“张潇风”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种低损耗双向导通IGBT结构及制备方法-CN202311203164.X在审
发明人：付民;张潇风;郑冰 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种低损耗双向导通IGBT结构及制备方法，属于半导体功率器件领域。其结构在传统场截止型IGBT结构的基础上，降低部分集电极P型区硼掺杂浓度，形成低掺杂P型阻隔区，再在P型阻隔区背部离子注入形成集电极N+区，形成包裹结构，包裹结构中央刻蚀填充形成短路集电极分裂沟槽，N型缓冲层、集电极N型区、P型阻隔区和短路集电极分裂沟槽构成双向导通NMOS结构。双向导通NMOS结构与集电极P型区由深氧沟槽隔离开，使其具有较为独立电学特性。本发明无需额外引入控制电极的前提下集成了双向导通NMOS结构，关断速度明显提升，进而降低器件导通损耗，并且极大缩小了器件横向电压回折抑制尺寸，提高了芯片集成度。
一种损耗双向 igbt 结构制备方法

[发明专利]一种抑制电压回折现象的低损耗IGBT结构及制备方法-CN202310745359.0在审
发明人：付民;张潇风;刘雪峰;郑冰 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制电压回折现象的低损耗IGBT结构及制备方法，属于半导体功率器件领域，其结构在现有结构的基础上，集电极N型区上侧增设P型阻隔层,二者堆叠位于所述集电极P+区右侧，集电极N型区与P型阻隔层堆叠结构中嵌有集电极梯形凸包；N型缓冲层、集电极N型区、P型阻隔层和集电极梯形凸包构成自适应类MOS结构，其中N型缓冲层构成类MOS结构的源区，集电极N型区构成漏区，P型阻隔层构成基区，集电极梯形凸包构成控制栅。本发明无需额外引入背侧栅控制电极，避免了导通初期出现的电压回折现象，在关断时提供了随集电极电压上升自适应展宽的电子抽取通路，进一步缩短关断时间，降低了导通损耗。
一种抑制电压现象损耗 igbt 结构制备方法