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[发明专利]一种短棱柱状α-半水硫酸钙粉体的制备方法-CN201610933256.7有效
发明人：陈建峰;张咏青;王洁欣;乐园;曾晓飞 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C01F11/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种短棱柱状α‑半水硫酸钙粉体的制备方法，其包括如下步骤：将钙盐‑乙醇溶液和硫酸盐‑水溶液加入外循环旋转填充床中，于20～60℃温度下反应，得二水硫酸钙前驱体悬浮液；将所得悬浮液抽滤，洗涤，干燥，得二水硫酸钙前驱体；将所得二水硫酸钙前驱体加入温度为80～120℃，pH为2～8的反应液中，恒温反应4～12h，反应过程中进行冷凝回流；将反应后的产物趁热过滤，经热水洗涤、乙醇终止水化过程后迅速抽滤，干燥，得短棱柱状α‑半水硫酸钙粉体。本发明制备方法工艺简单、条件温和，成本低廉，过程易控，且容易放大，便于实现工业化生产。
一种棱柱硫酸钙制备方法

[发明专利]多输入运算放大器和降低其输入偏移的方法-CN200810096119.8无效
发明人： 张咏青 -专利权人：台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种多输入运算放大器，其包括有两个跨导体、两个电流镜和一电流源。其中每个跨导体根据对应的电压差产生电流。当所述电压差小于或等于零时，所述电流为定值。当所述电压差大于零时，所述电流与所述电压差成正比。
输入运算放大器降低偏移方法

[发明专利]残影消除电路和其方法及其显示器控制电路-CN200710088274.0有效
发明人：毕文嘉;张咏青;罗炎国;苏可青 -专利权人：台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明的残影消除电路包含检测电路和连接到所述检测电路的切换开关。所述检测电路用于检测随电压源迅速变动的第一电压信号和随电压源缓慢变动的参考电压信号。当所述检测电路判定所述第一电压信号低于第一阈值时，那么所述切换开关将驱动晶体管的栅极切换到随电压源缓慢变动的第二电压信号。当所述检测电路判定所述参考电压信号低于第二阈值时，那么将所述驱动晶体管的栅极切换到低电压源。
消除电路方法及其显示器控制电路

[发明专利]脉宽调制升压系统及其启动方法-CN200610152469.2无效
发明人： 张咏青;罗炎国;毕文嘉 -专利权人：台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明揭示一种脉宽调制升压系统及其启动方法。所述脉宽调制升压系统包含一升压电路、一分压电路、一比较器、一脉宽调制电路、一前振荡器及一限流电路。所述启动方法包含：(1)提供一误差电压；(2)根据所述误差电压，产生一脉宽调制信号；(3)通过所述脉宽调制信号控制一升压电路中的一开关，以控制一流经所述升压电路中一升压电感的电感电流；(4)利用所述电感电流对所述升压电路中的一电容充电，其中所述电容的存储电荷定义一直流输出电压；以及(5)根据所述直流输出电压，提供一反馈电压以调整所述误差电压。
脉宽调制升压系统及其启动方法

[发明专利]半导体晶圆及其制造方法-CN200410046003.5无效
发明人：陈维忠;张咏青;黄照兴;方振宇;余建朋 -专利权人：台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：半导体晶圆及其制造方法，包括：一晶圆主体；复数个模拟IC芯片，其间隔且对齐地形成于该晶圆主体上，一切割道被定义为形成于每两个芯片间区域，其中每一芯片具有在其内部形成的内部电路以及沿该切割道形成的至少一端子垫；以及一导电配置，包括形成于晶圆主体上的至少一导电组件，将端子垫与该芯片内部电路电连接，使当沿切割道将芯片从晶圆主体上切除后，可将端子垫从该芯片中切除，而该内部电路保留在芯片中。制造方法包括以下步骤：(a)于晶圆主体上间隔对齐地形成复数个模拟IC芯片，每两个芯片间定义为一切割道，内部形成电路端子垫；(b)沿邻近晶圆主体的切割道上排列该端子垫；(c)晶圆上形成导电组件；(d)将该芯片从该晶圆主体切除。
半导体及其制造方法

[发明专利]具有测试电路之半导体晶圆及制造方法-CN200410046002.0无效
发明人：陈维忠;张咏青;黄照兴;方振宇;余建朋 -专利权人：台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：具有测试电路的半导体晶圆及其制造方法，本发明揭示一种半导体晶圆，包括：一晶圆主体；复数个芯片，其间隔且对齐地形成于该晶圆主体之上，每两个芯片间之区域定义为一切割道，其中至少一该等芯片系为具有一端子垫之受测试芯片，用于藉由一测量工具来测量该受测试芯片之电压；以及一测试电路，其具有一输出端与一输入端，该输入端与该受测试芯片之内部电路电延伸而连接。该测试电路之输出阻抗系相对小于该测量工具之阻抗，使得将该测量工具之测试端子分别电指向该受测试芯片以及该测试电路之输出端时，使该受测试芯片之电压受到精确测量。
具有测试电路半导体制造方法