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[发明专利]一种高可靠低红外发射率复合涂层及其制备方法、应用-CN202310179829.1在审
发明人：易伟;徐刘进;董凯 -专利权人：长沙晶优新材料科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开一种高可靠低红外发射率复合涂层及其制备方法、应用，该制备方法首先利用PVD沉积以在金属基底表面得到混合金属层，该混合金属层能很好的保护金属基底实现抗氧化的作用，同时作为金属基底和陶瓷层的粘接层和过渡层可很好防止高温高压的极端环境下发生涂层脱落；此外，PVD沉积得到的混合金属层表面平整光滑。然后利用等离子喷涂制备陶瓷层，丝网印刷制备低红外发射率层。本发明提供的制备方法制备的低红外发射率复合涂层总厚度小于100微米，能够满足高速旋转的涡轮叶片的使用要求。
一种可靠红外发射复合涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种石英/石英陶瓷隐身天线罩及其制备方法、应用-CN202310291703.3在审
发明人：易伟;肖永红;徐刘进 -专利权人：长沙晶优新材料科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：本发明公开一种石英/石英陶瓷隐身天线罩及其制备方法、应用，该制备方法以浓缩硅溶胶为浸渍液，先进行真空浸渍，再进行加压浸渍；在天线罩基体表面涂覆或沉积贵金属涂层；再根据实际需要预设设计图案，利用激光刻蚀在贵金属涂层上刻蚀得到特定图案的频率选择表面。该频率选择表面为天线罩提供频率选择特性，从而使天线罩在天线工作频段内透波、带外反射，实现天线罩的透波隐身功能。本发明提供的制备方法能同时解决大尺寸天线罩高温整体导体层制备与曲面频率选择表面图形的精确加工两大难题。
一种石英陶瓷隐身天线罩及其制备方法应用

[发明专利]一种ZrB2-CN202211282238.9在审
发明人：易伟;徐刘进;郑璇;董凯;谭强 -专利权人：长沙晶优新材料科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZrB2‑SiC‑LaB6增强的碳/碳纳米复合材料及其制备方法，由ZrB2‑SiC‑LaB6前驱体凝胶与碳纤维复合后，经热处理制得；所述ZrB2‑SiC‑LaB6的分子式为(ZrB2‑20vol.％SiC)‑(10‑40)wt.％LaB6，其中ZrB2‑20vol.％SiC和LaB6的质量百分比为60‑90％：10‑40％。本发明利用ZrB2‑SiC‑LaB6作为涂层材料，涂敷于碳纤维编织体，经过热处理获得具有高抗热冲刷且抗氧化能力强的碳/碳复合材料。
一种 zrb base sub

[发明专利]一种等离子喷涂制备(C/C)/ZrB2-CN202211278159.0在审
发明人：易伟;徐刘进;郑璇;董凯;谭强 -专利权人：长沙晶优新材料科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子喷涂制备(C/C)/ZrB2‑SiC‑LaB6复合涂层材料的方法，先分别配制锆源溶液、硼源溶液、硅源溶液、镧源溶液和碳源溶液，然后将五种溶液混合搅拌，水解缩聚成溶胶，陈化后得到凝胶；再将凝胶干燥、球磨，得到前驱体粉末；最后，前驱体粉末经热处理即得ZrB2‑SiC‑LaB6涂层粉末；然后将涂层粉末、水和聚乙烯醇球磨混合均匀得到浆料，经喷雾干造粒得到粉体微球；最后将粉体微球送入等离子喷涂设备，对预热后的碳纤维基体进行等离子喷涂即得。本发明改善了烧结过程产生的气孔现象，复合涂层与碳纤维基体间的结合致密，避免了裂解过程产生的大量气体通道与热应力，从而提高复合材料的抗热蚀性能。
一种等离子喷涂制备 zrb base sub

[发明专利]超高温电磁散射与红外辐射兼容抑制的隐身材料及制备方法-CN202110578274.9有效
发明人： 徐刘进;董凯;易伟 -专利权人：长沙晶优新材料科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种超高温电磁散射与红外辐射兼容抑制的隐身材料及制备方法，该隐身材料为层状结构，自下而上依次包括：基底、粘接层、雷达吸波层和红外低发射率层；雷达吸波层由复合吸收剂基陶瓷材料喷涂而成；复合吸收剂由La1‑xSrxMnO3与钇掺杂的YSZ组成，La1‑xSrxMnO3的质量分数为10～30％，其中x＝0.1～0.4；红外低发射率层由钇掺杂的YSZ基陶瓷材料喷涂而成。该隐身材料在≥1400℃的温度下的工作时间不低于20min，经1400℃热循环后涂层不脱落，在8～18GHz频段内雷达反射率≤‑3dB、3～5μm红外发射率≤0.4。该制备方法工艺简单，制备获得的隐身材料在超高温条件下对电磁散射与红外辐射兼容抑制。
超高温电磁散射红外辐射兼容抑制隐身材料制备方法