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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装件、半导体封装件的制造方法以及中介层组-CN202280013254.X在审
发明人： 工藤宽;高野贵正 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：半导体封装件包含：第1中介层，其包含第1面和第2面；第2中介层，其包含第3面和第4面，在第1方向上与所述第1中介层并排；第3中介层，其包含第5面和第6面，在第1方向上位于第1中介层与第2中介层之间；第1半导体元件，其在俯视时与第1面和第5面重叠；以及第2半导体元件，其在俯视时与第3面和第5面重叠。第3中介层包含将第1半导体元件和第2半导体元件电连接的布线。
半导体封装制造方法以及中介

[发明专利]贯通电极基板、电子单元、贯通电极基板的制造方法以及电子单元的制造方法-CN202080028578.1在审
发明人： 工藤宽;铃木美雪;山田尚平 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本公开的实施方式中的贯通电极基板具备：基板，其具有第1面以及第2面，包含贯通该第1面和该第2面的贯通孔；以及贯通电极，其配置在贯通孔的内部。贯通电极包含：在第1面侧堵塞该贯通孔的第1部分；以及沿着贯通孔的内侧面配置的第2部分。在第1部分中沿着与第1面垂直的方向最薄的部分具有厚度A，在第2部分中最薄的第2部分具有厚度B，贯通孔的第1面中的直径具有长度C。满足A＜C＜A+B×2的关系。
贯通电极电子单元制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN03804690.3无效
发明人： 工藤宽;稻泽刚一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。在双镶嵌式方法中，防止弯曲和蚀槽的产生。对于如图2(A)所示的那样具有断面构造的制造过程的半导体装置，进行如图2(B)所示的氮化硅蚀刻。其结果是铜膜(26)的一部分被氧化而变成氧化物(43)，另外，CF_x沉积物(44)在其上堆积。但是，在图2(C)中，可以通过使用氢等离子体进行有机绝缘膜的蚀刻，使氧化物(43)还原为铜，另外，可以通过将CF_x沉积物转换为挥发性的化合物而除去。
半导体装置制造方法

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