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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种光纤准直器的快速对光耦合装置和快速对光耦合方法-CN202210826511.3有效
发明人： 岳世海;朱勇;葛增伟;盖立君;陆晓晨;殷学技;徐冰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明提供一种光纤准直器的快速对光耦合装置，包括：光学平台、光器件固定平台、输入端准直器调节架和接收端准直器调节架、输入端准直器和接收端准直器、输入端准直器对应的感光屏和接收端准直器对应的感光屏。本发明还提供一种光纤准直器的快速对光耦合方法。本发明提供的一种光纤准直器的快速对光耦合装置和快速对光耦合方法，具有结构简单、成本较低、操作方便的特点，适用于光功能器件特别是对光束传播方向产生作用的光器件耦合生产，极大地降低生产对人员经验的依赖程度，且稳定、高效、低成本。
一种光纤准直器快速对光耦合装置方法

[发明专利]一种分离胶合组件的方法-CN202211025081.1在审
发明人：朱勇;徐冰;岳世海;殷学技 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B32B43/00 文献下载
摘要：本发明提供一种分离胶合组件的方法，所述胶合组件包括待分离基座、待分离件和胶合层，所述方法包括如下步骤：步骤(1)，根据所述待分离件的形状制作分离匹配件；步骤(2)，制作分离控制操作主体；步骤(3)，将所述胶合组件、所述分离匹配件放入所述分离控制操作主体中；步骤(4)，加热位于底部的所述待分离基座；步骤(5)，用所述推杆推动所述分离匹配件，实现所述胶合组件的待分离基座和待分离件的分离。本发明提供的分离胶合组件的方法，不需要使用去胶剂，可以最大程度保留待分离件的性能，通过待分离件的导热差异，可选择性地加热易导热部分，实现局部精准控制，从而减少待分离件的性能影响。
一种分离胶合组件方法

[发明专利]一种桥式晶体散热块-CN201910403440.4有效
发明人：朱勇;岳世海;殷学技;朱玉伟;徐冰;赵寒冰;黄恺平;葛增伟 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种桥式晶体散热块。包括：主体部，所述主体部具备沿其长度延伸的光路区域；桥墩部，从所述主体部的光路区域的中后端的两侧分别向上突出；通孔，分别设于所述桥墩部。可有效避免装配过程中的晶体开裂、实现小型和微型化极限尺寸。
一种晶体散热

[发明专利]一种射线纯碘化钠粉体及制备方法-CN201910374118.3有效
发明人：朱勇;葛增伟;岳世海;张若飞;周志坚 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所;昆山金城试剂有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C01D3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种射线纯碘化钠粉体及制备方法，该制备方法包括：（1）将NaI粉体或NaI晶体溶于纯水中，形成NaI饱和溶液，所述NaI粉体或NaI晶体的纯度至少为99.5%；（2）在所得NaI饱和溶液加入水合肼，形成NaI碱性溶液；（3）利用微孔滤膜抽滤分离NaI碱性溶液，得到NaI碱性滤液；（4）在所得NaI碱性滤液中加入氢碘酸，形成NaI酸性溶液；（5）利用微孔滤膜抽滤分离NaI酸性溶液，得到NaI酸性滤液；（6）在所得NaI酸性滤液中加入水合肼，并调节pH至弱酸性，再经蒸发结晶和抽滤后，得到射线纯NaI粉体。
一种射线碘化钠制备方法

[发明专利]一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法-CN201410136597.2在审
发明人： 岳世海;朱勇;王威;殷学技;徐海芳;潘裕柏;葛增伟 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法，其包括如下步骤：a)使氟化铈粉体与聚四氟乙烯粉体按质量比为100:(1～5)混匀；b)将步骤a)得到的混合粉体进行真空干燥；c)将步骤b)得到的干燥混合粉体装入坩埚中，在非真空条件下，以0.5～1.5毫米/小时的下降速度进行晶体生长。本发明通过加入一定量的聚四氟乙烯粉体，可有效清除氧杂质，因而实现了在非真空条件下用坩埚下降法生长CeF₃晶体，极大地简化了CeF₃晶体的生长工艺，有利于实现CeF₃晶体的规模化生产，相对于现有技术具有显著性进步和实用价值。
一种真空下降生长氟化晶体方法

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