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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光调制元件及电场传感器-CN201680049373.5有效
发明人：品川满;朝日聪明 -专利权人： 捷客斯金属株式会社;品川满
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：在能够通过具有产生电光效应的性质的化合物半导体单晶来调制入射的激光(L)的光调制元件中，在不降低化合物半导体的载体浓度的情况下防止低频带中的信号强度的衰减。光调制元件(23)具备：入射限制单元(25)，设于化合物半导体单晶(24)的能够供激光(L)入射的入射面(24a)或者其附近，限制激光(L)以外的光向入射面(24a)入射；及遮挡件(26)，由具有遮光性并且介电常数低的材料形成，并覆盖化合物半导体单晶(24)的沿着入射到该上述化合物半导体单晶(24)的上述激光(L)的行进方向延伸设置的面(24c)。
调制元件电场传感器

[发明专利]氧化物烧结体以及包含该氧化物烧结体的溅射靶-CN201680016776.X有效
发明人：山口洋平;角田浩二 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，所述烧结体中存在的裂纹的平均长度为3μm以上且15μm以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶，所述溅射靶在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂、粉粒产生，能够形成良好的薄膜。
氧化物烧结以及包含溅射

[发明专利]电子电气设备部件废料的处理方法-CN201980019481.1在审
发明人：青木胜志;武田翼 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C22B1/00 文献下载
摘要：提供能对电子电气设备部件废料等正确且效率良好地进行分拣处理的电子电气设备部件废料的处理方法。电子电气设备部件废料的处理方法的特征在于，包含：分离工序，使用具备金属传感器(2)、彩色摄像机(3)、空气阀(4)、输送机(5)的分选机(10)来从包含金属物(1a1、1a2)以及非金属物(1b)的电子电气设备部件废料(1)将非金属物(1b)或金属物(1a1、1a2)分离，在由金属传感器(2)探测电子电气设备部件废料(1)中的金属物(1a1、1a2)时，在相互相邻的金属物(1a1)与金属物(1a2)之间设置一定的间隔，以使不会误探测存在于金属物(1a1)与金属物(1a2)之间的非金属物(1b)。
电子电气设备部件废料处理方法

[发明专利]氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶-CN201680007587.6有效
发明人：山口洋平;栗原敏也;角田浩二 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。
氧化物烧结包含溅射

[发明专利]MgO-TiO烧结体靶及其制造方法-CN202010534063.0在审
发明人：高见英生;中村祐一郎;荒川笃俊;荻野真一 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C04B35/04 文献下载
摘要：本发明涉及MgO‑TiO烧结体靶及其制造方法。一种MgO‑TiO烧结体，其含有25～90摩尔％TiO，其余包含MgO和不可避免的杂质。本发明的课题在于提供一种成膜速度快、且能够进行粉粒产生少的直流(DC)溅射的高密度靶及其制造方法。
mgo tio 烧结及其制造方法

[发明专利]轧制铜箔线圈-CN202010219196.9在审
发明人：藤野慎平 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明提供铜箔带材难以弯折而能够减少辊间的张力来抑制铜箔的褶皱的产生的轧制铜箔线圈。本发明的轧制铜箔线圈由Cu99.90质量%以上、其余部分为不可避免的杂质构成，厚度为4~70μm，设开卷的铜箔带材的最大总宽为W2、最小总宽为W1，(W2‑W1)＝C时，(C/W2)为5/600以下。
轧制铜箔线圈

[发明专利]用于柔性印刷基板的压延铜箔、柔性覆铜层叠板和柔性印刷电路基板-CN202010147685.8在审
发明人：工藤雄大 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明的课题是提供无论制造柔性覆铜层叠板时的加热条件如何均能够稳定地获得弯曲性、尤其是折叠性优异的用于柔性印刷基板的压延铜箔、柔性覆铜层叠板和柔性印刷电路基板。该课题的解决方案是用于柔性印刷基板的压延铜箔，其包含99.0质量%以上的Cu，且余量由不可避免的杂质构成，通过耗用5秒钟以上从25℃加热至达到350℃为止再以350℃保持30分钟的加热模式A或者耗用1秒钟从25℃达到350℃的加热模式B进行大气加热后，通过压延面的X射线衍射而求出的（200）面的强度（I）相对于通过微粉铜的X射线衍射而求出的（200）面的强度（I0）为I/I0≥45。
用于柔性印刷压延铜箔层叠路基

[发明专利]线状物的去除方法、线状物的去除装置以及电子、电气设备部件屑的处理方法-CN201980011021.4在审
发明人：青木胜志;笹冈英俊 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： B07B1/12 文献下载
摘要：本发明提供能够高效地从包含各种形状的被分选物中分选线状物的线状物的去除方法、线状物的去除装置以及电子、电气设备部件屑的处理方法。线状物的去除方法包括：将具备在原料的供给方向上相互隔开间隔地延伸的多个杆的过滤器配置于振动筛机内，在过滤器上配置至少包含线状物和板状物的原料，并对过滤器施加振动，从而将线状物向筛下侧筛分。
线状去除方法装置以及电子电气设备部件处理

[发明专利]电子、电气设备部件屑的处理方法-CN201980011068.0在审
发明人：青木胜志;武田翼;大塚教正 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C22B1/00 文献下载
摘要：本发明提供能够增大在冶炼工序中处理的电子、电气设备部件屑的处理量，且能够高效地回收有价金属的电子、电气设备部件屑的处理方法。电子、电气设备部件屑的处理方法包括在冶炼工序中对电子、电气设备部件屑进行处理的工序，且电子、电气设备部件屑的处理方法在冶炼工序之前包括用于减少电子、电气设备部件屑中所含的冶炼阻碍物质的工序。
电子电气设备部件处理方法

[发明专利]烧结体及非晶膜-CN202010396262.X在审
发明人：奈良淳史 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供烧结体及非晶膜。一种烧结体，其特征在于，由锌(Zn)、三价金属元素、锗(Ge)和/或硅(Si)、氧(O)构成，设三价金属元素的总含量以氧化物换算为A摩尔％、Ge和/或Si的总含量以GeO2和/或SiO2换算为B摩尔％时，15≤A+B≤70。根据本发明，体电阻低而能够进行DC溅射。利用这些烧结体能够形成低折射率的非晶薄膜。
烧结非晶膜

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201680004783.8有效
发明人：永津光太郎;仙田真一郎 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其中，使用背散射电子衍射法观察作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND时，{100}面沿ND取向的晶粒的面积率为30％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射情况下能够适当控制成膜速度的钽溅射靶。在使用这样的溅射靶进行溅射成膜时，即使对于微细布线而言，也能够形成膜厚均匀性优良的薄膜，并且能够提高薄膜形成工艺的生产率。
溅射及其制造方法

[发明专利]铜合金溅射靶及其制造方法-CN201680004589.X有效
发明人：守井泰士;大月富男 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种铜合金溅射靶，其特征在于，通过带电粒子活化分析而测定的、氧含量为0.6重量ppm以下、或者、氧含量为2重量ppm以下且碳含量为0.6重量ppm以下。另外，一种铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，对铜原料在真空或惰性气体气氛中进行熔炼，然后向熔炼中的气氛中加入还原气体，接着，向熔融金属中添加合金元素而进行合金化，并将所得到的锭加工为靶形状。本发明的课题是提供一种溅射时粉粒的产生少的铜合金溅射靶及其制造方法。
铜合金溅射及其制造方法

[发明专利]溅射靶-CN201680028414.2有效
发明人：村田周平;山越康广;永津光太郎 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，其具备平坦部和锥形部，其特征在于，在靶的溅射面上配置有点燃用的加工槽。能够降低点燃(等离子体点火)的点火失败率，并且能够稳定地开始溅射过程。由此，能够缩短装置的停机时间，因此能够有助于提高生产能力、改善性价比。
溅射

[发明专利]金属聚酸和金属聚酸的制造方法-CN201680019645.7有效
发明人：河村寿文 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：提供一种新的金属聚酸和金属聚酸的制造方法。一种金属聚酸，其特征在于，由组成式：MxOy表示(式中，M为钨、钼或钒，4≤x≤1000，2.5≤y/x≤7)。
金属制造方法

[发明专利]烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜-CN201610857413.0有效
发明人：奈良淳史 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜。一种含有ZnS和氧化物的烧结体或膜，其特征在于，所述烧结体含有40摩尔％～70摩尔％的ZnS，烧结体中的所述氧化物至少包含包含Zn、Ga、O的复合氧化物，所述烧结体或膜的组成满足关系式：4原子％≤Ga/(Ga+Zn‑S)≤18原子％。本发明的课题在于提供一种体电阻值低且能够进行稳定的DC溅射的溅射靶。另外，本发明的课题在于提供一种在光学特性、耐高温高湿性方面具有极其优异的特性的薄膜作为各种显示器中的透明导电膜、光盘的保护膜、光学调节用膜。
烧结包含溅射以及使用形成薄膜

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