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[外观设计]用于显示屏幕的制造管理图形用户界面-CN202230241986.7有效
发明人：宋轩;谢洪彬;张浩然;赵奕丞;林贵旭;舒家阳;冯德帆;张家祺;陈林尧;彭金全;宋歌 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于显示屏幕的制造管理图形用户界面。2.本外观设计产品的用途：用于运行和显示程序，该显示屏幕用于电脑及展厅的大屏幕。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品图形用户界面的界面内容。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.不常见，省略后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图。6.图形用户界面的用途：用于工业制造企业制造及加工产品，主要分为制造企业产品生产效益分析、AR模拟生产功能、异常生产事件监测列表、产品质量分析、质量因果推断和产品故障溯源这6个模块，每个模块可以实时展示相应的数据分析功能，中间的色块为产品加工制造的实时画面。
用于显示屏幕制造管理图形用户界面

[发明专利]无需助粘剂的瞬态胶带转印方法-CN201910224900.7有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无需助粘剂的高效率和保真度的瞬态胶带转印法，主要解决现有基于PDMS的转印技术转印效率低、保真度低、操作难度大的问题。其实现方案是：1)在SOI基片上制备单晶硅薄膜；2)在单晶硅薄膜上制备光刻胶锚点，并对SOI基片的埋氧化层进行刻蚀；3)取用瞬态胶带拾取SOI基片上的单晶硅薄膜；4)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与接收衬底耦合；5)将耦合后的体系放入丙酮溶液中浸泡后再捞出吹干去除其胶带溶解的残留物，完成高效率、高保真度的转印。本发明改变了传统的转印方式，增强了转印技术的可靠性，降低了工艺难度和成本，具有更高的转印效率与保真度，可用于异质集成芯片制作。
无需助粘剂瞬态胶带方法

[发明专利]一种通过抽象语法树实现跨语言代码交互的方法-CN202111467786.4在审
发明人： 张家祺;刘永富;李诚诚;严甜甜;陆万川;杨静 -专利权人：天翼电子商务有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F8/41 文献下载
摘要：本发明涉及软件开发领域，本发明公开了一种通过抽象语法树实现跨语言代码交互的方法，包括以下步骤：在当A，B两种编程语言需要交互时，将B编程语言转换为抽象语法树，再将B语言的抽象语法树转换为A编程语言，最终实现A编程语言对B编程语言的调用。本发明优点如下：本专利适用适合所有基于语法树实现的语言；本专利通过转换现有语言功能的代码成动态语法树，再根据动态语法树自动生成需要调用现有语言的开发语言代码，一次开发完成后，可以适配现有语言的所有功能，工作量较小。
一种通过抽象语法实现语言代码交互方法

[发明专利]基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法-CN201910860000.1有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，该器件由氮化镓高电子迁移率晶体管和氧化锌晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4)，以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Al2O3绝缘层、ZnO薄膜以及氧化锌晶体管的源、漏、栅极，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，减小了芯片所占面积，提高了集成度，可用于汽车、航空航天、发电站中大规模集成电路的制造。
基于溶液单片集成 cascode 氮化迁移率晶体管制作方法

[发明专利]基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法-CN201910860761.7有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，主要解决现有Cascode氮化镓高电子迁移率晶体管不能大面积单片集成的问题。其自上而下包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽(4)，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(5)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明可以实现晶圆级制造，增强了器件的可靠性，提高了芯片集成度，可用于电源转换器、反相器进行电源控制与转换的场景。
基于单片集成 cascode 氮化迁移率晶体管制作方法

[发明专利]基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法-CN201910860757.0有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4)，以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Si有源层(5)；该Si有源层键合到隔离槽一侧的AlGaN势垒层上，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，增强了器件的可靠性，可用于电源转换器及反相器电源控制与转换。
基于智能剥离技术单片集成 cascode 氮化迁移率晶体管制作方法

[发明专利]基于单片异质集成的Cascode结构GaN高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201910024910.6有效
发明人：张春福;张苇杭;张家祺;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于单片异质集成的Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管不能单片集成的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si有源层(4)，该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(4)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)的上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明增强了器件的可靠性，缩小了微系统的体积尺寸，提高了芯片集成度，可用于电源转换器、反相器进行电源控制与转换的场景。
基于单片集成 cascode 结构 gan 电子迁移率晶体管制作方法

[实用新型]一种天然气生产管道积液回收装置-CN202022242249.7有效
发明人： 张家祺;周群 -专利权人： 张家祺
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： F17D3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种天然气生产管道积液回收装置，包括底板，所述底板的顶部一侧焊接有第三壳体，所述第三壳体的内侧顶部螺纹连接有第一螺纹盖，所述第一螺纹盖的内部贯穿有第一导管，所述第一螺纹盖的顶部一侧安装有水泵，所述水泵的出水口与第一导管连通，所述第一导管与第一螺纹盖的连接处安装有第一阀门，所述第三壳体的一侧连通有第三导管；本装置在使用时，通过设置滤网板对积液进行过滤处理，减少积液内部残渣的占比，并设置螺栓配合螺纹孔和第二固定块便于将滤网板从第三壳体中取出，便于对滤网板进行清理或更换；设置第二导流块防止积液渗入第一卡块与第二固定块的连接处，并将积液导向至第三壳体底部。
一种天然气生产管道积液回收装置

[发明专利]一种提升软件开发效率的过程管理机器人-CN202011076936.4在审
发明人： 张家祺;张梦雅;刘永富;李诚诚;严甜甜;陆万川;杨静 -专利权人：甜橙融资租赁（上海）有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升软件开发效率的过程管理机器人，包括部署信息通报，配置差异检查，自动化测试三种工作模式。本发明具有以下优点：1）使用聊天机器人监控代码的部署情况，比传统的通过人工去检查代码部署平台的情况，能让研发和测试人员更及时的知道目前测试环境的代码情况，更好的进行研发和测试工作；2）使用聊天机器人来进行配置文件比对，比传统的通过人工，bcompare之类的文本对比软件进行配置文件对比，减少了人的操作成本，同时不会遗漏在软件开发过程之中的这个过程；3）使用聊天机器人进行自动化测试，比通过网站系统去执行自动化测试，减少了系统界面的开发工作量，触发自动化测试的操作更为便捷友好，并且查看测试结果更为方便。
一种提升软件开发效率过程管理机器人

[实用新型]一种船用推进机构及无人船-CN201922414677.0有效
发明人： 张家祺;王加安;汤真;吴松;柯新月;叶文龙 -专利权人：常州工学院
申请日： 2019-12-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B63H1/37 文献下载
摘要：本实用新型涉及船舶领域，具体公开了一种船用推进机构及无人船，包括支撑骨架和划水掌，所述支撑骨架包括固定在船体底部的竖梁，所述支撑骨架还包括多个垂直于所述竖梁的横梁，所述横梁的中部固定于所述竖梁，所述横梁的两端分别安装划水掌，所述划水掌包括两块铰接的划水板，两块所述划水板均包括弧面和平面，当两块所述划水板闭合时，两块所述划水板的平面所成最小夹角为45度；当两块所述划水板打开时，两块所述划水板的平面所成最大夹角为180度。本实用新型提供的船用推进机构可以借助波浪推动无人船行驶，从而节省无人船的能量损耗。
一种推进机构无人

[发明专利]双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法-CN202010747893.1在审
发明人：张春福;张苇杭;张家祺;杨国放;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有单片异质集成Cascode结构场效应晶体管无反向阻断特性的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽一侧的SiN隔离层上印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，且其漏电极(8)与AlGaN势垒层采用肖特基接触，形成双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管。本发明具有双向阻断特性，应用范围广，可用作汽车、航空航天、发电站的电源转换器或反相器。
双向阻断单片集成 cascode 结构场效应晶体管制作方法

[发明专利]基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法-CN202010747894.6在审
发明人：张春福;张苇杭;武毅畅;张家祺;杨国放;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，SiN隔离层中间刻有隔离槽(17)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极(6)、第二栅电极(7)和第二漏电极(8)，该源漏电极之间区域上设有钝化层(16)，该钝化层和第二源电极上淀积有源场板(9)，形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性，可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。
基于源场板单片集成 cascode 结构场效应晶体管制作方法

[发明专利]基于肖特基-欧姆混合漏电极的单片异质集成Cascode晶体管及制作方法-CN202010747898.4在审
发明人：张春福;陈大正;杨国放;张家祺;武毅畅;张苇杭;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于肖特基‑欧姆混合漏电极的单片异质集成Cascode晶体管，主要解决现有单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，第二漏电极(8)部分区域与AlGaN势垒层形成欧姆接触，剩余区域与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明提升了单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管的击穿特性，可用于高压电源开关。
基于肖特基欧姆混合漏电单片集成 cascode 晶体管制作方法

[发明专利]干姜挥发油得到的物质在急性肺部炎症疾病的应用-CN202010409808.0在审
发明人：蒋元烨;胡诚;曹勤;张家祺;汪涛;金磊;杨佳华;张煜;徐颖 -专利权人：上海市普陀区中心医院
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： A61K36/9068 文献下载
摘要：本发明涉及一种用超临界萃取法提取干姜挥发油得到的物质在制备治疗急性肺部炎症疾病药物中的应用，所述的急性肺部炎症疾病是IL‑8，PGE2及LT‑B4因子的释放的急性肺部炎症疾病。本发明还提供了一种用水蒸气提取法提取干姜挥发油得到的物质在制备治疗急性肺部炎症疾病药物中的应用，所述的急性肺部炎症疾病是TNF‑α因子的释放的急性肺部炎症疾病。对比两种方法提取的干姜挥发油LD50可以得出，干姜挥发油属于无毒性，且水蒸气蒸馏法(SD)组安全性高于超临界萃取法(SFE)组。对比两种方法提取的干姜挥发油对LPS诱导的ALI均有不同程度的疗效，且超临界萃取法(SFE)组疗效优于水蒸气蒸馏法(SD)组。
干姜挥发油得到物质急性肺部炎症疾病应用

[实用新型]一种生态景观土壤检测设备-CN201920760643.4有效
发明人： 张家祺;高菽晨 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及土壤检测技术领域，尤其为一种生态景观土壤检测设备，包括检测箱，所述检测箱上固定连接有固定架，所述固定架靠近地面一侧固定连接有万向轮，所述检测箱的正面且位于固定架正上方固定连接有定时控制器，所述检测箱远离地面一侧固定连接有土壤检测仪，所述检测箱靠近地面一侧且土壤检测仪位置处对应开设有凹槽，所述凹槽靠近土壤检测仪一侧开设有方槽，所述方槽内固定连接有检测探针，所述检测探针远离地面一端固定连接有电线，通过设置第一电机，第二电机，取样管，钻头，解决了目前便携式土壤检测仪在使用时，探针很容易碰撞到土壤中的石头，从而造成探针断裂的问题。
一种生态景观土壤检测设备