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[实用新型]一种具有正面钝化接触的P型PERC电池-CN201721093521.1有效
发明人：郭瑶;郑霈霆;金浩;张昕宇;张范 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有正面钝化接触的P型PERC电池，包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的表面设置有掺杂多晶硅层，所述P型硅基体的背面依次设置有氧化铝层和氮化硅层且设置有铝背场，所述铝背场开槽与所述P型硅基体形成欧姆接触，且所述P型硅基体的正面还设置有电极。上述具有正面钝化接触的P型PERC电池，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。
一种具有正面钝化接触 perc 电池

[发明专利]一种太阳能电池的制备方法-CN201710912382.9在审
发明人：郑霈霆;张范;金浩;张昕宇;许佳平;孙海杰;郭瑶;潘红英 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括，对制绒后的单晶硅片进行氧化后，在所述单晶硅片表面依次生成SiO2膜和硅膜，再在硅膜表面沉积PSG，并除去硅膜表面预设区域内的PSG；在所述预设区域内沉积BSG，在所述硅膜的表面形成所述PSG和所述BSG相间的区域；以所述PSG和所述BSG作为P源和B源的扩散推进，获得具有N型掺杂层和P型掺杂层交替分布结构的太阳能电池。本发明中无需多次掩膜清洗后实现磷扩散和硼扩散，整个工艺流程简单易操作，且设备成本低，从而降低太阳能电池的量化生产的成本，有利于太阳能电池的应用推广。
一种太阳能电池制备方法

[发明专利]一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法-CN201410579880.2有效
发明人：周浪;张范;肖志刚 -专利权人：南昌大学
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法，其特征是首先将含硅12～40％wt、含硼0～5ppmw的铝‑硅‑硼混合原料熔融，然后将n型硅片水平放置于熔体表面，在硅片与熔体接触面外延生长p型掺杂硅晶体层，生长完毕后取出硅片，最后清洗除去硅片表面粘附铝层。本发明可在n型单晶硅片表面外延生长形成连续均匀的p型晶体硅层，其厚度可在0.5～20μm范围调节；其电阻率可在0.5～10Ω·cm范围调节。
一种熔池中液相外延制备晶体太阳电池发射极方法

[发明专利]一种晶硅太阳能电池表面钝化的方法-CN201710867196.8在审
发明人：郑霈霆;张范;金浩;张昕宇;许佳平;孙海杰;郭瑶;潘红英 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池表面钝化的方法，将晶硅衬底在氧气中氧化钝化后，采用含氢气的气体对所述氧气进行清扫处理，使晶硅衬底处于氢气的气体氛围中，最后在氢气的气体氛围中退火，在退火过程中，氢气能够进一步对硅衬底进行氢化钝化，中和晶硅衬底表面的悬挂键，使得晶硅衬底具有一个更好的钝化效果，采用本发明的方法获得的晶硅衬底用于制备太阳能电池，能够使太阳能电池具有更大的开路电压，同时提高了太阳能电池的使用寿命。
一种太阳能电池表面钝化方法

[发明专利]一种IBC电池的测试装置及测试平台-CN201710861402.4在审
发明人：孙海杰;郑霈霆;金浩;张昕宇;许佳平;张范;郭瑶 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC电池的测试装置，该装置包括至少一组探针排和至少一排真空吸排；所述探针排包括第一探针排和第二探针排，所述第一探针排中的探针电连接被测IBC电池的负极主栅线，第二探针排电连接被测IBC电池的正极主栅线；所述真空吸排位于所述第一探针排与所述第二探针排之间，所述真空吸排的长度与所述被测IBC电池中与所述负极主栅线平行的边的长度之间的差值在预设的范围内；上述装置，可以使得真空吸排在与被测IBC电池在接触的地方应力分布均匀；并且降低吸附时所产生的压强，以降低在测量IBC电池时所产生的碎片率；本发明还提供了一种测试平台，同样具有上述有益效果。
一种 ibc 电池测试装置平台

[发明专利]一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法-CN201710756304.4在审
发明人：郭瑶;郑霈霆;金浩;张昕宇;张范 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，包括在P型硅片正面进行碱制绒；在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；在所述P型硅片的背面开槽、印刷电极和烧结。上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。
一种实现 perc 电池正面钝化接触方法

[发明专利]P型IBC电池结构及其制作方法-CN201710463920.0在审
发明人：郑霈霆;张范;张昕宇;金浩;许佳平;孙海杰;郭瑶 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供一种P型IBC电池结构及其制作方法，在P型IBC电池制作过程中，使用P型单晶硅衬底，直接形成N+掺杂层，而在电极制作过程中，烧结形成金属电极时，同时形成P+层，无需现有技术中制作N型IBC电池过程中的B扩散工艺，避免了多次掩膜及清洗等工序，大大降低了IBC电池工艺流程的复杂度，可以兼容传统晶体硅生产线，制备工艺简单，相对投资成本低，具有极大的市场竞争力。
ibc 电池结构及其制作方法

[发明专利]一种高温焚烧法处理丙烯腈尾气的工艺及系统-CN201410037578.4有效
发明人：任春晓;魏宏大;李超;崔晓兰;尚玉光;张冬妮;张范;刘静;罗剑;郑全军 -专利权人：北京航天石化技术装备工程有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本发明属于化工有机废气处理环保技术领域，具体涉及丙烯腈尾气的预处理、焚烧及其余热回收系统。包括气液分离罐、焚烧炉、助燃器、SNCR脱硝装置、余热锅炉、丙烯腈尾气‑烟气连续蓄热热交换器、助燃空气‑烟气连续蓄热热交换器、鼓风机、烟囱。高温焚烧法处理丙烯腈尾气的系统实现了丙烯腈尾气中的有害物质如丙烯腈、氢氰酸、一氧化碳以及非甲烷烃类的高温氧化分解，有害物质去除率达99.99%以上。与传统高温焚烧法相比，可以直接节约燃料消耗60～70%，是一种高效节能的处理方法，且预热温度低于尾气中有机份的裂解温度20～30℃，安全稳定不产生结焦。
一种高温焚烧处理丙烯腈尾气工艺系统

[发明专利]一种反应堆上部组件上耐压壳石墨密封圈拆卸装置-CN201510862526.5在审
发明人：吴磊;张建军;高生华;张范;赵亚明;尤晓波;张宾;刘明;李高超;易良川;孙龙;兰晓伟;曾振华;胡彬;曹晔 -专利权人：江苏核电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G21C19/02 文献下载
摘要：本发明及核电站反应堆检修领域，具体涉及一种反应堆上部组件上耐压壳石墨密封圈拆卸装置。该装置包括半环I、半环II、手柄I、手柄II，半环I、半环II组成圆环；半环I、半环II其一端相互固定且可以相对转动；半环I、半环II外侧安装有手柄I、手柄II；半环I、半环II内侧中部有拨爪。运用反应堆上部组件上耐压壳石墨密封圈拆卸装置能确保安全拆卸耐压壳石墨密封圈，并且消除原拆卸方法存在的耐压壳密封面划伤的重大风险，避免备件更换带来的直接经济损失。
一种反应堆上部组件耐压石墨密封圈拆卸装置

[实用新型]一种薄晶体硅电池-CN201621043041.X有效
发明人：张范;金井升;蒋方丹;金浩;郑霈霆 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄晶体硅电池，包括从上到下依次设置的正面Ag电极层、正面SiNx膜、完成正面磷掺杂背面点状B掺杂的硅片、背面点状Ag电极、背面钝化层和背面Al电极。通过丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；再丝网印刷点状Ag电极、点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤。
一种晶体电池

[实用新型]一种硅片断栅检测装置-CN201621254308.X有效
发明人：张范;郑霈霆;张昕宇;金浩;金井升;许佳平;孙海杰;郭瑶 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片断栅检测装置，包括托板、卡块和照明装置。托板呈倾斜设置，在其表面上用于放置硅片。托板上设置有卡块结构，当硅片放置时底端与卡块接触，能够阻挡硅片在重力的作用下向下滑动。托板的边缘位置设置照明装置，照明装置的灯光能够照射到硅片的表面。在使用时将硅片放置在托板上并由卡块限位，照明装置发射明亮的光线照射在硅板上，此时观察者与硅板呈很小的角度观察硅板表面的栅线结构，硅片的副栅线与观察者的视线垂直，以识别出副栅线是否存在断线。当硅板印刷完成后，直接放在托板上进行观察，实现在线检测的目的，若发现连续几个硅片出现同样的断栅问题，可以认定网眼被堵塞，需进行相应的调整。
一种硅片检测装置

[实用新型]一种用于硫回收制酸工艺的低压酸性气一体式燃烧器-CN201620583513.4有效
发明人：刘静;殷义;安兵涛;张范;时明伟;魏宏大;董志明;罗秀朋;王亚飞;刘晓阳;韩大伟 -专利权人：北京航天动力研究所
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： F23D14/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于硫回收制酸工艺的低压酸性气一体式燃烧器，其筒体内部中间为燃烧室，燃烧室前侧布置了布风器，燃烧室中后侧设置了酸气环管，沿酸气环管周向均布多个酸气支管；布风器上开多个长条孔用于均匀空气，然后通过一个收缩的锥形延伸到燃烧室喉口；筒体上还设置有助燃空气进口、酸气进口、视镜和火焰检测器；酸气通过酸气进口先进入酸气环管，然后通过多个酸气支管进入燃烧室；助燃空气由助燃空气进口进入后首先通过布风器沿周向均匀分布后，沿着锥形进入燃烧室喉口与来自中心燃料气枪的燃料气和中心酸气枪的酸性气掺混燃烧。本实用新型低压酸性气燃烧器针安装简便、运行平稳、燃烧高效的。
一种用于回收工艺低压酸性体式燃烧

[发明专利]一种薄晶体硅电池及其制备方法-CN201610807894.4在审
发明人：张范;金井升;蒋方丹;金浩;郑霈霆 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄晶体硅电池及其制备方法，其中，制备方法包括步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。通过丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；再丝网印刷点状Ag电极、点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤。
一种晶体电池及其制备方法

[发明专利]一种单晶硅片表面的处理方法-CN201610903415.9在审
发明人：张范;郑霈霆;许佳平;孙海杰;郭瑶;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片表面的处理方法，包括：步骤1，对硅片进行双面抛光；步骤2，对所述硅片的背面镀氮化硅掩膜；步骤3，将所述硅片在HF中浸泡，去除所述硅片的正面氮化硅绕镀；步骤4，对所述硅片进行正面金字塔制绒；步骤5，去除所述硅片的背面氮化硅掩膜。所述单晶硅片表面的处理方法，通过双面抛光，彻底去除硅片损伤，提高硅片质量，获得金字塔绒面结构及镜面式背抛光面，增加所制备太阳能电池对光波的吸收利用率。
一种单晶硅表面处理方法

[发明专利]一种用于硫回收制酸工艺的低压酸性气一体式燃烧器-CN201610425745.1有效
发明人：刘静;殷义;安兵涛;张范;时明伟;魏宏大;董志明;罗秀朋;王亚飞;刘晓阳;韩大伟 -专利权人：北京航天动力研究所
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： F23D14/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于硫回收制酸工艺的低压酸性气一体式燃烧器，其筒体内部中间为燃烧室，燃烧室前侧布置了布风器，燃烧室中后侧设置了酸气环管，沿酸气环管周向均布多个酸气支管；布风器上开多个长条孔用于均匀空气，然后通过一个收缩的锥形延伸到燃烧室喉口；筒体上还设置有助燃空气进口、酸气进口、视镜和火焰检测器；酸气通过酸气进口先进入酸气环管，然后通过多个酸气支管进入燃烧室；助燃空气由助燃空气进口进入后首先通过布风器沿周向均匀分布后，沿着锥形进入燃烧室喉口与来自中心燃料气枪的燃料气和中心酸气枪的酸性气掺混燃烧。本发明低压酸性气燃烧器针安装简便、运行平稳、燃烧高效的。
一种用于回收工艺低压酸性体式燃烧