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[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN200710169212.2有效
发明人：马克·W.·坎特尔;詹姆士·W.·阿迪克森;戴尔·W.·马丁;詹姆士·V.·哈特三世;詹姆士·R.·爱略特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括紧邻并连接半导体结构内的拓扑特征的侧壁的多层间隔件。所述多层间隔件包括被层压到第二间隔件亚层上的含有沉积的硅氧化物材料的第一间隔件亚层，第二间隔件亚层包含与所述沉积的硅氧化物材料不同的材料。所述第一间隔件亚层相对于所述第二间隔件亚层被凹进不大于所述第一间隔件亚层的厚度的凹槽距离(优选从大约50埃到大约150埃)。通过使用化学氧化物去除(COR)蚀刻剂实现上述凹槽距离，化学氧化物去除(COR)蚀刻剂相对于热生长的硅氧化物材料而言对沉积的硅氧化物材料来说是自限制的。因此，对于多层间隔件层来说，保证了尺寸完整性并避免了剥离。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]改进器件性能的双硅化物工艺-CN200580047269.4无效
发明人：约汉·J.·爱丽斯－蒙娜甘;戴尔·W.·马丁;威廉·J.·墨菲;詹姆斯·S.·纳考斯;科克·皮特森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括具有p型器件区(20)和n型器件区(10)的衬底；到n型器件区(10)的第一型硅化物触点(30)；第一型硅化物具有与n型器件区导带基本上对齐的功函数；以及到p型器件区(20)的第二型硅化物触点(35)；第二型硅化物具有与p型器件区价带基本上对齐的功函数。本发明也提供一种半导体结构及其形成方法，其中选择硅化物触点材料和硅化物触点处理条件以提供pFET和nFET器件中基于应变的器件改进。
改进器件性能双硅化物工艺

[发明专利]栅极叠层-CN200580033385.0有效
发明人： 戴尔·W.·马丁;斯蒂芬·M.·尚克;迈克尔·C.·特里普莱特;德布拉赫·A.·图克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：用来在半导体衬底(110)中限定源/漏区域的栅极叠层的结构和制造方法。所述方法包含：(a)在所述衬底(110)的顶部形成栅极电介质层(120)，(b)在所述栅极电介质层(120)顶部形成栅极多晶硅层(130)，(c)将n－型掺杂物质注入所述多晶硅层(130)的顶层(130a)，(d)刻蚀掉所述栅极多晶硅层(130)和所述栅极电介质层(120)的一些部分以便在衬底(110)上形成栅极叠层(132、134、122)，和(e)在存在携带氮的气体的条件下将所述栅极叠层(132、134、122)的侧壁热氧化。结果，无论掺杂浓度如何都在栅极叠层(132、134、122)的多晶硅材料中相同的深度形成了扩散阻挡层(170)。因此，栅极叠层的n－型掺杂区域(132)具有和栅极叠层(132、134、122)的未掺杂区域(134)相同的宽度。
栅极