.2无效
发明人：布赖恩·H·麦金托什;劳伦斯·埃里斯 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1991-03-11 - 公布日： 1994-10-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种用以在供生长选定材料的管状晶体用的装置的坩埚中控制再补给熔化物的系统的操作的控制系统。该熔化物再补给系统包含一个用以存贮所述选定材料的固体粒子的容器和一个用以把所述粒子从容器输送给坩埚的配量器。该控制系统根据存贮于容器中硅粒子的重量、晶体的重量和晶体内部压力控制配量器从该容器输送粒子给坩埚的速率。另一方面，该控制系统可适于控制该装置的坩埚加热器的温度。本发明对由于管状晶体之内压力波动而造成的重量测量误差提供补偿。
控制晶体生长装置系统及其熔体再补给

[发明专利]一种制造太阳能电池接触的改进方法-CN89103886.8无效
发明人：杰克·I·哈诺卡 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1989-06-10 - 公布日： 1994-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明叙述一种太阳能电池的制造工序，其中的硅衬底在其一侧具有一层氮化硅，该衬底有选择地涂覆以一金属软膏。该金属软膏含有一选定的金属和一铅硅玻璃料。加热时，该玻璃贯穿氮化硅，而用选定的金属使衬底表面金属化。
一种制造太阳能电池接触改进方法

[发明专利]原料输送系统-CN90109365.3无效
发明人：弗雷德里克·U·迈耶;马克·F·拉劳斯;戴维·S·哈维 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1990-10-17 - 公布日： 1994-07-13 - 主分类号： B65G53/04 文献下载
摘要：一个系统，用于反复提供一预定量的固体颗粒材料，如固体球形硅粒到一个远离存放颗粒材料处的位置。该系统包括一个存放固体颗粒材料的容器，一个连接于该容器的接收室，它是依一定尺寸和形状制造的，以便来自容器的唯预定量的颗粒进入其中，及为了夹带和传递所述预定量的颗粒材料从接收室到远处位置，提供至少一个增压流体流的部件。
原料输送系统

[发明专利]用于连续补给熔料的系统-CN90104389.3无效
发明人：加里·M·弗里德曼;劳伦斯·L·佩列茨;约翰·G·韦里斯 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1990-05-23 - 公布日： 1994-05-18 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：一种将固体硅粒连续供给生长空心管状结晶体设备的系统，本系统包括贮存固体硅粒的容器，振动的、气动的或其它装置造成该颗粒通过容器下部开口排出；收受室与容器相连通，用来接收自容器发放来的颗粒；以及为在收受室提供增压液体射流的装置。后者与晶体生长设备的坩埚相连通，由一管道向上延伸通过坩埚的中心。操作时，硅粒从容器中被发放出来，进入收受室，在此增压液体的射流携带硅粒，并把硅粒推出收受室，经管道而进入晶体生长炉，得落到坩埚盛装的熔硅中。
用于连续补给系统

[发明专利]晶体生长设备-CN88101744.2无效
发明人：戴维·S·哈维 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1988-03-26 - 公布日： 1993-10-06 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：揭示一种按EFG法增长管形晶体的新颖设备，特征为设备至少有一个外通道和至少一个内通道，在坩埚模具组合件和相关的部件中形成，引入至少一条外通道的气体，藉以输送入与模具上的增长面相邻的增长晶体外面的区域，引入至少一条内通道的气体，输送入与该增长面相邻的空心晶体里面的区域，从而内外区中的大气可以分别控制。
晶体生长设备

[发明专利]生长管状晶体的控制设备-CN88102353.1无效
发明人：布赖恩·H·麦金托什 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1988-05-05 - 公布日： 1993-05-05 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：一种控制管状晶体生长设备的操作用的控制系统包括一测定晶体重量用的重量传感器、一测量晶体长度用的长度传感器、一测定晶体内部压力用的压力传感器和一耦合到该重量、长度、压力传感器以控制晶体生产设备操作的控制器，控制器耦合到设备的模具加热器上以根据重量、长度和压力传感器的输出控制盛在坩埚中的熔体的温度。为确保晶体壁厚大体均匀，必须精确测定晶体的重量。本发明对管状晶体内部压力波动所引起的重量测定误差进行了补偿。
生长管状晶体控制设备

[发明专利]用氮化硅涂层制造太阳电池的方法-CN88103828.8无效
发明人：罗纳德·C·贡西奥罗斯基;乔治·陈尼恩科 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1988-06-14 - 公布日： 1991-05-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：转换效率达12.5％至16％的硅太阳电池的制造方法，包括在邻近硅衬底的前部表面形成P/N结，对衬底的前部表面进行选择的等离子表面蚀刻处理，并通过两个步骤等离子处理在被蚀刻的前部表面形成多硅氮烷涂层。该多硅氮烷涂层被加以蚀刻以形成栅格电极图形。在该衬底的后侧涂敷以铝涂层，以便形成后电极。将该铝涂层加热使得与硅衬底合金化，并从而形成欧姆接触。衬底的前部表面的暴露的硅用导电良好的金属的粘附层涂敷以形成栅极。
氮化涂层制造太阳电池方法

[其他]晶体增长装置-CN88101744无效
发明人：戴维·S·哈维 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1988-03-26 - 公布日： 1988-10-05 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：揭示一种按EFG法增长管形晶体的新颖设备，特征为设备至少有一个外通道和至少一个内通道，在坩埚模具组合件和相关的部件中形成，引入至少一条外通道的气体，藉以输送入与模具上的增长面相邻的增长晶体外面的区域，引入至少一条内通道的气体，输送入与该增长面相邻的空心晶体里面的区域，从而内外区中的大气可以分别控制。
晶体增长装置

[其他]太阳电池相互电连接的方法-CN85109495无效
发明人：约翰·G·威利斯 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1985-12-07 - 公布日： 1988-06-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种连接太阳电池的新颖和经过改进的方法，这种方法能把多个太阳电池以串联方式进行相互电连接，以形成一个太阳电池阵列。
太阳电池相互连接方法

[其他]太阳电池相互电连接的方法-CN101985000009495在审
发明人：约翰·G·威利斯 -专利权人： 无比太阳能公司
申请日： 1985-12-07 - 公布日： 1988-06-22 - 主分类号：文献下载
摘要：一种连接太阳电池的新颖和经过改进的方法，这种方法能把大量太阳电池以串联方式进行相互电连接，以形成一个太阳电池阵列。
太阳电池相互连接方法

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