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[发明专利]TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法-CN201810966032.5有效
发明人：叶广闻;沈添;R·G·小菲利皮;崔承万;曹琳珺 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法，其中，一种电熔丝结构包括：电路，具有可操作地耦接该电路至电源的电熔丝；以及冗余电路，响应该电熔丝的断开而可操作地耦接该电源；其中，该电熔丝响应迁移穿过该电熔丝的邻近该电路的时间相关介电击穿(time‑dependent dielectric breakdown；TDDB)渗透电流而断开。本发明还揭示编程这样的电熔丝结构的方法。
tddb 渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及由此制造的半导体器件-CN200510054202.5有效
发明人：徐凤锡;朴基澈;崔承万;金一龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-12 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种通过选择性地形成扩散阻挡层来制造半导体器件的方法，和由此制造的半导体器件。在该制造方法中，在半导体衬底上形成了导电图案和覆盖导电图案的绝缘层。构图绝缘层从而形成用于暴露导电图案的至少一部分的开口。然后，利用选择性沉积技术在具有开口的半导体衬底上形成扩散阻挡层。扩散阻挡层在暴露的导电图案上形成的厚度比在暴露于开口内部的绝缘层上的扩散阻挡层的厚度更薄。然后，蚀刻扩散阻挡层，由此形成凹陷(recessed)扩散阻挡层。按照这种方式，防止了金属原子从填充开口的金属插塞或金属互连向绝缘层扩散。
半导体器件制造方法由此