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[发明专利]具有多个电位测量传感器的传感器布置-CN200480033227.0有效
发明人：沃夫冈·巴贝尔;托尔斯滕·佩希施泰因;托马斯·施特肯赖特 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔测量及调节技术分析仪表两合公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明的传感器布置包括：至少两个样本腔(9)；至少两个电位测量FET传感器(10)，特别是IsFET传感器或ChemFET传感器，其各自具有敏感表面部分(2)，其中每一敏感表面部分与一个样本腔流动连接；和参考室，其具有用于提供参考电位的参考介质，其中样本腔经由电解液桥与参考介质相连。优选地，参考室具有用于提供参考电位的电位测量参考FET传感器(12)，其检测电位偏移电极的伪参考电位。相对于伪参考电位确定在样本腔中的N个FET传感器的电位U_diff1、U_diff2、……U_diffN，并且通过在相关电位和参考电位之间的差确定与测量变量相关的电位差U_pH1...N＝U_diff1...N－U_diffref。
具有电位测量传感器布置

[发明专利]用于监控参考半电池的方法和设备-CN200380103414.7有效
发明人： 托尔斯滕·佩希施泰因;卡特林·肖尔茨;斯万·哈尔蒂希 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于监控参考半电池(3)的方法，其中参考半电池(3)与测量半电池(2)形成用于确定和/或监控介质(7)的离子浓度的电位测量点(1)，并且其中介质(7)的离子浓度是基于在测量半电池(2)和参考半电池(3)之间的测量电路中确定的至少一个测量信号而确定的。根据本发明，测量点(1)被间歇地在操作模式和测试模式中操作，其中在操作模式中测量离子浓度，并且在测试模式中检查参考半电池(3)的操作性能。
用于监控参考电池方法设备

[发明专利]具有前侧键合的半导体传感器-CN200380106906.1有效
发明人： 托尔斯滕·佩希施泰因;罗伯特·肖尔茨 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司
申请日： 2003-12-06 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种离子敏感传感器设置，包括：具有第一表面的半导体芯片(1)，该第一表面具有介质敏感区域(4)和至少一个第一电接触面(2，3)；和具有第二表面的支架(6)，该第二表面面向半导体芯片(1)的第一表面，具有与敏感区域(4)对齐的开口(7)和至少一个第二电接触面(8，9)，第二电接触面(8，9)与至少一个第一电接触面(2，3)重叠或对齐；其中，在支架和半导体芯片之间放置(优选为弹性的)各向异性导体(5)，其在至少一个第一接触面和至少一个第二接触面之间产生导电连接，并且其具有与第二表面中的开口(7)对齐的贯穿开口，使得半导体芯片(1)的敏感区域(4)可以通过该开口接纳分析物，其中(优选为弹性的)各向异性导体(5)密封开口(7)外部的区域，以防被分析物污染。
具有前侧键合半导体传感器

[发明专利]电位传感器-CN03820073.2无效
发明人： 托尔斯滕·佩希施泰因;迪尔克·施泰因米勒;德特勒夫·维特默;赫尔曼·施特劳布 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：公开了一种电位传感器，特别是pH传感器或氧化还原传感器，其包括：基本传感器(3)，其用于检测电位量，特别是pH值或氧化还原电位；和接口，用于将依赖于电位量的信号发送到上级单元，该上级单元特别是变送器(8)。本发明的电位传感器具有固定连接至基本传感器(3)的数字数据存储器(6)。
电位传感器