“布兰特·A·安德森”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法-CN201710083321.6有效
发明人：爱德华·J·诺瓦克;布兰特·A·安德森;安德鲁·史厚利 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法，其一个方面提供一种形成替代栅极结构的方法。该方法可包括：自一组鳍片上方移除伪栅极，以在介电层中形成开口来暴露该组鳍片，该组鳍片中的各鳍片通过介电质与该组鳍片中的相邻鳍片基本隔开；在该组暴露鳍片上方的该开口内形成保护覆盖层；移除该组鳍片中各鳍片的每侧上的该介电质的部分；通过移除该组鳍片中的各鳍片的部分来底切该组鳍片中的各鳍片，以形成设于该保护覆盖层下方的凹口；用氧化物基本填充各凹口；在该组鳍片中的各鳍片上方形成栅极介电质；以及在该栅极介电质上方形成栅极导体，从而形成该替代栅极结构。
具有凹口 finfet 及其形成方法

[发明专利]用于垂直传输场效应晶体管的互连-CN201710521073.9有效
发明人：爱德华·J·诺瓦克;布兰特·A·安德森 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及用于垂直传输场效应晶体管的互连，提供垂直传输场效应晶体管的结构及制造方法，该结构包括垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片；以及在该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极。该结构还包括位于该半导体层中所定义的沟槽内的互连。该互连耦接该垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域或该栅极电极，且可用于将该垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域或该栅极电极与另一垂直传输场效应晶体管的源极/漏极区域或栅极电极耦接。
用于垂直传输场效应晶体管互连