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[发明专利]δ-MnO2-CN201810556695.X有效
发明人：林宝伟;夏晖;房灵哲;徐璟 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种δ‑MnO2纳米片阵列的合成方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，先将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应，反应结束后，冲洗，烘干得到δ‑MnO2纳米片阵列。本发明采用一步水热法，制备出超薄、无团聚、结晶完好、纯度高、形貌可控的阵列材料，且工艺简单，能耗低。制得的纳米片阵列形貌δ‑MnO2材料，均匀生长在基底上，形貌均匀无团聚，在后期的应用中，可直接作为各种电子器件的电极，避免了粘合剂、导电剂等的使用所造成的纳米材料比表面积的减少以及电化学性能的降低，同时纳米片阵列结构可以有效的增大材料的接触面，提高材料利用率。
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[发明专利]TiO2-CN201810681361.5有效
发明人：夏晖;林宝伟;房灵哲;徐璟 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiO2包覆δ‑MnO2纳米片阵列复合材料及其制备方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应制得δ‑MnO2纳米片阵列，然后在80℃～300℃下，以TiCI4和水为前驱体通过原子层沉积在δ‑MnO2纳米片上沉积TiO2薄膜，得到TiO2包覆δ‑MnO2纳米片阵列复合材料。本发明在不破坏材料原有结构的基础上，在材料表面沉积几个纳米厚度的保护层，在缩短电子传输距离的同时对结构起到保护作用，提高循环稳定性。
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