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[发明专利]延时开关模块-CN202180047528.2在审
发明人：高宽洙 -专利权人： 意斐株式会社
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01H9/54 文献下载
摘要：本发明涉及延时开关模块，包括：延时开关(110)，与负载开关(SW)并联，并在负载开关(SW)关断后设定的延时关断时间内接通，经过延时关断时间后开关断开，负载开关(SW)断开后经过延时关断时间后停止运行；控制部(120)，当负载开关(SW)断开后，负载开关(SW)有开/关切换操作时，检测所述负载开关(SW)的开/关切换，并控制所述延时开关(110)的关断动作，使得所述延时开关(110)的设定的延时关断时间根据所述负载开关(SW)的开/关切换操作而改变。
延时开关模块

[发明专利]双向可控硅模块-CN202080007399.X在审
发明人：高宽洙 -专利权人： 意斐株式会社
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H05B45/37 文献下载
摘要：本发明的特征在于，包括：双向可控硅(110)，通过向栅端子(g)输入的双向可控硅驱动电流进行工作；桥式二极管(120)，对从双向可控硅(110)的栅端子(g)输出或者向双向可控硅(110)的栅端子(g)输入的电流进行全波整流；双向可控硅触发部(130)，接收从桥式二极管(120)输出的电流(I)来向双向可控硅(110)的栅端子(g)输出用于使双向可控硅(110)进行开启工作的双向可控硅驱动电流(I1)，由此使双向可控硅(110)进行工作；以及锁存电路部(140)，锁存开启后向双向可控硅(110)的栅端子(g)输出锁存电流，上述锁存电流的值小于双向可控硅(110)的临界电流(Ith)的值。
双向可控硅模块